TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 11688-1:2016 (ISO/IEC 10373-1:2006 WITH AMENDMENT 1:2012) VỀ THẺ ĐỊNH DANH – PHƯƠNG PHÁP THỬ – PHẦN 1: ĐẶC TÍNH CHUNG

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 11688-1:2016

ISO/IEC 10373-1:2006 WITH AMENDMENT 1:2012

THẺ ĐỊNH DANH – PHƯƠNG PHÁP THỬ – PHẦN 1: ĐẶC TÍNH CHUNG

Identification cards – Test methods – Part 1: General characteristics

 

Lời nói đầu

TCVN 11688-1:2016 hoàn toàn tương đương với ISO/IEC 10373-1:2006 và sửa đổi 1:2012

TCVN 11688-1:2016 do Tiểu Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC 1/SC 17 “Thẻ nhận dạng” biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

Hiện nay, bộ tiêu chuẩn TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) về Thẻ định danh – Phương pháp kiểm thử gồm các tiêu chuẩn:

– TCVN 11688-1:2016 (ISO/IEC 10373-1:2016 and AMD 1:2012), Phần 1: Đặc tính chung;

– TCVN 11688-2:2016 (ISO/IEC 10373-2:2015), Phần 2: Thẻ có sọc từ;

– TCVN 11688-3:2016 (ISO/IEC 10373-3:2010), Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan;

– TCVN 11688-6:2016 (ISO/IEC 10373-6:2016), Phần 6: Thẻ cảm ứng.

 

THẺ ĐỊNH DANH – PHƯƠNG PHÁP THỬ – PHẦN 1: ĐẶC TÍNH CHUNG

Identification cards – Test methods – Part 1: General characteristics

1  Phạm vi áp dụng

TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định phương pháp thử các đặc tính của thẻ định danh theo định nghĩa đưa ra trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810). Mỗi phương pháp thử được tham chiếu chéo với một hoặc nhiều tiêu chuẩn cơ bản, có thể là TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) hoặc một hay nhiều tiêu chuẩn bổ sung xác định công nghệ lưu trữ thông tin dùng trong các ứng dụng thẻ định danh.

Tiêu chuẩn này qui định phương pháp thử chung cho một hoặc nhiều công nghệ thẻ. Các tiêu chuẩn khác trong bộ TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định phương pháp thử công nghệ cụ thể.

CHÚ tHÍCH 1  Các tiêu chí đối với khả năng chấp nhận không thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này, mà có thể trong các tiêu chuẩn khác đã nêu ở trên.

CHÚ THÍCH 2  Phương pháp thử mô tả trong tiêu chuẩn này được thực hiện riêng rẽ. Một thẻ không nhất thiết phải đạt qua tất cả thử nghiệm theo đúng trình tự.

2  Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn sau rất cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả sửa đổi (nếu có).

TCVN 5707:2007 (ISO 1302:2002), Đặc tính hình học của sản phẩm (GPS) – Cách ghi nhám bề mặt trong tài liệu kỹ thuật của sản phẩm;

TCVN 11688-2 (ISO/IEC 10373-2), Thẻ định danh – Phương pháp thử – Phần 2: Thẻ có sọc từ;

TCVN 11167-2 (ISO/IEC 7812-2), Thẻ định danh – Thẻ mạch tích hợp tiếp xúc – Phần 2: Kích thước và vị trí tiếp điểm;

ISO 105-E04:19941, Textiles – Tests for colour fastness – Part E04: Colour fastness to perspiration (Vật liệu dệt – Phương pháp xác định độ bền màu – Phần E04: Độ bền màu với mồ hôi);

ISO 1817, Rubber, vulcanized – Determination of the effect of liquids (Cao su, lưu hóa – Xác định ảnh hưởng của chất lỏng);

ISO 9227:1990, Corrosion tests in artificial atmospheres – Salt spray tests (Kiểm tra ăn mòn trong môi trường nhân tạo – Thử nghiệm phun muối);.

IEC 60749, Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing – Human body model (HBM) (Thiết bị bàn dẫn – Phương pháp thử cơ khí và khí hậu – Thử nghiệm độ nhạy phóng điện ở điện cực (ESD) – Mô hình cơ thể người (HBM)).

3  Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa dưới đây.

3.1

Phương pháp thử (test method)

Phương pháp để thử nghiệm đặc tính của thẻ định danh với mục đích xác nhận sự tuân thủ của thẻ với các tiêu chuẩn.

3.2

Chức năng có thể thử nghiệm (testably functional)

Vẫn hoạt động sau một vài tác động phá hủy tiềm tàng trong các trường hợp sau:

a) bất kỳ sọc từ có mặt trên thẻ vẫn thể hiện rõ mối quan hệ giữa biên độ tín hiệu trước và sau khi phơi nhiễm phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản;

b) mọi (các) mạch tích hợp trong thẻ vẫn thể hiện rõ đáp ứng Answer to Reset (ARP) phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản;

c) mọi tiếp xúc tương ứng với bất kỳ mạch tích hợp nào trong thẻ vẫn thể hiện rõ điện trở phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản;

d) mọi bộ nhớ quang học trong thẻ vẫn thể hiện rõ các đặc tính quang học phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản.

