TIÊU CHUẨN NGÀNH TCN 68-209:2002 VỀ TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) – MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI CÁC XUNG – PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ DO BỘ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG BAN HÀNH

TCN 68 – 209: 2002

TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI CÁC XUNG

PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ

Electromagnetic compatibility (EMC)

Surge immunity

Testing and measurement techniques

 

MỤC LỤC

Lời nói đầu

1. Phạm vi

2. Tài liệu tham chiếu chuẩn

3. Tổng quan

4. Các định nghĩa

5. Các mức thử

6. Thiết bị thử

6.1. Bộ tạo sóng kết hợp (1,2/50 ms – 8/20 ms)

6.2. Bộ tạo tín hiệu thử 10/700 ms theo CCITT

6.3. Mạch tách/ghép

7. Cấu hình thử

7.1. Thiết bị thử

7.2. Cấu hình thử đối với nguồn cung cấp của EUT

7.3. Cấu hình thử đối với các đường nối không đối xứng, không có che chắn

7.4. Cấu hình thử đối với các đường viễn thông/đường nối đối xứng, không có che chắn

7.5. Cấu hình thử đối với các đường dây có lớp che chắn

7.6. Cấu hình thử đối với hiện tượng chênh lệch điện thế

7.7. Cấu hình các phép thử khác

7.8. Các điều kiện thực hiện phép thử

8. Thủ tục thử

8.1. Các điều kiện chuẩn của phòng thử

8.2. Thực hiện phép thử trong phòng thử

9. Kết quả và biên bản thử nghiệm

Phụ lục A (Quy định): Lựa chọn bộ tạo tín hiệu thử và mức thử

Phụ lục B (Tham khảo): Một số chú ý

 

LỜI NÓI ĐẦU

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 209: 2002 “Tương thích điện từ (EMC) – Miễn nhiễm đối với xung – Phương pháp đo và thử” được xây dựng trên cơ sở chấp thuận áp dụng nguyên vẹn các yêu cầu trong tiêu chuẩn IEC 1000-4-5:1995 “Tương thích điện từ (EMC) – Phần 4: Các kỹ thuật đo và thử – Chương 5: Phép thử miễn nhiễm đối với các xung”.

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 209: 2002 do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện (RIPT) biên soạn theo đề nghị của Vụ Khoa học – Công nghệ và được Bộ Bưu chính, Viễn thông ban hành theo Quyết định số 28/2002/QĐ-BBCVT ngày 18/12/2002.

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 – 209: 2002 được ban hành dưới dạng song ngữ (tiếng Việt và tiếng Anh). Trong trường hợp có tranh chấp về cách hiểu do biên dịch, bản tiếng Việt được áp dụng.

 

TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC)

MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI XUNG

PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ

(Ban hành kèm theo Quyết định số 28/2002/QĐ-BBCVT ngày 18/12/2002 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông)

1. Phạm vi

Tiêu chuẩn này quy định các yêu cầu về khả năng miễn nhiễm, các phương pháp thử, mức thử khuyến nghị cho thiết bị đối với các xung đơn cực do hiện tượng quá áp tạo ra khi đóng ngắt mạch hoặc do sét đánh. Các mức thử khác nhau áp dụng đối với môi trường và các điều kiện lắp đặt khác nhau. Các yêu cầu này áp dụng cho thiết bị điện và điện tử.

Mục đích của tiêu chuẩn này là thiết lập một chuẩn chung để đánh giá chất lượng hoạt động của thiết bị khi thiết bị chịu tác động của các nguồn nhiễu năng lượng lớn từ đường dây nguồn và các đường dây liên kết.

Tiêu chuẩn này quy định:

– Các mức thử;

– Thiết bị thử;

– Cấu hình thử;

– Thủ tục thử.

Nhiệm vụ của phép thử trong phòng thử là xác định phản ứng của EUT đối với những xung điện áp do ảnh hưởng của hoạt động đóng ngắt mạch và sét ở các mức đe dọa nhất định, trong các điều kiện hoạt động xác định.

Tiêu chuẩn này không đề cập đến việc thử khả năng chịu đựng điện áp cao của lớp cách điện cũng như các ảnh hưởng do sét đánh trực tiếp.

Tiêu chuẩn này không quy định các phép thử áp dụng cho thiết bị hoặc hệ thống cụ thể. Mục đích chính của tiêu chuẩn là đưa ra một chuẩn chung cho các cơ quan quản lý chất lượng sản phẩm. Các cơ quan quản lý chất lượng sản phẩm (hoặc người sử dụng và nhà sản xuất thiết bị) có nhiệm vụ lựa chọn các phép thử và mức độ khắc nghiệt thích hợp để áp dụng đối với sản phẩm của mình.

Chú ý: Tiêu chuẩn này được áp dụng cho các thiết bị viễn thông.

2. Tài liệu tham chiếu chuẩn

[1] IEC 1000-4-5:1995, Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4: Testing and measurement techniques – Section 5: Surge immunity test.

[2] IEC 50(161):1990, International Electrotechnical Vocabulary (IEV) – Chapter 161: Electromagnetic compatibility.

[3] IEC 60-1:1989, High-voltage test techniques – Part 1: General definitions and test requirements.

[4] IEC 469-1:1987, Pulse techniques and apparatus – Part 1: Pulse terms and definitions.

3. Tổng quan

3.1. Đột biến do đóng ngắt

Hiện tượng đột biến do đóng ngắt hệ thống có thể chia thành các đột biến liên quan tới:

a) Nhiễu sinh ra do đóng ngắt hệ thống nguồn chính, ví dụ đóng ngắt bằng tụ.

b) Hoạt động đóng ngắt phụ ở gần thiết bị hoặc do sự thay đổi tải trong hệ thống phân phối nguồn.

c) Hiện tượng cộng hưởng trong các mạch có các linh kiện đóng ngắt như thyristor.

d) Các hư hỏng của hệ thống như hiện tượng chập mạch, hiện tượng phóng tia lửa điện tới hệ thống tiếp đất của công trình.

3.2. Đột biến do sét

Sét tạo ra các xung điện áp theo những cơ chế chủ yếu sau:

a) Sét đánh trực tiếp vào mạch ngoài (mạch ở ngoài nhà trạm) phóng dòng điện lớn qua điện trở đất hoặc trở kháng mạch ngoài tạo ra các điện áp;

b) Sét đánh gián tiếp (sét đánh giữa hoặc trong các đám mây hay đánh gần các vật thể tạo ra các trường điện từ) sinh ra điện áp/dòng điện cảm ứng trên các dây dẫn ở bên ngoài hoặc bên trong tòa nhà;

c) Sét đánh trực tiếp xuống đất gần công trình, sinh ra dòng điện trong hệ thống tiếp đất của công trình đó;

Sự thay đổi nhanh của điện áp và dòng điện xảy ra khi thiết bị bảo vệ được kích hoạt có thể ghép vào các mạch bên trong.

3.3 Mô phỏng hiện tượng đột biến

a) Bộ tạo tín hiệu thử: các đặc tính của bộ tạo tín hiệu thử phải sao cho có thể mô phỏng được các hiện tượng nêu trên một cách sát thực nhất.

b) Nếu nguồn nhiễu ở trong cùng một mạch, thí dụ trong mạch cung cấp nguồn (ghép trực tiếp) thì bộ tạo tín hiệu thử có thể mô phỏng một nguồn trở kháng thấp tại các cổng của EUT.

c) Nếu nguồn nhiễu không ở trong cùng một mạch (ghép gián tiếp) như các cổng của thiết bị chịu nhiễu thì bộ tạo tín hiệu thử có thể mô phỏng một nguồn trở kháng cao hơn.

