TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2015) VỀ THẺ ĐỊNH DANH – KĨ THUẬT GHI – PHẦN 7: SỌC TỪ – KHÁNG TỪ CAO, MẬT ĐỘ CAO

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 11166-7:2015

ISO/IEC 7811-7:2014

THẺ ĐỊNH DANH – KỸ THUẬT GHI – PHẦN 7: SỌC TỪ – KHÁNG TỪ CAO, MẬT ĐỘ CAO

Identification cards – Recording technique – Part 7: Magnetic stripe – High coercivity, high density

Lời nói đầu

TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2014) hoàn toàn tương đương với ISO/IEC 7811-7:2014.

TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2014) do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC 1 “Công nghệ thông tin” biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

Hiện nay, bộ TCVN 11166 (ISO/IEC 7811) về Thẻ định danh – Kỹ thuật ghi gồm các tiêu chuẩn:

– Phần 1: Rập nổi;

– Phần 2: Sọc từ – Kháng từ thấp;

– Phần 6: Sọc từ – Kháng từ cao;

– Phần 7: Sọc từ – Kháng từ cao, mật độ cao;

– Phần 8: Sọc từ – Kháng từ 51,7 kA/m (650 Oe);

– Phần 9: Đánh dấu định danh xúc giác;

 

THẺ ĐỊNH DANH – KỸ THUẬT GHI – PHẦN 7: SỌC TỪ – KHÁNG TỪ CAO, MẬT ĐỘ CAO

Identification cards – Recording technique – Part 7: Magnetic stripe – High coercivity, high density

1  Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này qui định các đặc tính cho thẻ định danh được định nghĩa trong Điều 4 và việc sử dụng các thẻ này trong trao đổi quốc tế.

Tiêu chuẩn này qui định các yêu cầu đối với sọc từ kháng từ cao (bao gồm mọi lớp phủ bảo vệ) trên một thẻ định danh, kỹ thuật mã hóa và bộ ký tự mã hóa. Tiêu chuẩn này xem xét cả khía cạnh con người và máy móc và nêu rõ các yêu cầu tối thiểu.

Kháng từ ảnh hưởng đến nhiều đại lượng được qui định trong tiêu chuẩn, nhưng tiêu chuẩn này không qui định cho kháng từ. Đặc tính chính của sọc từ có kháng từ cao là khả năng chống xóa được cải thiện. Điều này đạt được nhờ giảm thiểu khả năng xảy ra hư hại đối với các sọc từ khác bởi tiếp xúc trong khi vẫn duy trì khả năng tương thích đọc với các sọc từ được qui định trong TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2).

Tiêu chuẩn này qui định dung lượng thẻ xấp xỉ khoảng 10 lần số thẻ phù hợp với TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). Số lượng các rãnh tăng lên 6, mỗi rãnh xấp xỉ bằng nửa chiều rộng của các rãnh phù hợp với TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6), được đặt để người dọc thiết kế việc đọc cho các rãnh mật độ cao cũng có thể đọc thẻ phù hợp với TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). Dữ liệu được mã hóa trong các byte 8 bit sử dụng Kỹ thuật mã hóa MFM. Khung dữ liệu được sử dụng để hạn chế việc truyền lỗi và kỹ thuật sửa lỗi có độ tin cậy cao hơn trong việc đọc.

Tiêu chuẩn này đưa ra các tiêu chí để thẻ hoạt động, không xem xét về lượng sử dụng, nếu có thì cần xem xét lượng thẻ trước khi thử nghiệm. Nếu không phù hợp với các tiêu chí qui định, thì các bên liên quan nên thương lượng với nhau.

ISO/IEC 10373-2 qui định các thủ tục thử nghiệm để kiểm tra thẻ so với các thông số được qui định trong tiêu chuẩn này.

CHÚ THÍCH: Các giá trị số theo hệ đo lường SI và/hoặc hệ đo lường Anh trong tiêu chuẩn này có thể được làm tròn, do đó giá trị là phù hợp nhưng không chính xác bằng nhau. Có thể sử dụng hệ đo lường khác nhưng không nên dùng lẫn hoặc chuyển đổi lẫn nhau. Thiết kế ban đầu sử dụng hệ thống đo lường Anh.

2  Sự phù hợp

Điều kiện tiên quyết để phù hợp với tiêu chuẩn này là phù hợp với TCVN 11165 (ISO/IEC 7810). Một thẻ định danh phù hợp với tiêu chuẩn này nếu đáp ứng tất cả các yêu cầu bắt buộc được qui định trong tiêu chuẩn. Áp dụng các giá trị mặc định nếu không qui định giá trị khác.

3  Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu tham khảo dưới đây không thể thiếu đối với việc áp dụng tài liệu này. Đối với các tham khảo ghi năm, chỉ áp dụng bản được nêu. Đối với các tham khảo không ghi năm, áp dụng bản tài liệu tham khảo mới nhất (bao gồm cả sửa đổi).

TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), Thẻ định danh – Đặc tính vật lý;

ISO 4287, Geometrical Product Specifications (GPS) – Surface texture: Profile method – Terms, definitions and surface texture parameters (Đặc tả sản phẩm hình học (GPS) – Kết cấu bề mặt: Phương pháp mặt nghiêng – Thuật ngữ, định nghĩa và thông số kết cấu bề mặt):

ISO/IEC 10373-1, Identification cards – Test methods – Part 1: General characteristics tests (Thẻ định danh – Phương pháp thử nghiệm – Phần 1: Đặc tính chung);

ISO/IEC 10373-2, Identification cards – Test methods – Part 2: Cards with magnetic stripes (Thẻ định danh – Phương pháp thử nghiệm – Phần 2: Thẻ có sọc từ).

4  Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) và dưới đây.

4.1

Tiêu chuẩn chính (primary standard)

Tập các thẻ tham chiếu được thiết lập bởi Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) và được duy trì bởi ban thư kí PTB, Q-Card và WG1 để thể hiện các giá trị của U_R và I_R được chỉ rõ RM7811-x26.

4.2

Tiêu chuẩn phụ (secondary standard)

Thẻ tham chiếu được chỉ rõ RM7811-6 liên quan đến tiêu chuẩn chính như đã nêu trong giấy chứng nhận hiệu chuẩn cung cấp cho từng thẻ.

CHÚ THÍCH: Các tiêu chuẩn phụ có thể được đặt hàng từ Q-Card, 301 Reagan Street, Sunbury, PA 17801, USA. Nguồn tiêu chuẩn phụ được duy trì ít nhất đến năm 2018.

4.3

Thẻ không mã chưa sử dụng (unused un-encoded card)

Thẻ gồm tất cả các cấu kiện cần thiết cho mục đích sử dụng, không bị lệ thuộc vào bất kì thao tác cá nhân hay thử nghiệm nào và được lưu giữ trong môi trường sạch không quá 48 giờ phơi dưới ánh sáng ban ngày ở nhiệt độ từ 5°C đến 30°C và độ ẩm từ 10% đến 90%, không qua sốc nhiệt.

4.4

Thẻ mã chưa sử dụng (unused encoded card)

Thẻ theo 4.3 chỉ được mã hóa mọi dữ liệu được yêu cầu cho mục đích sử dụng (ví dụ mã hóa từ, dập nổi, mã hóa điện tử).

4.5

Thẻ trả lại (returned card)

Thẻ theo 4.4 sau khi được cấp cho chủ thẻ và được trả lại để thử nghiệm.

4.6

Chuyển tiếp dòng (flux transition)

Vị trí mà tại đó tốc độ thay đổi lớn nhất về khoảng cách của việc từ hóa.