3.3

Độ vênh (warpage)

Độ lệch so với mặt phẳng.

3.4

Chiều cao dập nổi (của ký tự) (embossing relief height (of a character))

Vùng nhô lên của bề mặt thẻ được tạo bởi quá trình dập nổi.

3.5

Độ bền bong tróc (peel strength)

Khả năng của một thẻ chống lại sự phân tách các lớp liền kề của vật liệu trong cấu trúc của thẻ đó.

3.6

Kháng hóa chất (resistance to chemicals)

Khả năng của một thẻ chống lại sự thoái hóa bề ngoài và hiệu năng của thẻ khi tiếp xúc với các hóa chất thường gặp.

3.7

Tính ổn định kích thước (dimensional stability)

Khả năng của một thẻ chống biến đổi kích thước khi tiếp xúc với nhiệt độ và độ ẩm xác định.

3.8

Sự bám dính hoặc tạo khối (adhesion or blocking)

Các thẻ mới có xu hướng bị dính nhau khi xếp chồng.

3.9

Khả năng chống uốn (bending stiffness)

Khả năng của một thẻ chống lại việc uốn cong.

3.10

Ứng suất uốn động (dynamic bending stress)

Ứng suất uốn được tác động đều đặn với độ lớn và hướng cụ thể liên quan đến thẻ.

3.11

Ứng suất xoắn động (dynamic torsional stress)

Ứng suất xoắn được tác động đều đặn với độ lớn và hướng xác định liên quan đến thẻ.

3.12

Hệ số truyền dẫn (quang học) ((optical) transmittance factor)

T

Tỷ số thông lượng (quang học) đo được truyền bởi một mẫu thử nghiệm với thông lượng đo khi mẫu thử nghiệm được gỡ bỏ khỏi khẩu độ lấy mẫu của thiết bị đo:

CHÚ THÍCH  Không áp dụng đối với các phiên bản TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) sau năm 2003.

T = ø_t /ø_j

T	là hệ số truyền dẫn
øt	là thông lượng (quang học) được truyền dẫn
øj	là thông lượng khẩu độ

3.13

Độ chắn sáng (opacity)

Mật độ truyền dẫn (quang học) ((optical) transmission density)

D_T

Lô-ga cơ số 10 của nghịch đảo hệ số truyền dẫn (quang học):

CHÚ THÍCH  Không áp dụng đối với các phiên bản TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) sau năm 2003.

DT = log₁₀1/T = log₁₀ø_j /ø_t

3.14

Sử dụng thông thường (normal use)

Sử dụng như một thẻ định danh (xem Điều 4, TCVN 11165:2015 (ISO/IEC 7810:2003), liên quan đến các quá trình thiết bị phù hợp với công nghệ thẻ và lưu trữ như một tài liệu cá nhân giữa các quá trình thiết bị.

3.15

Thẻ mạch tích hợp (integrated circuit(s) card)

ICC

Thẻ (các) mạch tích hợp.

3.16

Giao thức điển hình và trao đổi thông tin ứng dụng cụ thể (typical protocol và application specific communication)

Mọi trao đổi thông tin giữa một DUT và dụng cụ thử nghiệm tương ứng dựa trên giao thức và ứng dụng thực hiện trong DUT và thể hiện việc sử dụng thông thường của dụng cụ đó.

3.17

Kịch bản thử nghiệm (Test Scenario)

Giao thức điển hình xác định và ứng dụng trao đổi thông tin cụ thể được sử dụng với các phương pháp thử xác định trong tiêu chuẩn này.

3.18

Thẻ mạch tích hợp cảm ứng (Proximity integrated circuit(s) card)

PICC

Thẻ hoặc đối tượng (các) mạch tích hợp cảm ứng.

4  Hạng mục mặc định áp dụng đối với phương pháp thử

4.1  Môi trường thử nghiệm

Trừ khi có quy định khác, thử nghiệm tiến hành trong môi trường có nhiệt độ 23 °C ± 3 °C (73 °F ± 5 °F) và độ ẩm tương đối 40% đến 60%.

4.2  Điều kiện ổn định trước

Ở đây, Điều kiện ổn định trước được yêu cầu bởi phương pháp thử, các thẻ định danh được thử nghiệm phải ở điều kiện môi trường thử nghiệm trong khoảng thời gian là 24 h trước khi tiến hành thử nghiệm.

4.3  Lựa chọn phương pháp thử

Thử nghiệm phải được áp dụng như yêu cầu để thử nghiệm các thuộc tính của thẻ được xác định bởi tiêu chuẩn cơ bản liên quan.