4. Các định nghĩa

4.1 Các đường dây cân bằng

Đường dây cân bằng là đôi dây dẫn đối xứng có suy hao chuyển đổi từ chế độ chênh lệch (dây – dây) sang chế độ chung (dây – đất) nhỏ hơn 20 dB.

4.2 Mạch ghép

Mạch ghép là mạch điện dùng để chuyển năng lượng từ một mạch này đến một mạch khác.

4.3 Mạch tách

Mạch tách là mạch điện dùng để ngăn không cho các xung đưa vào EUT làm ảnh hưởng đến các dụng cụ, thiết bị hay hệ thống khác không được thử.

4.4 Độ rộng xung

Độ rộng xung là trị số tuyệt đối của khoảng thời gian mà dạng sóng hay đặc trưng của sóng còn tồn tại hay tiếp diễn. [IEC 469-1]

4.5 Độ rộng sườn trước

Xung điện áp: độ rộng sườn trước T₁ của một xung điện áp là tham số được xác định bằng 1,67 lần khoảng thời gian T giữa hai thời điểm khi xung đạt 30% và 90% giá trị đỉnh (xem hình 2).

Xung dòng điện: độ rộng sườn trước T₁ của một xung dòng điện là tham số được xác định bằng 1,25 lần khoảng thời gian T giữa hai thời điểm khi xung đạt 10% và 90% giá trị đỉnh (xem hình 3). [IEC 60-1 sửa đổi]

4.6 Miễn nhiễm

Miễn nhiễm là khả năng hoạt động của một dụng cụ, thiết bị hay một hệ thống mà không bị suy giảm chất lượng khi có nhiễu điện từ. [IEV 161-01-20]

4.7 Hệ thống trang thiết bị điện

Hệ thống trang thiết bị điện là một tổ hợp các thiết bị điện thực hiện một hay nhiều mục đích cụ thể, có các đặc tính liên quan với nhau. [IEV 826-01-01]

4.8 Các dây liên kết

Các dây liên kết bao gồm:

– Các dây I/O (vào/ra);

– Các dây thông tin;

– Các dây cân bằng.

4.9 Bảo vệ sơ cấp

Bảo vệ sơ cấp là biện pháp để ngăn không cho phần lớn năng lượng gây nguy hiểm truyền qua một giao diện đã được chỉ định.

4.10 Thời gian tăng

Thời gian tăng của xung là khoảng thời gian giữa các thời điểm mà tại đó lần đầu tiên xung đạt giá trị thấp quy định và sau đó là giá trị cao quy định.

Chú ý: Nếu không có quy định khác, các giá trị này là 10% và 90% của biên độ xung. [IEV 161-02-05]

4.11 Bảo vệ thứ cấp

Bảo vệ thứ cấp là biện pháp triệt tiêu phần năng lượng dư sau phần bảo vệ sơ cấp. Nó có thể là một thiết bị đặc biệt hoặc một đặc tính vốn có của EUT.

4.12. Xung

Xung là sóng đột biến điện áp, dòng điện hoặc công suất, lan truyền dọc theo đường dây hoặc mạch điện. Xung được đặc trưng bởi sự tăng rất nhanh sau đó là giảm chậm. [IEV 161-08-11 sửa đổi]

4.13 Hệ thống

Hệ thống là một tập hợp các phần tử có quan hệ với nhau được thiết lập để đạt được một mục đích cho trước bằng cách thực hiện một chức năng cụ thể.

Chú ý: Hệ thống được xem là cách ly với môi trường và các hệ thống ngoài khác bởi một mặt phẳng giả định, mặt phẳng này ngăn cách liên kết giữa chúng và hệ thống đang xét. Qua các liên kết này, hệ thống bị ảnh hưởng bởi môi trường bên ngoài và các hệ thống khác; hoặc ngược lại.

4.14 Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa (T₂)

Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa là tham số được xác định bằng khoảng thời gian giữa thời điểm gốc O₁ và thời điểm khi biên độ xung giảm xuống còn một nửa giá trị đỉnh (xem hình 2, 3). [IEV 60-01 sửa đổi]

4.15 Đột biến

Đột biến chỉ hiện tượng hoặc đại lượng biến đổi giữa hai trạng thái ổn định liên tiếp trong khoảng thời gian rất ngắn so với khoảng thời gian quan sát. [IEV 161-02-01]

5. Các mức thử

Dải các mức thử đề xuất được cho trong bảng 1.

Bảng 1 – Các mức thử

Mức	Điện áp thử hở mạch, ±10%, kV
1	0,5
2	1,0
3	2,0
4	4,0
x	đặc biệt
Chú ý: x là mức để mở, mức này có thể được quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm

Các mức thử phải được lựa chọn theo các điều kiện lắp đặt. Việc phân loại điều kiện lắp đặt được trình bày trong mục B.3 phụ lục B.

Thiết bị được thử phải đảm bảo thỏa mãn đối với tất cả các mức điện áp thấp hơn mức thử được chọn (xem mục 8.2).

Để lựa chọn các mức thử đối với các giao diện khác nhau, xem thêm phụ lục A.

6. Thiết bị thử

6.1 Bộ tạo sóng kết hợp (1,2/50 ms – 8/20 ms)

Sơ đồ mạch của bộ tạo sóng được trình bày trong hình 1. Giá trị các thành phần R_s1, R_s2, R_m, L_r và C_c được lựa chọn sao cho bộ tạo sóng tạo ra được xung điện áp 1,2/50 ms (ở các điều kiện hở mạch) và xung dòng điện 8/20 ms (ở điều kiện ngắn mạch), nghĩa là bộ tạo sóng có trở kháng đầu ra hiệu dụng 2 W.

Thông thường, trở kháng đầu ra hiệu dụng của bộ tạo sóng được xác định bằng cách tính tỷ số giữa điện áp đầu ra hở mạch (giá trị đỉnh) và dòng điện ngắn mạch (giá trị đỉnh).

Bộ tạo sóng điện áp hở mạch 1,2/50 ms và dòng điện ngắn mạch 8/20 ms này được gọi là bộ tạo sóng kết hợp (CWG) hay bộ tạo sóng hỗn hợp.

Chú ý:

1- Dạng sóng điện áp và dòng điện là một hàm của trở kháng đầu vào EUT. Khi đưa xung vào thiết bị, trở kháng này có thể thay đổi do hiệu quả hoạt động của thiết bị bảo vệ hoặc do sự phóng điện hoặc đánh hỏng các linh kiện khi thiết bị bảo vệ không hoạt động hoặc không có thiết bị bảo vệ. Vì vậy, cả sóng điện áp 1,2/50 ms và sóng dòng điện 8/20 ms phải sẵn sàng ở đầu ra của bộ tạo sóng thử, ngay khi có tải.

2 – Bộ tạo sóng kết hợp mô tả trong tiêu chuẩn này cũng giống như bộ tạo sóng hỗn hợp quy định trong một số tiêu chuẩn khác.