4.7

Dòng điện chuẩn (reference current)

I_R

Biên độ dòng điện được ghi nhỏ nhất dưới các điều kiện thử nghiệm đã cho, trên thẻ tham chiếu, là biên độ tín hiệu đọc ngược bằng 80% biên độ tín hiệu chuẩn, U_R, với mật độ bằng 8 chuyển tiếp dòng/mm (200 chuyển tiếp dòng/inch) như chỉ ra trong Hình 6.

4.8

Mức dòng chuẩn (reference flux level)

F_R

Mức dòng trong đầu thử tương ứng với dòng điện chuẩn I_R.

4.9

Dòng điện ghi thử nghiệm (test recording currents)

Có hai dòng điện ghi được xác định bởi:

– I_min = dòng điện ghi tương ứng với 2,8 F_R

– I_max = dòng điện ghi tương ứng với 3,5 F_R

4.10

Biên độ tín hiệu riêng (individual signal amplitude)

U_i

Biên độ cơ sở-đến-đỉnh của một tín hiệu điện áp đọc ngược đơn.

4.11

Biên độ tín hiệu trung bình (average signal amplitude)

U_A

Tổng giá trị tuyệt đối biên độ của từng đỉnh tín hiệu (U_i) chia cho số đỉnh tín hiệu (n) đối với một rãnh cho trước trên chiều dài của vùng sọc từ.

4.12

Biên độ tín hiệu chuẩn (reference signal amplitude)

U_R

Giá trị biên độ tín hiệu trung bình lớn nhất của một thẻ tham chiếu được hiệu chỉnh đối với tiêu chuẩn chính.

4.13

Mật độ ghi vật lý (physical recording density)

Số các chuyển tiếp dòng trên mỗi chiều dài đơn vị được ghi trên một rãnh.

4.14

Mật độ bit (bit density)

Số các bit dữ liệu được lưu trữ trên mỗi đơn vị chiều dài (bits/mm hoặc bpi)

4.15

Ô bit (bit cell)

Khoảng cách đối với một bit dữ liệu trên danh định đối ứng với mật độ bit (xem Hình 8).

4.16

Ô bit trung bình (average bit cell)

B_a

Tích của chiều dài ô bit và tổng các khoảng cách thực tế của tất cả các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng trên một rãnh chia cho tổng các khoảng cách danh định của tất cả các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng trên rãnh đó.

4.17

Ô bit trung bình cục bộ (local average bit cell)

B_a6

Chuẩn so sánh cho một khoảng thời gian chuyển tiếp dòng đã cho bằng khoảng cách danh định L1 nhân với tổng các khoảng cách thực tế của 6 khoảng thời gian chuyển tiếp dòng trước đó chia cho tổng các khoảng cách danh định của 6 khoảng thời gian chuyển tiếp dòng trước đó:

L1 x (∑ thực tế)/(∑ danh định).

4.18

Dòng điện khử từ (demagnetization current)

I_d

Giá trị dòng điện một chiều để giảm biên độ tín hiệu trung bình xuống 80 % biên độ tín hiệu tham chiếu (U_R) trên một thẻ tham chiếu phụ được mã hóa với mật độ là 40 ft/mm (1016 ftpi) tại dòng điện I_min.

4.19

L₁

Khoảng cách ngắn giữa các chuyển tiếp dòng liền kề về danh định bằng 1 lần ô bit.

4.20

L₂

Khoảng cách trung bình giữa các chuyển tiếp dòng liền kề về danh định bằng 1,5 lần ô bit.

4.21

L₃

Khoảng cách dài giữa các chuyển tiếp dòng liền kề về danh định bằng 2 lần ô bit.

4.22

FSC

Ký tự đồng bộ khung.

4.23

CRC

Kiểm tra dư thừa vòng.

4.24

CP

Cột chẵn lẻ.

4.25

U_F

Độ lớn của phần tử riêng tại 20 chuyển tiếp dòng trên mỗi mm tần số trải phổ Fourier đối với rãnh cho trước trên chiều dài vùng sọc từ.

5  Đặc tính vật lý của thẻ định danh

Thẻ định danh phải phù hợp với đặc tả trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810).

CẢNH BÁO – Việc lưu tâm của bên phát hành thẻ dẫn đến thực tế là thông tin chứa trên sọc từ có thể bị vô hiệu thông qua sự nhiễm bẩn do tiếp xúc với bụi bẩn các hóa chất thường sử dụng gồm các chất làm dẻo. Nên chú ý là bất kỳ việc in hoặc kiểm tra trên đỉnh sọc từ không được làm hằn vết chức năng của sọc từ đó.

5.1  Độ vênh vùng sọc từ

Đặt một tải 2,2 N (0.5 lbf) phân bố đều trên mặt trước đối diện với sọc từ phải bao gồm toàn bộ sọc từ trong 0,08 mm (0.003 in) của tấm cứng.

5.2  Biến dạng bề mặt

Không được có biến dạng bề mặt, không cân hay các vùng nổi trên cả mặt trước và sau của thẻ trong vùng được chỉ ra trong Hình 1 có thể làm cản trở tiếp xúc giữa đầu từ và sọc từ.

Kích thước theo mi-li-mét (in-sơ)

Hình 1 – Vùng biến dạng tùy ý trên thẻ có sọc từ

Nếu vùng ô chữ ký nổi được đặt ở mặt trước hoặc mặt sau của thẻ, thì vùng này không được gần với mép trên của thẻ dưới 19,05 mm (0.750 in).

CHÚ THÍCH: Các vùng nổi và biến dạng trên các vùng khác của thẻ có thể gây ra những vấn đề truyền tải thẻ với thiết bị xử lý sọc từ gây ra các lỗi ghi hoặc đọc.

6  Đặc tính vật lý của sọc từ

6.1  Chiều cao và đường dốc bề mặt vùng sọc từ

Vùng sọc từ được đặt ở sau thẻ giống như Hình 2.

Hình 2 – Vị trí của vật liệu từ cho thẻ kiểu ID-1

6.1.1  Đường dốc bề mặt của vùng sọc từ

Độ lệch theo chiều dọc (a) lớn nhất của đường dốc bề mặt ngang của vùng sọc từ được chỉ ra dưới đây. Xem Hình 3, 4 và 5. Độ dốc của đường cong đường dốc bề mặt trong giới hạn:

-4a/W < độ dốc (slope) < 4a/W

Khi giá trị về tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) của thẻ là 20 mm hoặc lớn hơn thì giới hạn đường dốc bề mặt là:

Chiều rộng sọc từ nhỏ nhất	Theo Hình 3A	Theo Hình 3B
W = 6,35 mm (0,25 in)	a ≤ 9,5 mm (375 min)	a ≤ 5,8 mm (225 min)
W = 10,28 mm (0.405 in)	a ≤ 15,4 mm (607 min)	a ≤ 9,3 mm (365 min)

Khi giá trị về tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) của thẻ nhỏ hơn 20 mm thì giới hạn đường dốc bề mặt là:

Chiều rộng sọc từ nhỏ nhất	Theo Hình 3A	Theo Hình 3B
W = 6,35 mm (0,25 in)	a ≤ 7,3 mm (288 min)	a ≤ 4,5 mm (175 min)
W = 10,28 mm (0.405 in)	a ≤ 11,7 mm (466 min)	a ≤ 7,3 mm (284 min)

Hình 3 – Đường dốc bề mặt

Hình 4 – Ví dụ đường dốc bề mặt

Các đường dốc không cân trên hình có thể dẫn đến mã hóa chất lượng kém

Hình 5 – Ví dụ đường dốc bề mặt không cân

6.1.2  Chiều cao vùng sọc từ

Độ lệch theo chiều dọc (h) của vùng sọc từ liên quan đến bề mặt tiếp giáp của thẻ là:

-0,005 mm (- 200 min) ≤ □ h ≤ □ 0,038 mm (1500 min)

Phần nhọn trong đường dốc do vật liệu “phun ra” khi in dấu nóng lên không phải là một phần của sọc từ. Không được mở rộng bên trên vùng sọc từ có chiều cao (h) như đã qui định ở trên.