4.4  Dung sai mặc định

Trừ khi có quy định khác, dung sai mặc định là ± 5 % phải được áp dụng cho các giá trị đại lượng cho trước để quy định các đặc tính của thiết bị thử nghiệm (ví dụ các kích thước tuyến tính) và các qui trình phương pháp thử (ví dụ: điều chỉnh thiết bị thử nghiệm).

4.5  Độ không đảm bảo đo tổng

Độ không đảm bảo đo tổng cho từng đại lượng xác định bởi các phương pháp thử này phải được nêu trong báo cáo thử nghiệm.

4.6  Quy ước phép đo điện trên các ICC có tiếp xúc

Sự khác biệt tiềm tàng được xác định liên quan đến tiếp xúc GND của ICC và các dòng đến ICC được coi là dương.

4.7  Dụng cụ đo trên ICC có tiếp xúc

4.7.1  Kẹp giữ ICC mặc định, các trục tham chiếu và vị trí đo mặc định

Khi được yêu cầu bởi phương pháp thử, ICC phải được đặt ở vị trí đo mặc định như xác định sau đó.

Vị trí đo mặc định yêu cầu ICC được định vị trong một kẹp giữ và được làm phẳng bởi một bản phẳng. Tất cả các phép đo có sử dụng vị trí đo mặc định này phải tương ứng với các trục tham chiếu xác định trong Hình Amd.1-1.

4.7.2  Kẹp giữ ICC mặc định và các trục tham chiếu:

Kẹp giữ ICC mặc định phải tuân theo Hình Amd.1-1:

Kích thước theo mi-li-mét

Tất cả các dung sai ± 0,01mm

L, T1 và T2 phải là các trục lăn kim loại, có đường kính 5mm ± 0,1 mm, thô ráp bề mặt Ra < 5 μm, được lắp trên một tấm cứng với thô ráp bề mặt Ra < 5 μm

Hình Amd.1-1 – Kẹp giữ ICC

4.7.3  Bản phẳng

Bản phẳng phải tuân theo Hình Amd.1-2:

Kích thước theo mm

Tất cả các dung sai ± 0,1 mm

Độ thô ráp bề mặt của tấm dát phẳng phải là Ra < 5 μm

Hình Amd.1-2 – Bản phẳng

4.7.4  Vị trí đo mặc định

ICC và bản phẳng phải được gắn trên kẹp giữ như trong Hình Amd.1-3:

F1 và F2 là các lực đặt ở giữa mép phải và mép đáy của thẻ tương ứng để cố định thẻ trong kẹp giữ thẻ.

Bản phẳng phải đặt một lực 2,2 N ± 0,2 N đến bề mặt thẻ

Hình Amd.1-3 – Vị trí ICC và bản phẳng trên kẹp giữ ICC

5  Phương pháp thử

5.1  Độ vênh thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là đo độ vênh của mẫu thử nghiệm thẻ.

5.1.1  Dụng cụ

Một máy chiếu trắc diện hoặc thiết bị tương tự với độ chính xác tối thiểu 0,05 mm (0.0020 in).

5.1.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Đặt thẻ mẫu trên mức mặt phẳng cứng của dụng cụ đo lường. Ít nhất 3 góc thẻ phải được đặt yên trên mặt phẳng (cong vênh của thẻ ở dạng lồi so với mặt phẳng). Đọc mức độ vênh trên thiết bị đo tại điểm chuyển dịch lớn nhất, đo từ mặt trước của thẻ (xem Hình 1).

CHÚ THÍCH  Điểm chuyển dịch lớn nhất không nhất thiết ở giữa tâm thẻ.

Hình 1 – Quan sát khẩu độ hình chiếu của phép đo độ vênh

5.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra giá trị cong vênh đo tại điểm chuyển dịch lớn nhất.

5.2  Kích thước thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là đo chiều cao, chiều rộng và chiều dày của một mẫu thử nghiệm thẻ.

5.2.1  Chiều dày trong các phép đo thẻ

5.2.1.1  Dụng cụ

Một trắc vi kế với đe và mũi quay có đường kính trong dải từ 3 mm đến 8 mm (0.12 in đến 0.32 in), có độ chính xác 0,005 mm (0.00020 in).

5.2.1.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Sử dụng trắc vi kế để đo chiều dày của thẻ tại 4 điểm ở mỗi cung phần tư của thẻ (xem Hình 2 đối với vị trí các cung phần tư). Các phép đo phải thực hiện tại các vị trí trên thẻ không chứa bản chữ ký, các sọc từ hoặc các tiếp điểm (các thẻ có (các) mạch tích hợp), hoặc mọi vùng nổi lên. Lực của trắc vi kế phải là 3,5 N đến 5,9 N (0.79 lbf đến 1.33 lbf).

5.2.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra các giá trị lớn nhất và nhỏ nhất của 4 phép đo.