6.1.1 Các đặc tính và chỉ tiêu kỹ thuật của bộ tạo sóng kết hợp

Điện áp đầu ra hở mạch:

Dải điện áp:

Trị số thấp nhất tối thiểu	0,5 kV
Trị số cao nhất tối thiểu	4,0 kV
Dạng sóng điện áp xung	xem hình 2, bảng 2
Dung sai điện áp đầu ra hở mạch	± 10%
Dòng điện đầu ra ngắn mạch:
Dòng điện:
Trị số thấp nhất tối thiểu	0,25 kA
Trị số cao nhất tối thiểu	2,0 kA
Dạng sóng dòng điện xung	xem hình 3, bảng 2
Dung sai dòng điện đầu ra ngắn mạch	± 10%
Cực tính	dương/âm
Dịch pha so với góc pha của đường dây AC	0 ¸ 360o
Tốc độ lặp lại	ít nhất 1 lần/phút

Bộ tạo sóng phải có tín hiệu ra ở chế độ “thả nổi” (floating).

Phải có các điện trở phụ (10 W và 40 W) để làm tăng trở kháng nguồn hiệu dụng đối với các điều kiện thử cụ thể (xem mục 7, B.1 phụ lục B).

Trong trường hợp này, dạng sóng điện áp hở mạch và dạng sóng dòng điện ngắn mạch được kết hợp vào mạch tách/ghép nên không còn là dạng sóng 1,2/50 ms và 8/20 ms nữa (sóng kết hợp).

6.1.2 Kiểm tra các đặc tính của bộ tạo sóng

Để so sánh kết quả thử của các bộ tạo sóng thử khác nhau, phải kiểm tra đặc tính của bộ tạo sóng thử. Do đó, phải thực hiện đo các đặc tính chủ yếu của bộ tạo sóng theo trình tự sau.

Đầu ra bộ tạo sóng thử phải được nối tới hệ thống đo có độ rộng băng tần và thang điện áp đủ lớn để kiểm tra các đặc tính của dạng sóng.

Các đặc tính của bộ tạo sóng phải được đo ở các điều kiện hở mạch (tải lớn hơn hoặc bằng 10 kW) và ở các điều kiện ngắn mạch (tải nhỏ hơn hoặc bằng 0,1 W) với cùng một mức điện áp nạp.

Chú ý: Dòng điện ngắn mạch tối thiểu là 0,25 kA đối với điện áp hở mạch 0,5 kV và tối thiểu là 2,0 kA đối với điện áp hở mạch là 4,0 kV.

6.2  Bộ tạo sóng thử 10/700ms theo CCITT

Sơ đồ mạch của bộ tạo sóng được cho trong hình 4. Trị số của các thành phần R_c, C_c, R_s, R_m1, R_m2 và C_s được lựa chọn sao cho bộ tạo sóng tạo ra được dạng xung 10/700 ms.

6.2.1 Các đặc tính và chỉ tiêu kỹ thuật của bộ tạo sóng

Điện áp đầu ra hở mạch:

Dải điện áp:

Trị số thấp nhất tối thiểu	0,5 kV
Trị số cao nhất tối thiểu	4,0 kV
Dạng sóng xung điện áp	Xem hình 5 (IEC 60-1, bảng 3
Dung sai điện áp đầu ra hở mạch	± 10%
Dòng điện đầu ra ngắn mạch:
Dòng điện:
Trị số thấp nhất tối thiểu	12,5 A
Trị số cao nhất tối thiểu	100 A
Dạng sóng xung dòng điện	Xem bảng 3
Dung sai dòng điện đầu ra ngắn mạch	± 10%
Cực tính	Dương/âm
Tốc độ lặp lại	ít nhất 1 lần/phút

Bộ tạo sóng phải có tín hiệu ra ở chế độ “thả nổi” (floating).

6.2.2. Kiểm tra các đặc tính của bộ tạo sóng

Các điều kiên kiểm tra đối với bộ tạo sóng 10/700 ms giống như 6.1.2 với chú ý sau đây.

Chú ý: Dòng điện ngắn mạch tối thiểu là 12,5 A đối với điện áp hở mạch 0,5 kV và tối thiểu là 100 A đối với điện áp hở mạch là 4,0 kV.

6.3 Các mạch tách/ghép

Các mạch tách/ghép không được ảnh hưởng đáng kể đến các tham số bộ tạo sóng, ví dụ điện áp hở mạch, dòng điện ngắn mạch vẫn nằm trong khoảng dung sai quy định.

Ngoại lệ: ghép qua bộ triệt xung.

Các mạch tách/ghép phải thỏa mãn các yêu cầu sau đây:

6.3.1 Mạch tách/ghép dùng cho các mạch cung cấp nguồn AC/DC (chỉ sử dụng với bộ tạo sóng kết hợp)

Phải kiểm tra độ rộng sườn trước và thời gian để biên độ xung giảm xuống một nửa đối với điện áp ở các điều kiện hở mạch và dòng điện ở các điều kiện ngắn mạch.

Đầu ra của bộ tạo tín hiệu thử hoặc mạch ghép của nó phải được nối tới hệ thống đo có độ rộng băng tần và thang điện áp đủ lớn để kiểm tra dạng sóng điện áp hở mạch.

Dạng sóng dòng điện ngắn mạch có thể được đo bằng một bộ biến dòng có đường nối ngắn mạch giữa các đầu ra của mạch ghép.

Tất cả các dạng sóng cũng như các tham số hoạt động khác của bộ tạo sóng phải đúng như quy định trong mục 6.1.1 (ở đầu ra của bộ tạo sóng cũng như đầu ra của mạch tách/ghép).

Chú ý: Khi trở kháng bộ tạo sóng tăng từ 2 W lên 12 W hoặc 42 W theo yêu cầu cấu hình thử thì độ rộng xung thử ở đầu ra mạch ghép có thể thay đổi đáng kể.

6.3.1.1 Phương pháp ghép điện dung dùng cho các mạch cung cấp nguồn

Phương pháp ghép điện dung cho phép đưa điện áp thử vào thiết bị được thử theo kiểu dây-dây hoặc dây-đất khi mạch tách hệ thống nguồn cũng được nối. Sơ đồ mạch hệ thống nguồn một pha được cho trong hình 6, 7. Sơ đồ mạch với hệ thống nguồn 3 pha được cho trong hình 8, 9.

Các đặc tính chủ yếu của mạch tách/ghép bao gồm:

Ghép:

Các tụ ghép: C = 9 mF hoặc 18 mF (xem cấu hình thử)

Tách:

Điện cảm tách đối với điện áp nguồn: L = 1,5 mH

Điện áp xung dư trên các đường dây chưa ghép xung khi đã ngắt EUT không được vượt quá 15% điện áp thử lớn nhất.

Khi ngắt EUT khỏi mạng cung cấp nguồn, điện áp xung dư trên các đầu vào nguồn điện của mạch tách không được vượt quá 15% điện áp thử hoặc hai lần giá trị đỉnh của điện áp pha hệ thống nguồn (chọn giá trị lớn hơn).

Các đặc tính nói trên đối với hệ thống nguồn 1 pha (pha, trung tính, đất bảo vệ) cũng đúng đối với hệ thống nguồn 3 pha (các dây pha, trung tính và đất bảo vệ).

6.3.1.2. Phương pháp ghép điện cảm dùng cho các mạch cung cấp nguồn

Đang xem xét.

6.3.2 Mạch tách/ghép dùng cho các đường dây liên kết

Phương pháp ghép được lựa chọn tuỳ theo chức năng của mạch và các điều kiện hoạt động. Điều này phải được quy định trong tài liệu kỹ thuật sản phẩm.