6.2  Tính thô ráp bề mặt

Độ thô ráp bề mặt trung bình (R_a) của vùng sọc từ không vượt quá 0,40 mm (15.9 min) theo cả chiều dọc và ngang khi được đo theo ISO 4287.

6.3  Tính bám dính của sọc từ với thẻ

Các sọc từ không được tách rời khỏi thẻ khi sử dụng bình thường.

6.4  Tính mài mòn sọc từ khi cắm/rút khỏi đầu đọc/ghi

Biên độ tín hiệu trung bình (U_A) và biên độ tín hiệu riêng (U_i) được đo trước và sau 2000 chu kỳ mài mòn và kết quả:

U_A sau ≥ 0,60 U_A trước         và        U_i sau ≥ 0,80 U_A sau

6.5  Tính kháng hóa chất

Biên độ tín hiệu trung bình (U_A) và biên độ tín hiệu riêng (U_i) được đo trước và sau khi tiếp xúc với điều kiện môi trường trong thời gian ngắn như qui định trong ISO/IEC 10373-1 và kết quả:

U_A sau ≥ 0,90 U_A trước         và        U_i sau ≥ 0,90 U_A sau

Biên độ tín hiệu trung bình (U_A) và biên độ tín hiệu riêng (U_i) được đo trước và sau khi tiếp xúc với điều kiện môi trường trong thời gian dài (24 giờ) với mồ hôi nhân tạo có a-xít và kiềm, như xác định trong ISO/IEC 10373-1.

U_A sau ≥ 0,90 U_A trước         và        U_i sau ≥ 0,90 U_A sau

7  Đặc tính hiệu năng đối với vật liệu từ

Mục đích của Điều này là đảm bảo khả năng đổi lẫn từ giữa thẻ và các hệ thống xử lý. Không qui định kháng từ của các phương tiện truyền thông. Tiêu chí hiệu năng của các phương tiện truyền thông không phụ thuộc kháng từ được qui định trong 7.3.

7.1  Yêu cầu chung

Phương pháp này sử dụng một thẻ tham chiếu mà vật liệu có thể được truy nguyên đối với các tiêu chuẩn chính (Xem Điều 4). Tất cả các biên độ tín hiệu từ việc sử dụng thẻ tham chiếu phụ phải được hiệu chỉnh bởi các yếu tố được hỗ trợ cùng thẻ tham chiếu phụ đó.

7.2  Môi trường hoạt động và thử nghiệm

Môi trường thử nghiệm để đo biên độ tín hiệu là nhiệt độ 23°C ± 3°C (73°F ± 5°F) và độ ẩm tương đối từ 40% đến 60%. Mặt khác khi thử nghiệm trong cùng các điều kiện giống nhau, biên độ tín hiệu trung bình đo được tại 8ft/mm (200 ftpi) không được lệch trên 15% so với giá trị của nó trong môi trường thử nghiệm sau 5 min tiếp xúc với điều kiện môi trường trong môi trường hoạt động sau:

Nhiệt độ                  -35°C đến 50°C (-31°F đến 122°F)

Độ ẩm tương đối    5% đến 95%

7.3  Yêu cầu biên độ tín hiệu cho các phương tiện truyền thông từ tính

Yêu cầu đối với các đặc tính ghi của thẻ được chỉ ra trong Bảng 1 và Hình 6. Các yêu cầu hiệu năng của phương tiện truyền thông được qui định trong 7.3 phải phù hợp để đạt được việc cản trở cải thiện để xóa bỏ và cho phép sự trao đổi từ giữa thẻ và các hệ thống xử lý. Các thuộc tính trong Phụ lục C là hướng dẫn cho các vật liệu từ. Phụ lục C là tham khảo và không phải sử dụng như các tiêu chí hiệu năng cho thẻ.

Bảng 1 – Yêu cầu biên độ tín hiệu cho các thẻ không mã chưa sử dụng

Mô tả	Mật độ ft/mm (ftpi)	Dòng ghi thử nghiệm	Kết quả biên độ tín hiệu	Yêu cầu
Biên độ tín hiệu	20 (508)	Imin	UA1	0,8 UR ≤ UA1 ≤ 1,2 UR
Biên độ tín hiệu	20 (508)	Imin	Ui1	Ui1 ≤ 1,26 UR
Biên độ tín hiệu	20 (508)	Imax	UA2	UA2 ≥ 0,8 UR
Biên độ tín hiệu	40 (1016)	Imax	Ui2	Ui2 ≥ 0,65 UR
Độ phân giải	40 (1016)	Imax	UA3	UA3 ≥ 0,8 UA2
Xóa bỏ	0	Imin, DC	UA4	UA4 ≤ 0,03 UR
Xung bổ trợ	0	Imin, DC	Ui4	Ui4 ≤ 0,05 UR
Khử từ	0	Id, DC	UA5	UA5 ≥ 0,64 UR
Khử từ	0	Id, DC	Ui5	Ui5 ≥ 0,54 UR
Ghi đè	20 (508) 40 (1016)	Imax Imin	UF6 UF7	UF7 ≤ 0,03 UF6
Độ dốc của đường cong bão hòa không bao giờ dương giữa Imin và Imax Không được phép kết hợp toán học các yêu cầu ở trên.

CHÚ THÍCH 1: Mật độ 20 ftpmm chuyển lên 508 ftpi trong tiêu chuẩn này và lên 500 ftpi trong TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). Hai tiêu chuẩn này không khác nhau về nguyên tắc. Để đảm bảo khả năng tương thích với mật độ ghi cao hơn các chuyển đổi chính xác được sử dụng trong tiêu chuẩn này.

CHÚ THÍCH 2: Quan sát cho thấy độ phân giải thấp được đo trong Bảng 1 có thể tương ứng với biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cao được đo trong Bảng 2.

Hình 6 – Ví dụ đường cong bão hòa chỉ ra vùng dung sai tại 8 ft/mm (200 ftpi)

CHÚ THÍCH: Các đường cong xác định đáp ứng tiêu chuẩn chính (trên thẻ). Các thông số cửa sổ xác định một thẻ có chức năng trong môi trường máy có thể đọc.

Hình 7 – Ví dụ dạng sóng

8  Kỹ thuật mã hóa

Kỹ thuật mã hóa đối với mỗi rãnh phải là phương pháp ghi Điều chế tần số sửa đổi (MFM) theo các điều kiện:

– Chuyển tiếp dòng phải được ghi tại trung tâm mỗi ô bit chứa số 1.

– Chuyển tiếp dòng phải được ghi tại mỗi ranh giới ô nằm giữa các ô bit liền kề chứa các số 0. Xem Hình 8.

Trong đó

t  chỉ các ranh giới ô bit

Hình 8 – Các ví dụ về mã hóa MFM

Dữ liệu phải được ghi như một chuỗi đồng bộ các ký tự không có khoảng trống xen vào.

CHÚ THÍCH 1: Việc ghi với một dòng viết ít hơn I_min có thể cho Kết quả ghi với chất lượng kém.