Hình 2 – Phân bố các cung phần tư

5.2.2  Chiều cao và chiều rộng của phép đo thẻ

5.2.2.1  Dụng cụ

Yêu cầu các hạng mục sau:

a) mức bề mặt cứng chiều ngang có độ nhám trung bình không lớn hơn 3,2 μm (0.000128 in) theo TCVN 5707:2007 (ISO 1302:2002);

b) thiết bị đo với độ chính xác 2,5 mm (0.0001 in);

c) tải bằng 2,2 N ± 0,2 N (0.495 lbf ± 0.045 lbf).

5.2.2.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Đặt thẻ mẫu trên mức bề mặt cứng chiều ngang và làm phẳng khi chịu tải. Đo chiều cao và chiều rộng thẻ. Tìm chiều cao, chiều rộng lớn nhất và nhỏ nhất.

5.2.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ thẻ có phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản hay không và phải ghi lại các giá trị chiều cao, chiều rộng lớn nhất và nhỏ nhất.

5.3  Độ bền bong tróc

Mục đích của thử nghiệm này là đo độ bền bong tróc giữa các lớp thẻ.

5.3.1  Dụng cụ

Yêu cầu các hạng mục sau:

a) dao cắt sắc;

b) băng sợi tơ dính nhạy cảm sức nén (sợi được gia cố) hoặc kẹp phù hợp;

c) máy thử nghiệm sức căng được trang bị máy ghi biểu đồ hoặc tương đương;

d) thiết bị kẹp;

e) (nếu được yêu cầu) tấm ổn định được hỗ trợ chất dính hoặc băng dính và phù hợp với các yêu cầu sau:

1) độ kết dính phải đủ để đảm bảo bản kim loại và thẻ không bị phân tách trong khi thử nghiệm;

2) bản kim loại phải không bị uốn trong khi đo;

3) kích cỡ bản kim loại bằng, hoặc lớn hơn kích cỡ thẻ.

VÍ DỤ  Một bản kim loại phù hợp có thể là bản nhôm kích cỡ 60 mm x 90 mm x 2 mm dán băng dính phía sau.

5.3.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Cắt thẻ hoặc khía xuyên các lớp, để tạo ra các phần có chiều rộng 10,0 mm ± 0,2 mm (0,390 in ± 0,008 in) như trong Hình 3.

Hình 3 – Chuẩn bị thẻ

Sử dụng một con dao sắc, cắt lớp sau từ lõi khoảng 10 mm (0.4 in) và sử dụng kẹp hoặc băng dính để cắt cạnh sau của lớp và lõi như trong Hình 4.

Hình 4 – Chuẩn bị mẫu thử nghiệm vỏ thẻ

Nếu góc bong tróc không thể giữ 90° trong quá trình đo, đính kèm các tấm ổn định vào lõi phía trước.

Đặt mẫu thử nghiệm chuẩn bị trước vào chỗ cố định bộ thử nghiệm kéo dài như trong Hình 5. Thẻ được cố định trên dụng cụ.

Hình 5 – Mẫu thử nghiệm được lắp trong bộ thử nghiệm sức căng

Vận hành bộ thử nghiệm kéo dài theo các hướng dẫn của nhà sản xuất ở 300 mm/min (11.8 in/min) để xác định độ bền bong tróc vỏ trong N (lbf).

Loại trừ 5 mm đầu tiên và cuối cùng và bất kỳ tính năng nào nhỏ hơn 1 mm chiều dài (các đầu nhọn) từ việc đo đạc, tìm que thử nghiệm có giá trị độ bền bong tróc vỏ thấp nhất, sử dụng Hình 6 như một chỉ dẫn. Ghi lại giá trị này như độ bền bong tróc vỏ đo được của thẻ.

CHÚ THÍCH  Các kích thước chỉ ra trong Hình 6 là những kích thước thẻ.

Kích thước bằng mi-li-mét

Hình 6 – Ví dụ về việc ghi biểu đồ độ bền bong tróc vỏ

5.3.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra độ bền bong tróc vỏ đo được, cùng với định danh que thử. Báo cáo cũng bao gồm việc ghi lại biểu đồ, chỉ rõ vị trí giá trị nhỏ nhất được tìm thấy và phải nêu rõ có xảy ra vết rách không.

5.4  Tính kháng hóa chất

Mục đích của thử nghiệm này là xác định mọi tác dụng có hại của một loạt các chất hóa học ô nhiễm trên một mẫu thẻ thử nghiệm.

5.4.1  Các chất thử

5.4.1.1  Giải pháp cho thử nghiệm phơi nhiễm ngắn hạn

a) 5 % khối lượng dung dịch natri clorua (NaCl, 98% thử tối thiểu);

b) 5 % khối lượng dung dịch axit axetic (CH₃COOH, 99% thử tối thiểu);

c) 5 % khối lượng dung dịch natri cacbon (Na₂CO₃, 99% thử tối thiểu);

d) 60 % khối lượng dung dịch rượu etylic (CH₃CH₂OH, rượu ngũ cốc, 93% thử tối thiểu);

e) 10 % khối lượng dung dịch sucroza – đường mía (C₁₂H₂₂O₁₁, 98% thử tối thiểu);

f) Nhiên liệu B (theo ISO 1817);

g) 50 % khối lượng dung dịch etylen glycol (HOCH₂CH₃OH, 98% thử tối thiểu).