Các phương pháp ghép bao gồm:

– Phương pháp ghép điện dung;

– Phương pháp ghép qua bộ triệt xung.

Việc sử dụng các cấu hình thử khác nhau để thử một cổng của EUT có thể không cho các kết quả tương đương. Cấu hình thích hợp nhất phải được quy định trong các tài liệu kỹ thuật sản phẩm hoặc các tiêu chuẩn sản phẩm.

Chú ý: R_l trong các hình từ 10 đến 12 là điện trở của cuộn cảm L có giá trị phụ thuộc vào sự suy hao tín hiệu truyền dẫn.

6.3.2.1 Phương pháp ghép điện dung đối với các đường dây liên kết

Khi không có ảnh hưởng đến việc liên lạc trên dây, phương pháp ghép điện dung là phương pháp rất thích hợp đối với các mạch I/O có dây không cân bằng, không có lớp che chắn. Việc thử được thực hiện theo hình 10 đối với phương pháp ghép kiểu dây-dây và phương pháp ghép kiểu dây-đất.

Các đặc tính chủ yếu của mạch tách/ghép điện dung:

– Tụ ghép: C = 0,5 mF

– Cuộn cảm tách (không bù dòng): L = 20 mH

Chú ý: Cần xem xét đặc tính dòng tín hiệu, đặc tính này phụ thuộc vào mạch được thử.

6.3.2.2 Phương pháp ghép qua bộ triệt xung

Phương pháp ghép qua bộ triệt xung là phương pháp ghép thích hợp đối với các mạch có dây cân bằng, không có lớp che chắn (thông tin, viễn thông) như trong hình 12.

Phương pháp này cũng có thể được dùng trong trường hợp không thể thực hiện ghép điện dung do các vấn đề chức năng gây ra khi nối các tụ với EUT (xem hình 11).

Mạch ghép còn có nhiệm vụ điều tiết sự phân phối dòng xung trong trường hợp các điện áp cảm ứng vào cáp nhiều sợi.

Vì vậy, các điện trở R_m2 trong mạch ghép có n dây ghép phải là n x 25 W (với n m ³ 2).

Ví dụ: n = 4, R_m2 = 4 x 25 W. Với trở kháng tổng của bộ tạo sóng khoảng 40 W, R_m2 không được vượt quá 250 W.

Việc ghép qua bộ triệt xung có khí có thể được cải thiện bằng việc sử dụng các tụ điện mắc song song với các bộ triệt xung.

Ví dụ: C £ 0,1 mF đối với các tần số của tín hiệu truyền dẫn trên dây nhỏ hơn 5 kHz. Ở các tần số cao hơn, không dùng tụ điện.

Các đặc tính chủ yếu của mạch ghép/tách:

– Điện trở ghép, Rm2	n x 2,5 W (n ³ 2)
– Bộ triệt xung có khí	90 V
– Cuộn cảm tách, L (lõi tròn, có bù dòng)	20 mH

Chú ý:

– Trong một số trường hợp, vì các lý do chức năng có thể phải sử dụng các bộ triệt xung có điện áp hoạt động cao hơn.

– Có thể sử dụng các phần tử khác ngoài các bộ triệt xung nếu các phần tử đó không làm ảnh hưởng đến các điều kiện hoạt động.

6.3.3 Các phương pháp ghép khác

Các phương pháp ghép khác đang được xem xét.

7. Cấu hình thử

7.1 Thiết bị thử

Cấu hình thử bao gồm các thiết bị chủ yếu sau:

– Thiết bị được thử (EUT);

– Thiết bị phụ trợ (AE);

– Cáp (chủng loại và chiều dài theo quy định);

– Thiết bị ghép (ghép điện dung hoặc ghép qua các bộ triệt xung);

– Bộ tạo sóng (bộ tạo sóng kết hợp, bộ tạo sóng 10/700 ms);

– Mạch tách/các thiết bị bảo vệ;

– Các điện trở phụ, 10 W và 40 W (xem B.1 phụ lục B).

7.2 Cấu hình thử đối với nguồn cung cấp của EUT

Xung được đưa vào các cực nguồn của EUT qua mạch ghép điện dung (xem hình 6, 7, 8 và 9). Phải sử dụng các mạch tách để không làm ảnh hưởng đến các thiết bị không được thử có chung dây nguồn và để có trở kháng tách đối với sóng xung đủ lớn để sóng xung theo quy định có thể đi vào các dây cần thử.

Nếu không có quy định khác, dây nối giữa EUT và mạch tách/ghép phải nhỏ hơn hoặc bằng 2 m.

Để mô phỏng các trở kháng ghép đặc trưng, trong một số trường hợp phải sử dụng các điện trở phụ (xem B.1 phụ lục B).

Chú ý: Tại một số nước (ví dụ, Mỹ), yêu cầu phép thử đối với đường dây điện AC phải thực hiện theo hình 7 và 9 với trở kháng 2 W, mặc dù phép thử này khắc nghiệt hơn. Thông thường, yêu cầu này là 10 W.

7.3 Cấu hình thử đối với các đường nối không đối xứng, không có che chắn

Thông thường, xung được đưa vào các dây nối bằng phương pháp ghép điện dung (hình 10). Mạch tách/ghép không được ảnh hưởng đến điều kiện hoạt động của các mạch được thử.

Một cấu hình thử khác (ghép qua các bộ triệt xung) được thể hiện trong hình 11 để dùng cho các mạch có tốc độ truyền dẫn cao hơn. Việc lựa chọn phương pháp ghép tùy theo tải điện dung tương ứng với tần số truyền dẫn.

Nếu không có quy định khác, dây nối giữa EUT và mạch tách/ghép phải nhỏ hơn hoặc bằng 2 m.

7.4 Cấu hình thử đối với các đường viễn thông/đường nối đối xứng, không có che chắn (hình 12)

Thông thường người ta không sử dụng phương pháp ghép điện dung đối với các mạch viễn thông/liên kết cân bằng. Trong trường hợp này, việc ghép thực hiện qua các bộ triệt xung (khuyến nghị K.17 của CCITT). Các mức thử thấp hơn điện áp đánh lửa của các bộ triệt xung được ghép (khoảng 300 V đối với bộ triệt xung 90 V) không được quy định (trừ trường hợp thiết bị bảo vệ thứ cấp không có các bộ triệt xung có khí).

Chú ý: Cần xem xét hai cấu hình thử sau:

– Cấu hình thử đối với phép thử khả năng miễn nhiễm mức thiết bị, chỉ có thiết bị bảo vệ thứ cấp tại EUT, với mức thử thấp, ví dụ 0,5 kV hoặc 1 kV;

– Cấu hình thử đối với phép thử khả năng miễn nhiễm mức hệ thống, có thiết bị bảo vệ sơ cấp bổ sung, với mức thử cao hơn, ví dụ 2 kV hoặc 4 kV.

Nếu không có quy định khác, dây nối giữa EUT và mạch tách/ghép phải nhỏ hơn hoặc bằng 2 m.