CHÚ THÍCH 2: MFM giồng kỹ thuật FM được mô tả trong TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) ngoại trừ các chuyển tiếp dòng đồng bộ các bit 1 bị gỡ bỏ. Điều này dẫn đến việc mất đi một số tính năng tự đồng bộ với việc mã hóa FM và đòi hỏi độ chính xác hơn đối với các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng. Với Kỹ thuật này có thể không có chuyển tiếp dòng tại ranh giới ô bit.

9  Đặc tả mã hóa

9.1  Góc ghi

Góc ghi thông thường đối với cạnh gần nhất của thẻ song song với sọc từ có dung sai ± 20 min. Góc ghi (a) được xác định bằng việc đo góc của khe trống đầu ghi khi các biên độ đọc lớn nhất (xem Hình 9).

Hình 9 – Góc ghi

9.2  Mật độ bit danh định

Mật độ bit danh định cho mỗi rãnh phải là 40 bits/mm (1016 bpi).

9.3  Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng

Các biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cho tất cả các rãnh được đưa ra trong Bảng 2.

Bảng 2 – Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng

Số hạng	Mô tả	Yêu cầu	Biến đổi
Ba	Ô bit trung bình	23 µm (906 µin) ≤ Ba ≤ 25,3 µm (994 µin)	-8 % đến +1 %
Ba6	Ô bit trung bình cục bộ	0,92 Ba ≤ Ba6 ≤ 1,08 Ba	±8 % của Ba
L1	Khoảng thời gian ngắn	0,80 Ba6 ≤ L1 ≤ 1,20 Ba6	±20 % của Ba6
L2	Khoảng thời gian trung bình	1,30 Ba6 ≤ L2 ≤ 1,70 Ba6	±13,3% của 1,5 Ba6
L3	Khoảng thời gian dài	1,80 Ba6 ≤ L3 ≤ 2,25 Ba6	±10 % của 2Ba6

CHÚ THÍCH: Quan sát cho thấy độ phân giải thấp được đo trong Bảng 1 có thể tương ứng với biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cao được đo trong Bảng 2.

9.4  Yêu cầu biên độ tín hiệu

Yêu cầu cho biên độ tín hiệu trên tất cả các rãnh như sau:

– Thẻ mã chưa sử dụng: 0,64 U_R ≤ U_i ≤ 1,36 U_R

– Thẻ trả lại: 0,52 U_R ≤ U_i ≤ 1,36 U_R

CHÚ THÍCH: Các yêu cầu trên qui định các giới hạn biên độ tín hiệu trao đổi cho mỗi vị trí rãnh mã hoá tại các mật độ bit được qui định. Các yêu cầu biên độ tín hiệu qui định trong Bảng 1 thể hiện giới hạn phương tiện truyền thông từ trường tại tần số ghi qui định và các dòng điện thử nghiệm ghi được qui định.

9.5  Cấu hình bit

Dữ liệu phải được ghi với bit ít nghĩa nhất (2⁰) đầu tiên.

9.6  Hướng ghi

Việc mã hóa phải bắt đầu từ phía bên phải nhìn từ phía sọc từ trên cùng.

9.7  Các số 0 ở đầu và đuôi

Đầu vào đến FSC đầu tiên phải được ghi với các số 1 và khoảng trống sau FSC cuối cùng cũng phải được ghi với các số 1. Các số 1 cách mép thẻ 3,30 mm (0.130 in) và không cần đáp ứng các đặc tả qui định ở đây.

10  Cấu trúc dữ liệu

Dữ liệu người dùng viết trên thẻ được phân chia giữa các rãnh sử dụng. Mỗi rãnh sử dụng phải có chiều dài cố định tùy thuộc vào kiểu thẻ sử dụng, đòi hỏi dữ liệu người dùng được đệm bằng các byte nhị phân 0 nếu không điền đầy vào các khoảng trống có sẵn trên (các) rãnh sử dụng. Cấu trúc dữ liệu trên mỗi rãnh là độc lập với các rãnh khác. Quá trình chung để lập cấu trúc dữ liệu được chỉ ra ở Bảng 3, xem hình 11.

Bảng 3 – Các bước quá trình lập cấu trúc dữ liệu

Bước	Quá trình
1	Xác định số rãnh cần thiết dựa trên dung lượng dữ liệu cho thẻ sử dụng
2	Phân chia dữ liệu thành dữ liệu cho mỗi rãnh và đệm cuối của dữ liệu thẻ với các byte 0 nếu cần, vì vậy, tất cả các khung trên mỗi rãnh sử dụng được lấp đầy. Việc đệm có thể hoàn thành trước hoặc sau khi chia thành các rãnh. Đạt được sửa lỗi nhiều hơn nếu dữ liệu được chia đều vào các rãnh sử dụng và sau đó mỗi rãnh được đệm thêm.
3	Tạo CRC cho dữ liệu rãnh và nối thêm vào cuối dữ liệu rãnh.
4	Phân chia dữ liệu rãnh vào các khung.
5	Tạo cột chẵn lẻ reed-solomon.
6	Thêm số ID khung.
7	Tạo CRC cho từng rãnh.
8	Sắp xếp để ghi lên thẻ: thêm các chuyển tiếp đồng bộ đầu tiên/cuối cùng, chuyển đổi ID khung từ chuỗi 8 bit thành 5 bit và thêm vào FSC.

CHÚ THÍCH: Không có bộ ký tự mã hóa qui định theo tiêu chuẩn này. Hầu hết, việc sử dụng cho các định dạng mật độ cao là các ứng dụng không dành cho văn bản.

10.1  Định dạng rãnh

10.1.1  Sắp đặt rãnh

Mỗi rãnh phải chứa những chuyển tiếp đồng bộ đầu tiên, một FSC, các khung dữ liệu phân bởi một FSC, một FSC và các chuyển tiếp đồng bộ cuối cùng như sau.

10.1.2  FSC

FSC sử dụng để xác định hướng và định danh mép khung dữ liệu. FSC phải xuất hiện trước và sau mỗi khung dữ liệu nhưng chỉ một FSC xuất hiện giữa các khung dữ liệu liền kề. FSC được thể hiện như trong Hình 10.

Hình 10 – Biểu thị FSC

CHÚ THÍCH: FSC chiếm 7,5 bit và một chuỗi các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng nơi các mép như các bit 1 (chuyển tiếp giữa ranh giới bit). Không phải một chuỗi các bit 1 và 0 do mẫu các khoảng thời gian chuyển tiếp dòng là duy nhất và không bao giờ xảy ra với các qui tắc mã hóa MFM. Do đó, FSC được tìm thấy ngay cả khi mất đồng bộ hóa ký tự trong khung dữ liệu và bắt đầu đồng bộ hóa với khung dữ liệu tiếp theo.

10.1.3  Khung dữ liệu

Các khung dữ liệu phải chứa một số hiệu khung, dữ liệu và một ký tự CRC của khung. Số các khung trên mỗi rãnh phải là 18.

10.1.3.1  Định danh khung

Mỗi khung dữ liệu phải được định danh với 5 bit ký tự thể hiện một số. Các khung phải được đánh số liên tiếp bắt đầu với 1 cho khung gần điểm bắt đầu mã hóa nhất và kết thúc với 18 cho khung gần điểm kết thúc mã hóa nhất. Khi thực hiện các hoạt động dữ liệu trước khi ghi trên thẻ hoặc trong khi xử lý mã hóa sau khi đọc, định danh khung phải thể hiện bằng một chuỗi 8 bit.