5.4.1.2  Giải pháp cho phơi nhiễm dài hạn

a) sương muối;

b) mồ hôi nhân tạo (cả hai giải pháp phải được chuẩn bị phù hợp với ISO 105-E04:1994),

1) dung dịch kiềm,

2) dung dịch axit.

5.4.2  Qui trình

Sử dụng một thẻ mẫu khác để thử nghiệm.

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Tùy theo từng thẻ để một cuộc kiểm tra trực quan thiết lập sự xuất hiện của nó trước khi thử nghiệm và ghi lại kết quả kiểm tra đó.

Thực hiện bất kỳ sự tiếp xúc trước nào đó các phép đo được yêu cầu bởi tiêu chuẩn cơ bản.

Đối với thẻ có một sọc từ, ghi từng thẻ mẫu tại 20 ft/mm (500 ftpi) sử dụng một dòng điện ghi thử nghiệm Imin (hoặc mật độ và dòng điện ghi thử nghiệm quy định theo tiêu chuẩn cơ bản), đọc và ghi lại biên độ tín hiệu.

Đưa ra thẻ phù hợp với ô nhiễm ngắn hạn hoặc dài hạn được mô tả trong 5.4.2.1 và 5.4.2.2.

Ngay sau khi tiếp xúc với Nhiên liệu B (5.4.1.1 f). loại bỏ các hóa chất dư thừa khỏi bề mặt bằng cách sử dụng giấy thấm và làm khô nó ≥ 15 min trong một ống thông hơi.

Ngay sau khi loại bỏ theo tất cả các giải pháp khác (5.4.1.1.a), b), c), d), e) or g)), loại bỏ các hóa chất dư thừa khỏi bề mặt bằng cách rửa nó trong nước cất và làm khô với giấy thấm.

Thực hiện bất kỳ sự tiếp xúc trước nào đó các phép đo được yêu cầu bởi tiêu chuẩn cơ bản.

Đối với các thẻ có một sọc từ, đọc biên độ tín hiệu trên dụng cụ sử dụng các phép đo có tiếp xúc trước và so sánh kết quả với biên độ đạt được tại thời điểm bắt đầu thử nghiệm.

Tùy theo từng thẻ để một cuộc kiểm tra trực quan xác định các ảnh hưởng của thử nghiệm trên sự xuất hiện của nó và ghi lại kết quả kiểm tra đó.

5.4.2.1  Phơi nhiễm ngắn hạn

Phơi nhiễm thẻ trong 1 min theo một trong các giải pháp đã liệt kê ở 5.4.1.1 với việc giữ nhiệt độ trong khoảng 20 °C và 25 °C.

5.4.2.2  Phơi nhiễm dài hạn

Phơi mẫu thẻ với sương muối (xem 5.4.1.2) trong 24 h trong khi đặt trong một buồng kín tuân theo ISO 9227:1990.

Cho thẻ mẫu ngập trong từng dung dịch mồ hôi nhân tạo (xem 5.4.1.2) trong 24 h.

5.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu thẻ có chức năng có thể thử nghiệm hay không (xem Điều 3) và phải đưa ra kết quả:

a) mọi thử nghiệm trước và sau tiếp xúc được yêu cầu bởi tiêu chuẩn cơ bản;

b) kiểm tra bằng trực quan.

5.5  Tính ổn định kích thước thẻ và cong vênh với nhiệt độ và độ ẩm

Mục đích của thử nghiệm này là thiết lập xem kích thước và mặt phẳng của một mẫu thẻ thử nghiệm có đảm bảo theo các yêu cầu của tiêu chuẩn cơ bản sau khi tiếp xúc với nhiệt độ và độ ẩm môi trường đã quy định không.

5.5.1  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm.

Đặt thẻ mẫu trên một mặt phẳng nằm ngang và tiếp xúc với từng môi trường được liệt kê lần lượt dưới đây trong 60 min.

-35 °C ± 3 °C (-31 °F ± 5 °F);

+50 °C ± 3 °C (+122 °F ± 5 °F) và độ ẩm tương đối 95 % ± 5 %.

Sau khi lần lượt tiếp xúc, trả thẻ mẫu lại môi trường thử nghiệm mặc định mô tả trong 4.1 và giữ nó trong môi trường này trong 24 h trước khi đo sự ổn định kích thước và cong vênh của nó.

5.5.2  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra bộ hoàn thiện các giá trị đo về các kích thước thẻ mẫu và cong vênh thẻ, thực hiện sau mỗi tiểu – chu kỳ tiếp xúc.