7.5 Cấu hình thử đối với các đường dây có che chắn

Trong trường hợp các đường dây có che chắn, có thể không sử dụng được mạch tách/ghép. Vì vậy, xung được đưa vào lớp che chắn của các EUT (vỏ kim loại) và vỏ của các đường dây theo hình 13. Đối với các lớp che chắn chỉ nối đất ở một đầu, sử dụng hình 14. Để thực hiện tách đối với dây đất an toàn, phải sử dụng một biến áp cách ly. Thông thường, phải sử dụng loại cáp dài nhất có lớp che chắn như đã quy định. Tương ứng với phổ của xung, phải sử dụng cáp dài 20 m có lớp che chắn và được bó lại sao cho không sinh ra độ tự cảm.

Nguyên tắc để đưa các xung vào các đường dây có lớp che chắn:

a) Đối với lớp che chắn nối đất ở hai đầu, việc đưa xung thử vào lớp che chắn được thực hiện theo hình 13.

b) Đối với lớp che chắn chỉ nối đất ở một đầu, phép thử phải được thực hiện theo hình 14. C là điện dung cáp so với đất, giá trị này có thể tính bằng 100 pF/m. Nếu không có quy định khác, có thể sử dụng giá trị mẫu 10 nF.

Mức thử đưa vào các lớp che chắn là giá trị dây-đất (trở kháng 2 W).

7.6 Cấu hình thử đối với hiện tượng chênh lệch điện thế

Nếu cần thử đối với các hiện tượng chênh lệch điện thế (để mô phỏng các điện áp có thể xuất hiện trong một hệ thống), các phép thử phải được thực hiện theo hình 13 đối với các hệ thống dùng dây nối có lớp che chắn (lớp che chắn nối đất ở cả hai đầu) và theo hình 14 đối với các hệ thống dùng đường dây không có lớp che chắn hoặc có lớp che chắn nhưng lớp che chắn chỉ nối đất ở một đầu.

7.7 Các cấu hình thử khác

Nếu không sử dụng được một trong các phương pháp ghép quy định trong cấu hình thử, tiêu chuẩn sản phẩm phải quy định các phương pháp thay thế tương đương (phù hợp với trường hợp đặc biệt đó).

7.8 Các điều kiện thực hiện phép thử

Các điều kiện thử và các điều kiện lắp đặt thiết bị phải tuân theo chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm và bao gồm:

– Cấu hình thử (phần cứng);

– Thủ tục thử (phần mềm).

8. Thủ tục thử

8.1 Các điều kiện chuẩn của phòng thử

Để giảm thiểu ảnh hưởng của các yếu tố môi trường đến kết quả phép thử, phép thử phải được thực hiện ở các điều kiện điện từ và khí hậu chuẩn quy định trong các mục 8.1.1 và 8.1.2.

8.1.1 Điều kiện khí hậu

Các điều kiện khí hậu cần tuân thủ bao gồm:

– Nhiệt độ phòng	15 ¸ 35oC
– Độ ẩm tương đối	10 ¸ 75%
– Áp suất khí quyển	86 ¸ 106 kPa (860 ¸ 1060 mbar)

Chú ý: Chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm có thể quy định các giá trị khác. EUT cần được hoạt động trong các điều kiện khí hậu đã quy định. Nhiệt độ và độ ẩm tương đối cần được ghi lại trong biên bản thử nghiệm.

8.1.2 Điều kiện điện từ

Môi trường điện từ trong phòng thử không được gây ảnh hưởng đến kết quả của phép thử.

8.2 Thực hiện phép thử trong phòng thử

Các đặc tính và chỉ tiêu kỹ thuật của bộ tạo sóng phải tuân theo quy định trong các mục 6.1.1 và 6.2.1; việc hiệu chỉnh các bộ tạo sóng phải được thực hiện theo các quy định trong các mục 6.1.2 và 6.2.2.

Phép thử phải được thực hiện theo kế hoạch thử, trong đó phải quy định cấu hình thử (xem mục B.2 phụ lục B) bao gồm:

– Bộ tạo sóng và các thiết bị khác được sử dụng;

– Mức thử (điện áp/dòng điện) (xem phụ lục A);

– Trở kháng bộ tạo sóng;

– Cực tính xung thử;

– Mạch khởi động của bộ tạo sóng trong hoặc ngoài;

– Số lượng phép thử: ít nhất là 5 lần xung dương và 5 lần xung âm ở các điểm được chọn;

– Tốc độ lặp lại: lớn nhất là 1 lần/phút;

Chú ý: Thông thường, các thiết bị bảo vệ đều có khả năng chịu công suất trung bình thấp mặc dù trị số công suất đỉnh hoặc năng lượng đỉnh cho thấy chúng có thể chịu được các dòng điện lớn. Vì vậy, tốc độ lặp lại lớn nhất (khoảng thời gian giữa hai xung và thời gian phục hồi) phụ thuộc vào các thiết bị bảo vệ bên trong của EUT.

– Các đầu vào và đầu ra cần thử;

Chú ý: Trong trường hợp có nhiều mạch giống nhau, chỉ cần thực hiện các phép đo trên một số mạch đại diện.

– Các điều kiện hoạt động đặc trưng của EUT;

– Thứ tự đưa các xung vào mạch;

– Góc pha trong trường hợp dùng nguồn điện xoay chiều;

– Các điều kiện lắp đặt thực tế, ví dụ:

+ AC: trung tính nối đất,

+ DC: (+) hay (-) nối đất để mô phỏng các điều kiện tiếp đất thực tế.

Chế độ thực hiện các phép thử được trình bày trong mục B.2 phụ lục B.

Nếu không có quy định khác, các xung đưa vào phải đồng bộ với pha của sóng điện áp xoay chiều tại điểm cắt trục hoành (pha 0) và tại giá trị đỉnh (dương và âm).

Các xung phải được đưa vào dây-dây và giữa các dây với đất. Nếu chưa được quy định, khi thực hiện thử dây-đất, điện áp thử phải được đưa vào lần lượt giữa từng dây và đất.

Chú ý: Khi sử dụng bộ tạo sóng kết hợp để thử hai hay nhiều dây với đất (các dây viễn thông), độ rộng của xung thử có thể giảm đi.

Thủ tục thử cũng phải được xem xét cùng với các đặc tính điện áp – dòng điện phi tuyến của thiết bị được thử. Vì vậy, điện áp thử phải tăng từng bước đến mức thử đã được quy định trong tiêu chuẩn sản phẩm hoặc kế hoạch thử.

Thiết bị được thử phải thỏa mãn các phép thử với tất cả các mức thấp hơn và bằng mức thử đã chọn. Để thử các thiết bị bảo vệ thứ cấp, điện áp đầu ra bộ tạo sóng phải tăng đến mức điện áp đánh thủng của bộ bảo vệ sơ cấp (trường hợp xấu nhất).

Nếu không có nguồn tín hiệu thật, có thể mô phỏng. Trong mọi trường hợp, mức thử không được vượt quá các quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm. Phép thử phải được thực hiện theo kế hoạch thử.

Để xác định tất cả các điểm tới hạn trong chu trình làm việc của thiết bị, phải sử dụng đủ số xung thử âm và dương. Đối với phép thử nghiệm thu, phải sử dụng các thiết bị chưa từng phải chịu các tác đông xung hoặc phải thay thế các thiết bị bảo vệ.

9. Kết quả thử và biên bản thử nghiệm

Mục này trình bày các hướng dẫn về việc đánh giá kết quả thử và lập biên bản thử nghiệm đối với phép thử trong tiêu chuẩn này.

Sự đa dạng và phức tạp của các hệ thống và thiết bị được thử nghiệm đã làm cho việc xác định ảnh hưởng của xung lên các hệ thống và thiết bị trở nên rất khó khăn.