10.1.3.2  Dữ liệu

Dữ liệu phải biểu thị bằng các byte 8 bit và phải là dữ liệu người dùng, cột chẵn lẻ, hoặc rãnh thông tin CRC. Dung lượng và số byte trên mỗi khung phụ thuộc vào cỡ thẻ và phải được chỉ ra trong Bảng 4 Đối với mỗi cỡ thẻ tất cả số liệu được cố định (không có chiều dài biến thiên).

Bảng 4 – Dung lượng rãnh

Kiểu thẻ	ID-1	ID-2	ID-3
Dung lượng khung dữ liệu (byte trên mỗi khung)	17	22	28
Cỡ khung (bit trên mỗi khung)	156,5	196,5	244,5
Dung lượng rãnh dữ liệu (byte trên mỗi rãnh)	306	396	504
Cỡ rãnh (bit trên mỗi rãnh)	2824,5	3544,5	4408,5
Cột chẵn lẻ (byte)	68	88	112
Rãnh CRC (byte)	4	4	4
Dung lượng người dùng dữ liệu (byte)	234	304	388

CHÚ THÍCH: Dung lượng người dùng dữ liệu được chỉ ra trong Bảng trên số lượng sửa lỗi đã sử dụng. Cỡ khung bằng FSC + ID khung + (byte trên mỗi khung * 8) + CRC. Cỡ rãnh bằng (bit trên mỗi khung * 18) + FSC.

10.1.3.3  Khung ký tự CRC

Mỗi khung phải gồm 1 ký tự CRC 8 bit.

10.2  Mã hóa việc phát hiện và sửa lỗi

Rãnh dữ liệu phải được đặt trong khung như Hình 11 khi N bằng 2 cộng với số byte trên mỗi rãnh như qui định trong Bảng 4. Khi đọc thẻ, byte 1 của khung 1 là gần nhất với chỗ bắt đầu mã hóa và byte N cung khung 18 gần nhất với kết thúc mã hóa (trái sang phải, trên xuống dưới).

Byte
1	2	3	4		N-5	N-4	N-3	N-2	N-1	N
ID của khung	Vùng dữ liệu									CRC
1	CP	CP	CP		CP	CP	CP	CP	CP	CRC1
2	CP	CP	CP		CP	CP	CP	CP	CP	CRC2
3	CP	CP	CP		CP	CP	CP	CP	CP	CRC3
4	CP	CP	CP		CP	CP	CP	CP	CP	CRC4
5	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC5
6	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC6
7	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC7
8	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC8
9	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC9
10	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC10
11	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC11
12	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC12
13	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC13
14	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC14
15	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC15
16	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC16
17	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC17
18	Data	Data	Data		Data	Data	Data	Data	Data	CRC18

Hình 11 – Cấu trúc rãnh dữ liệu

CHÚ THÍCH: Khung ký lự CRC được dung để phát hiện lỗi và cột chẵn lẻ được dung để sửa lỗi.

10.2.1  Rãnh CRC

Rãnh phải chứa một CRC gồm 4 byte 8 bit được tạo ra như sau và thêm vào cuối rãnh dữ liệu. Giới hạn thứ tự cao nhất cho rãnh CRC phải là (N-4) byte khung 18.

CRC = [x⁴M(x)] mod g(x) over GF(2⁸)

Trong đó:

M(x) = tất cả dữ liệu người dùng cho rãnh dưới dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng). Giới hạn thứ tự cao nhất là 2 byte khung 5 và giới hạn thứ tự thấp nhất là N-5 byte khung 18. Xem Hình 11.

g(x) = (x-α)(x-α²)(x-α³)(x-α⁴) = bộ tạo đa thức cho rãnh CRC

GF(2⁸) = một trường Galois hữu hạn của 256 ký tự 8 bit nhị phân được tạo bởi một đa thức nguyên thủy

p(x) = 1 + x² + x³ + x⁴ + x⁸

xⁱ = bit tại vị trí i

CHÚ THÍCH 1: Rãnh CRC cho phép phát hiện lên tới 4 lỗi với xác xuất là 1. Trên 4 lỗi xác xuất phát hiện bằng 1-1/(256)4.

CHÚ THÍCH 2: Rãnh CRC là phần còn lại của x4M(x) chia cho g(x) bằng cách sử dụng các hoạt động modulo. Đối với dữ liệu có hơn 251 byte, CRC là Kỹ thuật không phải là một kiểm định chu kì, nó là kiểm định dự phòng đơn giản mặc dù nó được tạo ra theo cùng cách tương tự.

CHÚ THÍCH 3: Các bảng đã công bố chỉ ra việc biểu thị bit cho số mũ tương ứng α cho số mũ GF của alpha tương ứng với số alpha lên đến giới hạn để số mũ là mẫu bit duy nhất (chuỗi 8 bit nhị phân). Mỗi byte dữ liệu người dùng cần được chuyển từ 8 bit nhị phân thành số mũ tương ứng α trước khi thực hiện hoạt động modulo. Giới hạn x được sử dụng để giải mã vị trí của bit trong chuỗi ví dụ như, x2 trong rãnh dữ liệu phải là byte thứ tự thấp thứ 3.

10.2.2  Cột chẵn lẻ

Cột chẵn lẻ phải tạo ra cho mỗi cột byte thông tin trên tất cả các khung dữ liệu người dung trên rãnh sử dụng một mã Reed-Solomon ngắn RS(255-237,251-237), còn được gọi là RS(18,14). Giới hạn thứ tự cao nhất cho rãnh CP phải trong khung 4 và giới hạn thứ tự thấp nhất phải trong khung 1.

CP = [x⁴M(x)] mod g(x) trên GF(2⁸)

Trong đó:

M(x) = dữ liệu người dùng cho một cột từ khung 5 đến khung 18 dưới dạng đa thức (chiều dài cố định tại 14). Giới hạn thứ tự cao nhất ở khung 18 giới hạn thứ tự thấp nhất ở khung 5. Xem Hình 11.

g(x) = (x-α)(x-α²)(x-α³)(x-α⁴) = bộ tạo đa thức cho Reed-Solomon CP

GF(2⁸) = một trường Galois hữu hạn của 256 ký tự 8 bit nhị phân được tạo bởi một đa thức nguyên thủy

p(x) = 1 + x² + x³ + x⁴ + x⁸

xⁱ = bit tại vị trí i

CHÚ THÍCH 1: CP cho phép sửa lên đến 4 “xóa bỏ” với xác xuất là 1. Hơn 4 “xóa bỏ” trên một rãnh không thẻ chỉnh sửa. Thuật ngữ “xóa bỏ” được dùng trong các mã RS và chỉ một vùng không thể đọc được, quá trình giải mã sau đó xử lý các thành tố như “đã xóa” hoặc không có ở đó.

CHÚ THÍCH 2: CP là phần còn lại của x4M(x) chia cho g(x) bằng cách sử dụng các hoạt động modulo. Thuật ngữ “co ngắn” trước Reed-Solomon có nghĩa có các giới hạn thứ tự cao nhất với giá trị là 0 (237 trong trường hợp này) mà không cần quan tâm đến các hoạt động modulo.

CHÚ THÍCH 3: Mã này cho kết quả trong 100 % * 4/18 = 22.2 % sửa lỗi ở trên.

10.2.3  Khung CRC

Khung chứa một CRC gồm một byte 8 bit tạo ra như sau và thêm vào cuối khung dữ liệu.

CRC = [xM(x)] mod g(x) over GF(2⁸)

Trong đó:

M(x) = tất cả dữ liệu người dùng cho khung và số ID khung từ 1 byte đến N-1 byte dưới dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng). Giới hạn thứ tự cao nhất ở 1 byte và giới hạn thứ tự thấp nhất ở N-1 byte. Xem Hình 11.