5.6  Sự bám dính hoặc tạo khối

Mục đích của thử nghiệm này là xác định mọi ảnh hưởng có hại khi các mẫu thử nghiệm thẻ không được dập nổi (các thẻ kết thúc) xếp chồng nhau.

5.6.1  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu không dập nổi tuân theo 4.2 trước khi thử nghiệm.

Kiểm tra xem mỗi thẻ cá nhân có thể dễ dàng tách ra bằng tay không.

Xếp chồng 5 thẻ thành một nhóm, tất cả theo cùng hướng mặt sau thẻ úp xuống. Dùng một lực không đổi 2,5 kPa ± 0,13 kPa (0.362 psi ± 0.018 psi) tác động lên bề mặt thẻ trên cùng.

Phơi các thẻ được xếp chồng trong một môi trường duy trì ở nhiệt độ 40°C ± 3°C (104°F ± 5°F) và một độ ẩm tương đối khoảng 40% đến 60% trong 48 h.

Vào cuối giai đoạn 48 h, trả các thẻ xếp chồng vào môi trường thử nghiệm mặc định trong 4.1 và kiểm tra các thẻ cá nhân có thể dễ dàng được tách ra bằng tay hay không.

Xem xét việc hư hỏng có thể nhìn thấy được ở các thẻ cá nhân do thử, bao gồm mọi mức độ:

Phân lớp;

Đổi màu hoặc chuyển màu;

Thay đổi bề mặt;

Chuyển vật liệu từ một thẻ sang một thẻ kế cận;

Biến dạng của thẻ khi so sánh sự xuất hiện thẻ trước khi thử nghiệm.

5.6.2  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ thẻ có dễ phân tách bằng tay hay không trước và sau khi tiếp xúc với các điều kiện môi trường thử nghiệm. Nêu rõ mọi dấu hiệu trực quan về việc hư hỏng, nếu có. Nếu có hư hỏng, phải mô tả bản chất và mức độ nghiêm trọng của các hư hỏng đó.

5.7  Khả năng chống uốn

Mục đích của thử nghiệm này là xác định xem khả năng chống uốn của mẫu thử nghiệm thẻ có nằm trong giới hạn được thiết lập bởi tiêu chuẩn cơ bản hay không.

5.7.1  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Sử dụng cùng dụng cụ như sử dụng trong thử nghiệm khả năng chống nhiệt (xem 5.15), gắn thẻ mẫu để thẻ được kẹp dọc toàn bộ bên trái, bề mặt trước hướng lên.

Đo h₁ (xem Hình 7).

Đặt một tải F tương đương với 0,7 N (0.16 lbf) trong 3 mm (0.12 in) dọc toàn bộ bên phải của thẻ trong 1 min.

Đo h₂ (xem Hình 8).

Bỏ tải F.

Sau 1 min, đo h₃ (xem Hình 9).

Kích thước theo mi-li-mét

Hình 7 – Thẻ trong thiết bị kẹp trước khi chịu tải

Hình 8 – Thẻ trong thiết bị kẹp trong khi chịu tải

Hình 9 – Thẻ trong thiết bị kẹp sau khi không tải

5.7.2  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra các giá trị đo được của h₁, h₂ và h₃, cùng với các giá trị đã tính về độ lệch của tải (h­₁ – h₂) và độ lệch của biến dạng (h₁ – h₃) liên quan đến điều kiện ban đầu sau khi bỏ tải.

5.8  Ứng suất uốn động

Mục đích của thử nghiệm này là xác định mọi tác động cơ học hay chức năng có hại nào của ứng suất uốn đối với một mẫu thử nghiệm thẻ.

5.8.1  Dụng cụ

Dụng cụ được sử dụng để áp dụng ứng suất uốn động cho thẻ trong thử nghiệm phải được thể hiện trong Hình 10.

Phần dịch chuyển của dụng cụ được kích hoạt bởi một tổ hợp trục quay, do vậy, các ứng suất uốn thay đổi theo hình sin với tần số 0,5 Hz. Độ lệch tối thiểu h_v được thiết lập bởi vị trí bắt đầu của phần dịch chuyển và độ lệch lớn nhất h_w được thiết lập bằng cách điều chỉnh bước di chuyển của nó.

CHÚ THÍCH 1  h_v và h_w đều được đo mặt dưới của thẻ.

CHÚ THÍCH 2  Ưu tiên α = 30° để cho phép thiết bị sử dụng có thể thay thế đối với thử nghiệm uốn cong vật liệu thẻ nhựa trong thử nghiệm độ bền của thẻ.

Kích thước bằng mi-li-mét

Hình 10 – Bộ thử nghiệm uốn một bên

5.8.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Đặt thẻ mẫu giữa các ngàm của bộ thử nghiệm thể hiện trong Hình 10, tại vị trí đó xảy ra uốn cong do độ cong của chiều rộng thẻ dọc theo trục B (xem Hình 11). Nếu thẻ có các tiếp điểm thì đầu tiên nên định vị với các tiếp điểm ở trên cùng.