Nếu chỉ tiêu kỹ thuật sản phẩm hay nhà quản lý sản phẩm không đưa ra các chỉ tiêu cụ thể, kết quả thử cần được phân loại theo các điều kiện hoạt động và các thông số chức năng của EUT như sau:

a) Đặc tính nằm trong giới hạn chỉ tiêu kỹ thuật cho phép;

b) Suy giảm chất lượng hoặc mất chức năng tạm thời nhưng có thể tự phục hồi;

c) Suy giảm chất lượng hoặc mất các chức năng tạm thời, muốn khôi phục lại cần có sự can thiệp của người vận hành hoặc khởi động lại hệ thống;

d) Suy giảm hoặc mất các chức năng nhưng không thể phục hồi do hỏng các bộ phận thiết bị, phần mềm hoặc mất số liệu.

EUT phải đảm bảo không trở nên nguy hiểm hay mất an toàn khi được thử theo các quy định trong tiêu chuẩn này.

Trong trường hợp các phép thử nghiệm thu, chương trình thử và cách xử lý kết quả phải được mô tả trong tiêu chuẩn sản phẩm cụ thể.

Theo nguyên tắc chung, kết quả thử là đạt nếu thiết bị thể hiện khả năng miễn nhiễm trong suốt thời gian thực hiện phép thử và khi kết thúc phép thử EUT vẫn thỏa mãn các yêu cầu chức năng được quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật thiết bị.

Tài liệu kỹ thuật của EUT có thể xác định một số ảnh hưởng được xem là không quan trọng, vì vậy các ảnh hưởng này có thể được chấp nhận.

Với trường hợp này, khi kết thúc thử phải kiểm tra sự tự phục hồi các khả năng hoạt động của thiết bị. Do vậy, phải ghi lại khoảng thời gian thiết bị mất hoàn toàn chức năng hoạt động. Đây chính là cơ sở để đánh giá kết quả phép thử.

Biên bản thử nghiệm phải bao gồm các điều kiện thử và các kết quả thử.

U: Nguồn điện áp cao

R_c: Điện trở nạp

C_c: Tụ lưu trữ năng lượng

R_s: Điện trở định dạng độ rộng xung

R_m: Điện trở phối hợp trở kháng

L_r: Cuộn cảm định dạng thời gian tăng

Hình 1: Sơ đồ nguyên lý bộ tạo sóng kết hợp

Bảng 2: Định nghĩa các tham số dạng sóng 1,2/50 ms

Định nghĩa	Theo IEC 60-1		Theo IEC 469-1
	Độ rộng sườn trước, ms	Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa, ms	Thời gian tăng (10%-90%), ms	Độ rộng xung (50%-50%), ms
Điện áp hở mạch Dòng điện ngắn mạch	1,2 8	50 20	1 6,4	50 16
Chú ý: Trong các tiêu chuẩn IEC, các dạng sóng 1,2/50 ms và 8/20 ms thường được định nghĩa theo IEC 60-1 như trong hình 2 và hình 3. Các khuyến nghị khác của IEC dựa trên định nghĩa dạng sóng theo IEC 469-1 như trong bảng 2. Cả hai định nghĩa này đều phù hợp với bộ tiêu chuẩn IEC 1000-4-x và chỉ mô tả là một bộ tạo tín hiệu.

Hình 2: Dạng sóng điện áp hở mạch (1,2/50 ms)

(định nghĩa dạng sóng theo IEC 60-1)

Hình 3: Dạng sóng dòng điện ngắn mạch (8/20 ms)

(định nghĩa dạng sóng theo IEC 60-1)

U: Nguồn điện áp cao

R_c: Điện trở nạp

C_c: Tụ lưu trữ năng lượng (20 mF)

R_s: Điện trở định dạng độ rộng xung (50 W)

R_m: Điện trở phối hợp trở kháng (R_m1 = 15W; R_m2 = 25 W)

C_s: Tụ điện định dạng thời gian tăng (0,2 mF)

S1: Khoá đóng khi dùng các điện trở phối hợp trở kháng ngoài

Hình 4: Sơ đồ nguyên lý của bộ tạo xung 10/700  ms

(theo ITU-T, hình 1/K.17)

Bảng 3 – Định nghĩa các tham số dạng sóng 10/700 ms

Định nghĩa	Theo ITU-T		Theo IEC 469-1
	Độ rộng sườn trước, ms	Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa, ms	Thời gian tăng (10%-90%), ms	Độ rộng xung (50%-50%), ms
Điện áp hở mạch Dòng điện ngắn mạch	10 –	700 –	6,5 4	700 300
Chú ý: Trong các tiêu chuẩn của IEC và khuyến nghị của ITU-T, dạng sóng 10/700 ms thường được định nghĩa theo IEC 60-1 như trong hình 5. Các khuyến nghị khác của IEC dựa trên định nghĩa dạng sóng theo IEC 469-1 như trong bảng 3. Cả hai định nghĩa này đều phù hợp với bộ tiêu chuẩn IEC 1000-4-x và chỉ mô tả là một bộ tạo tín hiệu.

Độ rộng sườn trước: T₁ = 1,67 x T = 10 ms ± 30%

Thời gian để biên độ xung giảm đi một nửa: T₂ = 700 ms ± 20%

Hình 5: Dạng sóng điện áp hở mạch (10/700 ms) (định nghĩa dạng sóng theo ITU-T)

Hình 6: Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC/DC; ghép dây-dây (theo mục 7.2)

Hình 7: Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC/DC; ghép dây-đất (theo mục 7.2)

Hình 8: Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC (3 pha); ghép dây L3-dây L1 (theo mục 7.2)

Hình 9: Ví dụ về cấu hình thử đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC (3 pha); ghép dây L3-đất (theo mục 7.2); đầu ra bộ tạo sóng được nối đất

Hình 10: Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây nối không có lớp che chắn; ghép dây-dây/dây-đất (theo mục 7.3), ghép qua các tụ

Hình 11: Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây không đối xứng, không có lớp che chắn; ghép dây-dây/dây-đất (theo mục 7.3), ghép qua các bộ triệt xung

a) Khóa S1

* dây – đất: vị trí 0

* dây – dây: vị trí 1 đến 4 (1 dây được nối đất)

b) Tính R_m2 khi sử dụng CWG (bộ tạo sóng 1,2/50 ms)

Ví dụ với n = 4: R_m2 = 4 x 40 W = 160 W, cực đại là 250 W.

Tính R_m2 khi sử dụng bộ tạo sóng 10/700 ms

Điện trở phối hợp trong R_m2 (25 W) được thay thế bởi điện trở ngoài R_m2 = n x 25 W trên mỗi dây (đối với n dây dẫn, n ³ 2).