Tất cả dữ liệu người dùng cho rãnh dưới dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng). Giới hạn thứ tự cao nhất là 2 byte khung 5 và giới hạn thứ tự thấp nhất là N-5 byte khung 18. Xem Hình 11.

g(x)  = (x-α) = bộ tạo đa thức cho khung CRC

GF(2⁸) = một trường Galois hữu hạn của 256 ký tự 8 bit nhị phân được tạo bởi một đa thức nguyên thủy

p(x) = 1 + x² + x³ + x⁴ + x⁸

xⁱ = bit tại vị trí i

CHÚ THÍCH 1: Khung CRC cho phép phát hiện lên đến 1 lỗi với xác xuất là 1. Hơn 1 lỗi xác xuất của phát hiện lỗi bằng 1-1/256.

CHÚ THÍCH 2: CRC là phần còn lại của xM(x) chia cho g(x) bằng cách sử dụng các hoạt động modulo.

CHÚ THÍCH 3: Số khung ID là một byte 8 bit cho tất cả các tính toán nhưng được viết trên thẻ như một dãy liên tục 6 bit.

11  Giải mã

Các bước chung cho phép giải mã dữ liệu cho từng rãnh sau khi đọc được chỉ ra trong Bảng 5. Việc thực hiện cụ thể dành cho người dùng.

Bảng 5 – Quá trình giải mã hóa

Bước	Quá trình
1	Đọc dữ liệu rãnh từ thẻ.
2	Mở rộng ID khung cỡ 8 bit.
3	Tạo cấu trúc dữ liệu như Hình 11.
4	Kiểm định rãnh CRC [kết quả của [x4M(x) + CRC) mod g(x) over GF(28)], (kết quả 0 = không lỗi)
	Nếu một rãnh CRC có lỗi xuất hiện, bắt đầu sửa lỗi.
5	Kiểm định CRC ở mỗi khung. Các lỗi khung chỉ ra một vị trí lỗi cho tất cả các cột tại vị trí byte đó.
6	Nếu số lượng các lỗi khung vượt quá khả năng bộ giải mã, gửi một lỗi truyền thông (Media Error) và thoát khỏi. Nếu không, tiếp tục các bước tiếp theo.
7	Điền vào các khung tại các vị trí được chỉ định bằng các lỗi khung CRC với hệ thập lục phân số 0 (00) byte (xóa bỏ dữ liệu được giả định).
8	Cột chẵn lẻ sau đó được sử dụng cùng với các vị trí lỗi khung CRC để tái tạo lại các giá trị byte dữ liệu [Reed-Solomon mã RS (18,14) được sử dụng]. Các giá trị byte này được chèn tại các vị trí cột được chỉ định bằng các lỗi khung tương ứng.
9	Kiểm định rãnh CRC [kết quả của (x4M(x) + CRC) mod g(x) over GF(28) phải là tất cả 0 byte cho không lỗi]
10	Xử lý dữ liệu đã sửa chữa cho đầu ra.
11	Xử lý tất cả các rãnh theo cách thức tương tự nhau.

CHÚ THÍCH: Quá trình giải mã đơn giản nhất giả định “xóa bỏ dữ liệu”, tuy nhiên các quá trình mở rộng khác có khả năng xảy ra. Nhiều tham chiếu có sẵn mô tả việc thực hiện giải mã cụ thể. Xem Phụ lục D

12  Vị trí các rãnh mã hóa

Mỗi rãnh mã hóa phải nằm giữa hai dòng như trong Hình 12. Sự bắt đầu mã hóa được đặt tại đường chính giữa của chuyển tiếp đầu tiên của FSC đầu tiên. Sự kết thúc mã hóa được đặt tại đường chính giữa của chuyển tiếp cuối cùng của FSC cuối cùng.

Rãnh	Kích thước
Rãnh H1	a b	5,75 (0,226) 6,75 (0,266)	lớn nhất nhỏ nhất
Rãnh H2	a b	7,45 (0,293) 8,45 (0,333)	lớn nhất nhỏ nhất
Rãnh H3	a b	9,15 (0,360) 10,15 (0,400)	lớn nhất nhỏ nhất
Rãnh H4	a b	10,85 (0,427) 11,85 (0,467)	lớn nhất nhỏ nhất
Rãnh H5	a b	12,55 (0,494) 13,55 (0,534)	lớn nhất nhỏ nhất
Rãnh H6	a b	14,25 (0,561) 15,25 (0,601)	lớn nhất nhỏ nhất

Hình 12 – Vị trí các rãnh mã hóa

 

Phụ lục A

(tham khảo)

Khả năng tương tích về đọc của sọc từ ((TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) và tiêu chuẩn này)

Mục đích của phụ lục này là giải thích cho người sử dụng những hạn chế của thuật ngữ “khả năng tương tích đọc” như đã đề cập trong phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn và được áp dụng cho cho TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) và tiêu chuẩn này.

Các rãnh mật độ cao qui định trong tiêu chuẩn này được sắp xếp như một đầu đọc được thiết kế để đọc các rãnh cũng có thể đọc các rãnh thông thường qui định trong TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6). Điều này cho phép kết hợp các rãnh thông thường và các rãnh mật độ cao trên cùng một sọc từ, ví dụ các rãnh thông thường 1 và 2 với các rãnh mật độ cao H5 và H6. Không thể đổi lẫn đầu ghi theo cách như đối với đầu đọc.

Mật độ tăng cường qui định trong tiêu chuẩn này phải dẫn đến biên độ tín hiệu thấp hơn so với trong TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6): xấp xỉ 40 % $ phụ thuộc vào thử nghiệm PTB. Tỉ lệ chính xác giữa hai giá trị biên độ tín hiệu phụ thuộc vào kiểu sọc từ sử dụng.

Dưới đây là tổng quan về các khác biệt chính giữa tiêu chuẩn này và TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6).

a) Mật độ bit tăng từ 8,27 bits/mm (Rãnh 1,3) và 2,95 bits/mm (Rãnh 2) lên 40 bits/mm cho tất cả các rãnh cho kết quả trong 234 byte của dữ liệu người dùng trên mỗi rãnh của thẻ kích cỡ ID-1.

b) Kỹ thuật mã hóa là MFM được sử dụng thay cho kỹ thuật F2F. Điều này tăng gấp đôi mật độ lưu giữ dữ liệu đối với cùng cách khoảng chuyển tiếp nhỏ nhất cùng chỉ với việc giảm một chút khả năng tự đồng bộ.

c) 3 rãnh được thay bằng 6 rãnh với xấp xỉ bằng một nửa chiều rộng chiếm dụng cùng khoảng trống trên thẻ. Các rãnh này được đặt sao cho đầu đọc được thiết kế để đọc các rãnh mật độ cao cũng có thể đọc các thẻ phù hợp với TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6).

d) Dữ liệu được phân phối trong các khung với các ký tự đồng bộ hóa để hỗ trợ khôi phục lỗi và có một CRC cho từng khung và một rãnh CRC. Dữ liệu được ghi trên mỗi rãnh phụ thuộc vào các rãnh khác (phát hiện lỗi và chỉnh sửa ở mỗi rãnh trên cùng một rãnh), thậm chí có thể chỉ là một phần thông điệp trên thẻ.

e) Phát hiện lỗi và chỉnh sửa lỗi gồm việc sử dụng một mã Reed-Solomon rút gọn. Lượng chỉnh sửa lỗi là cố định cho tất cả các kích cỡ thẻ.

f) Vùng sọc từ được mở rộng hoàn toàn sang mép trái và phải của thẻ.

g) Trong Bảng 1, giá trị mật độ thử nghiệm được thay đổi, yêu cầu độ phân giải thay đổi từ 0,7 đến 0,8, thử nghiệm dạng sóng được xóa bỏ việc ghi đè được thêm vào các yêu cầu.

h) Kháng từ lớn nhất trong Bảng D.1 của Phụ lục tham khảo C được thay đổi từ 335 k A/m (4200 Oe) đến 250 k A/m (3125 Oe).