Trừ khi được quy định bởi tiêu chuẩn cơ bản, thiết lập vị trí ban đầu của dụng cụ để đạt được độ lệch tối thiểu h_v bằng 2,00 mm ± 0,05 mm (0,079 in ± 0,020 in) và bước di chuyển đạt được độ lệch lớn nhất h_w là 20,00 mm + 0,00 mm, – 1,00 mm (0.787 in + 0.000 in, – 0.039 in).

Tác dụng 1/4 tổng số lần uốn quy định bởi tiêu chuẩn cơ bản hoặc nếu không quy định số lần, thì là 250 lần uốn.

Đặt lại các vị trí thẻ để mặt đối diện của thẻ ở trên nhưng vẫn xảy ra uốn bởi độ cong của chiều rộng thẻ dọc theo trục B.

Tác dụng cùng số các lần uốn như bên trên.

Định vị lại thẻ và thiết lập lại bộ thử nghiệm để mặt ban đầu của thẻ hướng lên trên nhưng vẫn xảy ra uốn bởi độ cong của chiều cao thẻ dọc theo trục (xem Hình 11). Nếu thẻ có các tiếp điểm thì thẻ phải được định vị tại điểm này với tiếp điểm ở trên cùng.

Hình 11 – Định nghĩa các trục

Trừ khi được quy định bởi tiêu chuẩn cơ bản, thiết lập vị trí ban đầu của dụng cụ để đạt được độ lệch tối thiểu h_v là 1,00 ± 0,05 mm (0.040 in ± 0.020 in) và bước di chuyển đạt được độ lệch lớn nhất h_w là 10,00 mm + 0,00 mm, – 1,00 mm (0.39 in + 0.00 in, – 0.04 in).

Tác dụng cùng số lần uốn như bên trên.

Đặt lại các vị trí thẻ để mặt đối diện của thẻ ở trên nhưng uốn cong vẫn xảy ra bởi độ cong của chiều cao thẻ dọc theo trục A.

Tác dụng cùng số lần uốn như bên trên.

Kiểm tra xem thẻ có chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) tại thời điểm đầu và kết thúc thử nghiệm. Cũng có thể kiểm tra tại bất kỳ điểm nào thuận tiện trong quá trình thử nghiệm.

5.8.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu thẻ có hay không có chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) vào cuối thử nghiệm.

5.9  Ứng suất xoắn động

Mục đích của thử nghiệm này là xác định mọi tác động cơ học hoặc điện có hại phát sinh từ việc tác dụng lặp lại ứng suất xoắn đối với một mẫu thử nghiệm thẻ.

5.9.1  Dụng cụ

Dụng cụ được sử dụng để tác dụng ứng suất xoắn động cho thẻ trong thử nghiệm phải được thể hiện trong Hình 12.

Dụng cụ thay đổi ứng suất xoắn tác dụng theo hình sin lên đến một giới hạn gốc xác định trước, như trong Hình 13.

Kích thước theo mi-li-mét

Hình 12 – Máy thử nghiệm độ xoắn

5.9.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Vị trí thẻ dưới thử nghiệm trong bộ thử nghiệm xoắn chỉ ra trong Hình 12 do vậy nó được giữ lỏng trong các rãnh của 2 ray chỉ dẫn, điều chỉnh khoảng cách d sao cho các cạnh bên ngắn của thẻ có thể quay qua một góc lên đến ± α liên quan đến vị trí trung điểm.

Thiết lập tần số thử nghiệm 0,5 Hz và góc quay α = 15° ± 1° và thực hiện số chu kỳ xoắn quy định theo tiêu chuẩn cơ bản, hoặc nếu không có số quy định, là 1 000 chu kỳ xoắn.

Kiểm tra xem thẻ có chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) tại thời điểm đầu và kết thúc thử nghiệm. Nó cũng có thể kiểm tra trong thử nghiệm sau 1/4 chu kỳ xoắn quy định theo tiêu chuẩn cơ bản.

Hình 13 – Hàm ứng suất tuần hoàn

5.9.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu thẻ có hay không có chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) vào cuối thử nghiệm.

5.10  Độ chắn sáng

LƯU Ý – Hai thử nghiệm về độ chắn sáng đã cho. Đây là kết quả của chuyển đổi có kế hoạch trong tiêu chuẩn cơ bản đối với một phương pháp nhằm cung cấp một đại diện trực tiếp hơn về các phương tiện phát hiện sử dùng các thiết bị xử lý tay. Người sử dụng được cảnh báo chỉ dùng phương pháp phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản mà các thẻ theo thử nghiệm được yêu cầu phải tuân theo.