Ví dụ với n = 4: R_m2 = 4 x 25 W = 100 W, R_m2 không vượt quá 250 W.

c) C = 0,1 mF đối với các tín hiệu truyền dẫn có tần số dưới 5 kHz; ở các tần số cao hơn không sử dụng tụ.

d) L = 20 mH, R_L giá trị phụ thuộc vào việc suy hao tín hiệu truyền dẫn

Hình 12: Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây đối xứng, không có lớp che chắn (các đường viễn thông); ghép dây-dây/dây-đất (theo mục 7.4), ghép qua các bộ triệt xung

Hình 13: Ví dụ về cấu hình thử đối với các phép thử đường dây có lớp che chắn (theo mục 7.5) và hiện tượng chênh lệch điện thế (theo mục 7.6), ghép dẫn

Hình 14: Ví dụ về cấu hình thử đối với các phép thử đường dây không có lớp che chắn và đường dây có lớp che chắn (lớp che chắn nối đất một đầu) (theo mục 7.5) và hiện tượng chênh lệch điện thế (theo mục 7.6), ghép dẫn

PHỤ LỤC A

(Quy định)

LỰA CHỌN BỘ TẠO TÍN HIỆU THỬ VÀ MỨC THỬ

Việc lựa chọn mức thử phải dựa trên các điều kiện lắp đặt thiết bị. Vì vậy, nên sử dụng bảng A.1 cùng các thông tin và các ví dụ trong B.3, phụ lục B. Các loại môi trường lắp đặt thiết bị bao gồm:

Loại 0: Môi trường điện được bảo vệ tốt, thường là bên trong một phòng đặc biệt.

Loại 1: Môi trường điện được bảo vệ một phần.

Loại 2: Môi trường điện trong đó các cáp đều được cách ly tốt, thậm chí cả các đoạn cáp ngắn.

Loại 3: Môi trường điện trong đó cáp nguồn và viễn thông đi song song với nhau.

Loại 4: Môi trường điện trong đó các đường dây liên kết được đặt bên ngoài, dọc theo cáp nguồn và cáp dùng cho cả các mạch điện, điện tử.

Loại 5: Môi trường điện dành cho các thiết bị điện tử nối với cáp viễn thông và đường dây điện lực trên cao ở khu vực có mật độ dân cư thấp.

Loại x: Các điều kiện đặc biệt quy định trong tài liệu kỹ thuật sản phẩm.

Các thông tin bổ sung khác được trình bày trong các hình từ B.1 đến B.3 phụ lục B.

Để đánh giá khả năng miễn nhiễm mức hệ thống có thể thực hiện một số biện pháp bảo vệ bổ sung phù hợp với các điều kiện lắp đặt thực tế, ví dụ như bảo vệ sơ cấp.

Việc sử dụng xung sét (và các bộ tạo tín hiệu thử) đối với các môi trường khác nhau như sau:

Loại 1 đến 4:	1,2/50 ms (8/20 ms).
Loại 5:	1,2/50   ms (8/20 ms) đối với các cổng dành cho đường dây điện lực và các đường dây/mạch tín hiệu cự ly ngắn. 10/700 ms đối với các cổng dành cho đường dây/mạch tín hiệu cự ly dài.

Trở kháng nguồn phải được đưa ra trong các hình vẽ cấu hình thử.

Bảng A.1: Lựa chọn mức thử (theo điều kiện lắp đặt)

Môi trường	Mức thử
	Nguồn điện Chế độ ghép		Dây/mạch không cân bằng, LDB Chế độ ghép		Dây/mạch cân bằng Chế độ ghép		SDB, DB 1) Chế độ ghép
	dây-dây kV	dây-đất, kV	dây-dây kV	dây-đất, kV	dây-dây kV	dây-đất, kV	dây-dây kV	dây-đất, kV
0 1 2 3 4 5 X	NA NA 0,5 1,0 2,0 2)	NA 0,5 1,0 2,0 4,0 3) 2)	NA NA 0,5 1,0 2,0 2,0	NA 0,5 1,0 2,0 3) 4,0 3) 4,0 3)	NA NA NA NA NA NA	NA 0,5 1,0 2,0 3) 2,0 3) 4,0 3)	NA NA NA NA NA NA	NA NA 0,5 NA NA NA
1) Khoảng cách giới hạn, cấu hình thử đặc biệt, cách bố trí đặc biệt, 10m đến tối đa 30m; không thử đối với cáp nối ngắn hơn 10 m, chỉ áp dụng đối với môi trường loại 2. 2) Tùy theo loại nguồn điện cung cấp. 3) Thường được thử khi có bảo vệ sơ cấp.
Giải thích: DB: đường dây số liệu (data bus) SDB: đường dây cự ly ngắn (short-distance bus) LDB: đường dây cự lý dài (long-distance bus) NA: không dùng (not applicable)

PHỤ LỤC B

(Tham khảo)

MỘT SỐ CHÚ Ý

B.1 Trở kháng nguồn

Việc lựa chọn trở kháng nguồn của bộ tạo tín hiệu phụ thuộc vào:

– Loại cáp/dây dẫn/đường dây (nguồn AC, nguồn DC, dây nối…);

– Chiều dài của cáp/đường dây;

– Các điều kiện trong/ngoài nhà trạm;

– Việc đưa các điện áp thử vào (dây – dây hay dây – đất).

Mức trở kháng 2 W là trở kháng nguồn của mạng điện hạ áp. Sử dụng bộ tạo tín hiệu có trở kháng đầu ra hiệu dụng 2 W.

Mức trở kháng 12 W (10 W + 2 W) là trở kháng nguồn giữa mạng điện hạ áp và đất. Sử dụng bộ tạo tín hiệu có một điện trở phụ 10 W mắc nối tiếp.

Mức trở kháng 42 W (40 W + 2 W) là trở kháng nguồn giữa tất cả các đường dây khác và đất. Sử dụng bộ tạo tín hiệu có một điện trở phụ 40 W mắc nối tiếp.

Ở một số nước (ví dụ, ở Mỹ), các tiêu chuẩn đối với đường dây AC yêu cầu các phép thử phải được thực hiện theo hình 7 và hình 9 với trở kháng 2 W; đây là một phép thử khó thực hiện hơn. Thông thường, yêu cầu này là 10 W.

B.2 Thực hiện các phép thử

Có hai loại phép thử khác nhau cần được phân biệt: phép thử khả năng miễn nhiễm mức thiết bị và phép thử khả năng miễn nhiễm mức hệ thống.

B.2.1 Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị

Phép thử được thực hiện đối với một EUT riêng lẻ trong phòng thử. Khi đó, khả năng miễn nhiễm của EUT gọi là khả năng miễn nhiễm mức thiết bị.

Điện áp thử không được vượt quá điện áp chịu đựng đã quy định của lớp cách điện.

B.2.2 Khả năng miễn nhiễm mức hệ thống

Phép thử thực hiện trong phòng thử đối với EUT. Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị không đảm bảo khả năng miễn nhiễm của hệ thống trong mọi trường hợp.

Như vậy, nên sử dụng phép thử mức hệ thống vì nó mô phỏng các điều kiện lắp đặt thực tế. Điều kiện lắp đặt được mô phỏng bao gồm các thiết bị bảo vệ (bộ phóng điện, varistor, dây có che chắn…), loại và chiều dài thực của dây nối.

Mục đích của phép thử là mô phỏng càng giống các điều kiện lắp đặt thực tế của EUT càng tốt.

Trường hợp thử khả năng miễn nhiễm trong điều kiện lắp đặt thực tế, mức thử điện áp cao hơn có thể được sử dụng, nhưng mức năng lượng phải được hạn chế theo đặc tính giới hạn dòng của thiết bị bảo vệ.

Phép thử cũng phải chỉ ra rằng các ảnh hưởng thứ cấp được tạo ra bởi các thiết bị bảo vệ (sự thay đổi dạng sóng, chế độ, biên độ điện áp hoặc dòng điện) không gây ra các ảnh hưởng xấu đến EUT.