 

Phụ lục B

(tham khảo)

Mài mòn sọc từ

Mục đích của phụ lục này là để giải thích nguyên nhân các thuộc tính mài mòn sọc từ khi liên quan đến tuổi thọ của đầu đọc không nằm trong số các đặc tính vật lý được qui định bởi tiêu chuẩn này. Việc không có đặc tả đối với các thuộc tính mài mòn phản ánh sự khó khăn trong việc xác định các thông số về mài mòn vật liệu và việc đưa ra thử nghiệm có thể lặp lại, chính xác để đo đặc tính mài mòn. Mặc dù không có các phương pháp thử nghiệm lặp lại, nhưng vẫn có các công nghệ đã biết có thể kéo đài tuổi thọ của đầu đọc như vật liệu đầu đọc tăng cường, các chất bổ sung hình thành sọc từ, hoặc các lớp phủ trên sọc từ.

Tính mài mòn sọc từ được định lượng là một điều kiện tiên quyết cho mọi cố gắng để dự đoán tuổi thọ của đầu từ. Tuy nhiên, có sự biến đổi đáng kể về bản chất mài mòn của các sọc từ tính khác nhau, có môi trường đọc/ghi sọc từ. Sự đa dạng của việc kết hợp các ảnh hưởng và tính phức tạp của dạng thức ảnh hưởng đến tính mài mòn gây khó khăn trong việc dự đoán tuổi thọ của đầu từ ngay cả khi các điều kiện môi trường, máy móc và sọc từ được qui định.

Việc thử nghiệm tính mài mòn thiết bị cụ thể hiện thời được thực hiện trên cơ sở so sánh thuần túy. Đó là thời gian tiêu thụ và chi phí số lượng thẻ được sử dụng. Các kết quả thử nghiệm như vậy chỉ đơn giản là các xếp hạng phân cấp để chỉ ra một sọc từ bị mài mòn ở mức độ nhiều hay ít hơn những sọc từ khác tùy theo các điều kiện cụ thể của thử nghiệm. Không có các giá trị tuyệt đối chính xác và các xếp hạng phân cấp có thể thay đổi từ một tập hợp các điều kiện khác.

Thực hiện thành công thao tác đọc hoặc ghi trên một sọc từ đòi hỏi sọc từ và đầu từ phải tiếp xúc với toàn bộ thao tác. Chuyển động tương đối giữa đầu từ và sọc từ tạo ra sự chịu mòn của cả hai. Tính mài mòn ban đầu của sọc từ giảm nhanh với số đầu rãnh cán, vì vậy, tính mài mòn của sọc từ mới chưa sử dụng có thể lớn hơn nhiều so với sọc từ ghi một lần, trừ khi số đầu rãnh cần tăng tốc độ thay đổi của việc giảm tính mài mòn.

Những ảnh hưởng tác động đến tính mài mòn sọc từ được biết bao gồm nhiệt độ, độ ẩm, vật liệu đầu từ (và trạng thái chịu mòn và kết thúc), áp lực đầu đọc, tốc độ thẻ, các đặc tính vật lý cụ thể của bề mặt sọc từ tiếp xúc với đầu đọc, tính thô ráp và sự nhiễm bẩn trên sọc từ. Dưới điều kiện bụi bẩn và dầu mỡ từ môi trường, đọng lại trên các giao diện đầu đọc/ sọc từ thường tạo ra những khác biệt lớn giữa khả năng chịu mòn được đo trong điều kiện phòng thí nghiệm và thực tế đạt được.

Do đó, có thể thấy rõ rằng không chỉ có những khó khăn I trong việc đạt được một mức không đảm bảo đo có thể chấp nhận đối với thử nghiệm tính mài mòn mà còn có những nghi ngờ đáng kể về khả năng ứng dụng các kết quả của các thử nghiệm tính mài mòn trên thẻ trong điều kiện phòng thí nghiệm để dự đoán về hiệu năng trong thực tế. Không thể có đặc tả kỹ thuật tiêu chuẩn và thử nghiệm trừ khi những vấn đề này được giải quyết.

 

Phụ lục C

(tham khảo)

Đặc tính từ tĩnh

C.1  Giới thiệu

Phụ lục này đưa ra các định nghĩa và giá trị về đặc tính từ tĩnh của các sọc từ kháng từ cao. Các thông số này hữu ích trong sản xuất vật liệu từ và không trực tiếp liên quan đến các đặc tính hiệu năng từ trong Bảng 1 đối với thẻ. Không đảm bảo rằng các sọc từ có giá trị được đưa ra trong Phụ lục này là phù hợp với các yêu cầu bắt buộc đưa ra trong Bảng 1. Tuy nhiên, các sọc từ không tuân thủ các giá trị từ tĩnh được đề xuất có khả năng không được phù hợp với các đặc tính trong Bảng 1.

C.2  Thuật ngữ và định nghĩa

C.2.1

Trường lớn nhất (maximum field)

H_max

Cường độ từ trường tuyệt đối lớn nhất áp dụng như miêu tả bởi phương pháp thử nghiệm.

C.2.2

Vòng lặp tĩnh M(H) (static M(H) loop)

Vòng lặp trễ thông thường mà cường độ từ trường có chu kỳ giữa –H_max đến +H_max tại tốc độ thay đổi thấp để vòng lặp này không bị ảnh hưởng bởi tốc độ thay đổi đó.

C.2.3

Kháng từ (Coercivity)

H’_cM = H‘_cJ

Từ trường áp dụng liên tục giảm từ tính xuống 0 từ một trạng thái từ tính lớn nhất trước đó theo hướng ngược lại, đại lượng này được đo song song với trục dài của sọc từ.

C.2.4

Cảm ứng từ dư (remanence)

M_r

Giá trị của từ tính (M) theo một hướng đã cho tại từ trường bằng 0 (H=0) sau khi đặt và gỡ bỏ trường lớn nhất (Hmax) theo hướng tương tự.

C.2.5

Kháng từ cảm ứng từ dư (remanence coercivity)

H_r

từ trường áp dụng mà khi gỡ bỏ quay vật liệu trở lại có trạng thái từ tính 0 từ trạng thái từ tính lớn nhất trước đó theo hướng ngược lại, đại lượng này được đo song song với trục dài của sọc từ.

C.2.6

Oxtet (Oersted)

Oe

Đơn vị Gao-xơ cgs của cường độ từ trường sử dụng phổ biến trong công nghiệp ghi từ bằng xấp xỉ 79,578 A/m.

C.2.7

Khử từ tĩnh (static demagnetisation)

S₁₆₀

Giảm từ tính cảm ứng dư từ dưới ảnh hưởng của từ trường đối ngược; đặc trưng bởi [M_r – M⁺(-160)]/M_r.

C.2.8

Vuông góc dọc (longitudinal squareness)

SQ = M_r/M at (H_max)

Tỉ lệ của giá trị cảm ứng dư từ (M_r) sau khi áp dụng và từ bỏ trường mạnh nhất (H_max) đối với từ tính (M) tại trường lớn nhất được áp dụng (H_max) được đo dọc theo trục dọc của sọc từ.