B.3 Phân loại môi trường lắp đặt

Loại 0: Môi trường điện được bảo vệ tốt, thường là bên trong một phòng đặc biệt.

Tất cả các loại cáp nhập trạm đều được bảo vệ chống quá áp (sơ cấp và thứ cấp). Các bộ phận của thiết bị điện tử được nối với nhau bằng một hệ thống tiếp đất hợp lý, về cơ bản không bị ảnh hưởng khi lắp đặt hệ thống thiết bị nguồn hay sét đánh.

Thiết bị điện tử có hệ thống cung cấp nguồn riêng (xem bảng A.1).

Điện áp xung có thể không vượt quá 25 V.

Loại 1: Môi trường điện được bảo vệ một phần.

Tất cả các loại cáp vào phòng này đều được bảo vệ chống quá áp (sơ cấp). Các bộ phận của thiết bị điện tử được nối với nhau bằng một mạng dây đất, về cơ bản không bị ảnh hưởng khi lắp đặt hệ thống thiết bị nguồn hay do sét đánh.

Thiết bị điện tử có hệ thống cung cấp nguồn hoàn toàn cách ly với các thiết bị khác.

Các thao tác đóng ngắt có thể tạo ra các điện áp nhiễu trong phòng.

Điện áp xung có thể không vượt quá 500 V.

Loại 2: Môi trường điện trong đó các sợi cáp đều được cách ly thậm chí cả các đoạn cáp ngắn.

Hệ thống thiết bị được nối đất qua một dây đất cách ly đến hệ thống tiếp đất của nguồn điện, hệ thống này có thể phải chịu các điện áp nhiễu được tạo ra ngay trong hệ thống hoặc do sét đánh. Hệ thống cung cấp nguồn cho thiết bị điện tử được cách ly với các mạch khác, chủ yếu là bằng một biến áp đặc biệt dùng cho hệ thống nguồn.

Trong hệ thống này có các mạch chưa được bảo vệ, nhưng chúng có số lượng hạn chế và đã được cách ly hợp lý.

Điện áp xung có thể không vượt quá 1 kV.

Loại 3: Môi trường điện trong đó các sợi cáp nguồn và viễn thông đi song song với nhau.

Hệ thống thiết bị được nối với hệ thống tiếp đất chung của nguồn điện, hệ thống này có thể phải chịu các điện áp nhiễu được tạo ra do việc lắp đặt thiết bị hoặc do sét đánh.

Dòng điện do lỗi đất, các thao tác đóng ngắt và sét đánh trong hệ thống nguồn có thể tạo ra các điện áp nhiễu tương đối lớn trong hệ thống tiếp đất. Thiết bị điện tử đã được bảo vệ và thiết bị điện có độ nhạy thấp được nối với cùng một hệ thống nguồn. Cáp nối có thể có một phần ngoài trời, nhưng chúng phải gần với hệ thống tiếp đất.

Trong hệ thống thiết bị có các tải điện cảm không được triệt xung và thường không có sự cách ly giữa các loại cáp khác nhau.

Điện áp xung có thể không vượt quá 2 kV.

Loại 4: Môi trường điện trong đó các đường dây nối ra ngoài đi cùng cáp điện lực và cáp thường dùng cho cả các mạch điện và điện tử.

Hệ thống thiết bị được nối với hệ thống tiếp đất của nguồn điện, hệ thống này có thể phải chịu các điện áp nhiễu được tạo ra do việc lắp đặt thiết bị hoặc do sét đánh.

Dòng điện trong dải kA do lỗi đất, các thao tác đóng ngắt và sét đánh trong hệ thống nguồn có thể tạo ra các điện áp nhiễu tương đối lớn trong hệ thống tiếp đất. Thiết bị điện tử và thiết bị điện có thể dùng chung một hệ thống nguồn. Cáp nối được đi ngoài trời, ngay cả đối với thiết bị có điện áp cao.

Trường hợp đặc biệt của môi trường này là khi thiết bị điện tử được nối đến mạng viễn thông trong khu vực có mật độ dân cư cao. Trong môi trường loại này, không có mạng tiếp đất được xây dựng có tính hệ thống ở bên ngoài thiết bị được thử mà hệ thống tiếp đất chỉ bao gồm các ống nước, cáp…

Điện áp xung có thể không vượt quá 4 kV.

Loại 5: Môi trường điện dành cho các thiết bị điện tử nối với cáp viễn thông và đường dây điện lực trên cao ở khu vực có mật độ dân cư thấp.

Tất cả các đường dây và cáp đều được bảo vệ chống quá áp (sơ cấp). Phía ngoài thiết bị điện tử không có hệ thống tiếp đất rộng (công trình không được bảo vệ). Điện áp nhiễu do các lỗi đất (dòng điện đến 10 kA) và do sét đánh (dòng điện đến 100 kA) có thể rất cao.

Yêu cầu của loại môi trường này được quy định bởi mức thử số 4 (xem phụ lục A).

Loại x: Các điều kiện đặc biệt được quy định trong chỉ tiêu kỹ thuật của sản phẩm.

Các ví dụ về các hệ thống thiết bị điện tử trong các vùng khác nhau được cho trong các hình B.1, B.2 và B.3.

B.3.1 Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị tại các cổng nối với mạng điện

Mức miễn nhiễm tối thiểu đối với việc kết nối vào mạng điện công cộng là:

– Ghép dây – dây: 0,5 kV (cấu hình thử theo các hình 6 và 8).

– Ghép dây – đất: 1,0 kV (cấu hình thử theo các hình 7 và 9).

B.3.2 Khả năng miễn nhiễm mức thiết bị tại các cổng nối với các đường dây liên kết

Các phép thử đối với hiện tượng xung trên các mạch nối chỉ cần thực hiện đối với các kết nối bên ngoài (phía ngoài khung giá/nhà thiết bị).

Nếu có thể thực hiện thử khả năng miễn nhiễm mức hệ thống (EUT có cáp đã được nối), thì không cần thử khả năng miễn nhiễm mức thiết bị (ví dụ, các cổng vào/ra tín hiệu hoặc điều khiển) đặc biệt là trong trường hợp vỏ của cáp nối được coi là một phần của các biện pháp bảo vệ. Nếu việc lắp đặt thiết bị không được thực hiện bởi nhà sản xuất thiết bị, phải quy định điện áp có thể chấp nhận đối với các đầu vào/đầu ra của EUT.

Nhà sản xuất thiết bị cần kiểm tra thiết bị trên cơ sở các mức thử đã được quy định để khẳng định khả năng miễn nhiễm mức thiết bị, ví dụ mức thử 0,5 kV đối với EUT có bảo vệ thứ cấp tại các cổng. Sau đó, người sử dụng hoặc người có trách nhiệm đối với hệ thống thiết bị cần áp dụng các biện pháp (như che chắn, liên kết, tiếp đất bảo vệ) để đảm bảo điện áp nhiễu gây ra do sét không vượt quá mức miễn nhiễm đã chọn.

Hình B.1: Ví dụ về việc bảo vệ xung bằng cách che chắn trong các nhà trạm có hệ thống đất chuẩn chung

Hình B.2: Ví dụ về việc bảo vệ xung thứ cấp trong các nhà trạm có hệ thống đất chuẩn chung cách ly

Hình B.3: Ví dụ về bảo vệ xung sơ cấp và thứ cấp của các thiết bị trong hoặc ngoài nhà trạma