C.2.9

Tỉ lệ cảm ứng dư từ (remanence ratio)

R_M = (M_rP / M_rL)

Tỉ lệ của cảm ứng dư từ vuông góc được đo vuông góc với bề mặt của sọc từ (M_rP) đối với cảm ứng dư từ dọc được đo theo hướng dọc của sọc từ (M_rL).

C.2.10

Trường chuyển đổi bởi độ dốc (switching fìeld by slope)

SF_S

(/H₂/-/H₁/)/ H’_cM khi M(-/H₁/) = 0,5M_r and M(-/H₂/) = -0,5 M_r; sự khác nhau giữa các giá trị trường tại phân đoạn vòng lặp từ tính tĩnh M(H) với M(H) = 0,5 M_r and M(H) = -0,5 M_r, được chia bởi kháng từ.

C.2.11

Trường chuyển đổi bởi đạo hàm (switching field by derivative)

SF_D

Chiều rộng tại một nửa chiều cao của đường cong từ tính tĩnh khác biệt M(H) được chia bởi giá trị kháng từ trên đường cong tương tự

CHÚ THÍCH: Các định nghĩa đặc tính từ tính tĩnh có nguồn gốc từ IEC 50-221 (được thay thế bằng IEC 600050-221) và ISO 31-5:1992 (được thay thế bằng IEC 80000-6).

C.3  Đặc tính khuyến nghị

Các đặc tính tĩnh được khuyến nghị của sọc từ kháng từ cao được chỉ ra trong bảng C.1.

Bảng C.1 – Đặc tính tĩnh của vật liệu từ kháng từ cao

TT	Thông số	Ký hiệu	Giá trị
1	Kháng từ	H‘cM	335 kA/m (420 0 Oe) lớn nhất 200 kA/m (250 0 Oe) nhỏ nhất
2	Khử từ tĩnh	S160	0,20 lớn nhất
3	Vuông góc dọc	SQ	0,80 nhỏ nhất
4	Tỉ lệ cảm ứng dư từ	RM	0,35 lớn nhất
5	Chuyển đổi trường bằng độ dốc	SFS	0,30 lớn nhất
6	Chuyển đổi trường bằng đạo hàm	SFD	0,50 lớn nhất

CHÚ THÍCH: Bảng C.1 trùng với bảng đưa ra trong TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) và TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) ngoài kháng từ đề nghị lớn nhất.

 

Phụ lục D

(tham khảo)

Tham khảo mã Reed-Solomon

Berlekamp, E. R., “Nonbinary BCH decoding”, International Symposium on lnformation Theory. San Remo, Italy, 1967.

Berlekamp, E. R., Algebraic Coding Theory, McGraw-Hill: New York, 1968.

Blahut, R. E. Theory and Practice of Error Control Code., Reading, Massachusetts, Addison Wesely, 1984.

Chien, R. T., “Cyclic decoding procedure for Bose-Chaudhuri-Hocquenghem codes”, IEEE Transactions on Information Theory. Vol. IT-10, October 1964.

Consultive Committee for Space Data Systems, “Telemetry Channel Coding”, CCSD 101.0-B-4 Blue Book. Washington D. C., May 1999.

Forney, G. D., “On decoding BCH codes”, IEEE Transactions on Information Theory. Vol. IT-11, October 1965.

Gorenstein and Zierler, “A class of error correcting codes in 7811-1_ed1fig12.EPSsymbols”, Journal of the Society of Industrial and Applied Mathematics. Vol. 9, June 1961.

Lin and Costello, Error Control Coding: Fundamentals and Applications. Engalwood Cliffs New Jersey, Prentice-Hall, 1983.

Perman and Lee, “Reed-Solomon encoders – conventional vs. Berlekamp’s architecture”, NASA JPL Publication. No. 82-71, November 1982.

Peterson and Weldon, Error-Correcting Codes. Cambridge Massachusetts, MIT Press, 1996.

Peterson, W. W., “Encoding and error-correction procedures for Bose-Chaudhuri Codes”, IEEE Transactions on Information Theory. Vol. IT-6, September, 1960.

Reed, Deutsch, Hsu, Truong, Wang, and Yeh, “The VLSI implementation of a Reed-Solomon encoder using Berlekamp’s bit-serial multiplier algorithm”, IEEE Transactions on Computers. Vol. C-33, No. 10, October 1984.

Reed, I. S. and Solomon, G, “A decoding procedure for polynomial codes”, MIT Lincoln Laboratory Group Report. No.47.24, 6 March 1959.

Reed, I. S. and Solomon, G., “Polynomial codes over certain finite fields”, MIT Lincoln Laboratory Group Report. No.47.23, 31 December 1958.

Reed, I. S. and Solomon, G., “Polynomial codes over certain finite fields”, SIAM Journal of Applied Mathematics. Vol. 8.

Truong, Eastman, Reed, and Hsu, “Simplified procedure for correcting both errors and erasures Reed- Solomon code using Euclidean algorithm”, IEEE Proceedings. Vol. 135, Pt. E, No. 6, November 1988.

Welch and Berlekamp, “Error Correction for Algebraic Block Codes”, U. S. Patent No. 4,633,470, issued December 30,1986.

Weldon, E. J., Error-Correcting Codes with Application to Data Storage and Communication Systems. Department of Electrical Engineering. University of Hawaii, 2001.

Wicker and Bhargava, Reed-Solomon Codes And Their Applications. New York, IEEE Press, 1994.

Wicker, Stephen B., Error Control Systems for Digital Communication and Storage. Upper Saddle River New Jersey, Prentice-Hall, 1995.

 

MỤC LỤC

Lời nói đầu

1  Phạm vi áp dụng

2  Sự phù hợp

3  Tài liệu viện dẫn

4  Thuật ngữ và định nghĩa

5  Đặc tính vật lý của thẻ định danh

5.1  Độ vênh vùng sọc từ

5.2  Biến dạng bề mặt

6  Đặc tính vật lý của sọc từ

6.1  Chiều cao và đường dốc bề mặt vùng sọc từ

6.2  Tính thô ráp bề mặt

6.3  Tính bám dính của sọc từ với thẻ

6.4  Tính mài mòn sọc từ khi cắm/rút khỏi đầu đọc/ghi

6.5  Tính kháng hóa chất

7  Đặc tính hiệu năng đối với vật liệu từ

7.1  Yêu cầu chung

7.2  Môi trường hoạt động và thử nghiệm

7.3  Yêu cầu biên độ tín hiệu cho các phương tiện truyền thông từ tính

8  Kỹ thuật mã hóa

9  Đặc tả mã hóa

9.1  Góc ghi

9.2  Mật độ bit danh định

9.3  Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng

9.4  Yêu cầu biên độ tín hiệu

9.5  Cấu hình bit

9.6  Hướng ghi

9.7  Các số 0 ở đầu và đuôi

10  Cấu trúc dữ liệu

10.1  Định dạng rãnh

10.2  Mã hóa việc phát hiện và sửa lỗi

11  Giải mã

12  Vị trí các rãnh mã hóa

Phụ lục A (tham khảo) Khả năng tương tích về đọc của sọc từ

Phụ lục B (tham khảo) Mài mòn sọc từ

Phụ lục C (tham khảo) Đặc tính từ tĩnh

C.1  Giới thiệu

C.2  Thuật ngữ và định nghĩa

C.3  Đặc tính khuyến nghị

Phụ lục D (tham khảo) Tham khảo mã Reed-Solomon