5.10.1  Độ chắn sáng phù hợp với phiên bản ISO/IEC 7810 trước và bao gồm TCVN 11165:2015 (ISO/IEC 7810:2003)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định độ chắn sáng của các vùng quy định của một mẫu thẻ thử nghiệm.

CHÚ THÍCH  Thử nghiệm này được yêu cầu cho các ứng dụng mà trong đó sự có mặt của một thẻ được phát hiện bởi sự suy giảm ánh sáng truyền giữa một nguồn và một cảm biến.

5.10.1.1  Dụng cụ

Một quang phổ với một tích hợp không gian khuếch tán ánh sáng hình cầu có thể đo độ chắn sáng trên một dải quang phổ từ 400 nm đến 1 000 nm với khẩu độ 8 mm.

5.10.1.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Hiệu chỉnh dụng cụ theo những hướng dẫn của nhà sản xuất.

Vị trí mẫu thẻ nằm gần nhất với cổng tích hợp hình cầu (tổng số chế độ truyền sáng cho một vài dụng cụ).

Trong các khu vực thẻ được quy định bởi tiêu chuẩn cơ bản, tìm và ghi độ chắn sáng nhỏ nhất trên dải bước sóng 400 nm đến 1 000 nm, thực hiện các phép đo tại các khoảng bước sóng 20 nm.

CHÚ THÍCH  Các số đo cần thiết để tìm độ chắn sáng nhỏ nhất bị giảm khi vị trí đã được thiết lập sẵn.

5.10.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra giá trị đã ghi được về độ chắn sáng nhỏ nhất, dải bước sóng, và vị trí của giá trị ghi được.

5.10.2  Độ chắn sáng phù hợp với các phiên bản sau TCVN 11165:2015 (ISO/IEC 7810:2003)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định độ chắn sáng của một mẫu thử nghiệm thẻ trong các vùng được quy định bởi tiêu chuẩn cơ bản tại 2 bước sóng hồng ngoại (IR) khác nhau đại diện cho việc sử dụng phổ biến nhất trong các ứng dụng trong đó sự có mặt của thẻ được phát hiện bởi sự suy giảm ánh sáng truyền giữa phát xạ và máy dò.

Lưu ý – Tại thời điểm công bố, các bộ phát IR thường sử dụng là GaAIAs (Gallium Aluminum Arsenide) hoặc GaAs (Gallium Arsenide) các điốt phát quang (LED) phát ánh sáng IR tại đỉnh các bước sóng thông thường tại 860 nm và 950 nm tương ứng.

5.10.2.1  Dụng cụ

a) Bộ đôi máy thăm dò và phát xạ với những đặc tính sau:

	Các bước sóng
	IR gần	IR xa
LED điện năng bức xạ tối thiểu (mW)	5	5
LED bước sóng phát xạ đỉnh (nm)	860 ± 10	950 ± 10
LED chiều rộng tối đa của nửa dải quang phổ (nm)	50	50
Máy thăm dò bước sóng danh nghĩa cho độ nhay cao (nm)	900	900

c) Vật liệu chắn tia sáng IR với độ mở cho máy thăm dò và LED được thể hiện trong Hình 14.

Kích thước theo mi-li-mét (in-sơ)

Hình 14 – Căn chỉnh IR LED và máy dò

c) Gắn phù hợp vị trí IR LED và máy dò theo dòng, trong khoảng ± 0,25 mm (0.010 in) và một góc hình nón 5 độ, và bảo vệ chúng khỏi ánh sáng xung quanh (xem Hình 14 chi tiết dưới đây).

Hình 14 (chi tiết) – Căn chỉnh nguồn và cảm biến

d) Mạch để kiểm soát phát xạ và cung cấp các phương tiện để đo dòng điện qua máy dò như trong Hình 15.

Hình 15 – Mạch thử nghiệm chắn sáng truyền dẫn (cho mỗi bước sóng)

CHÚ THÍCH  Chọn điện trở IR LED cho một dòng điện chuyển tiếp (IF) không quá 90% mức lớn nhất của nhà sản xuất. Phù hợp nhất là một máy dò dòng điện 5 đến 15 ma khi không có gì giữa IR LED và máy dò.

5.10.2.2  Qui trình

Nếu thiết bị cơ giới được sử dụng để quét thẻ, khoảng cách giữa các vị trí phép đo riêng lẻ phải nhỏ hơn hoặc bằng một nửa đường kính khẩu độ. Đối với một phương pháp quét liên tục tốc độ nên ít hơn 0,05 lần đường kính khẩu độ chia cho thời gian đáp ứng của hệ thống LED /máy dò.

5.10.2.2.1  Hiệu chuẩn

Đặt vật liệu tham khảo ORM7810, xác định bởi tiêu chuẩn cơ bản, giữa LED và máy dò, gần nhất với máy dò. Ghi dòng điện nhỏ nhất qua máy dò, lref. Dịch chuyển vật liệu tham khảo giữa LED và máy dò để thu được dòng điện nhỏ nhất. Loại bỏ vật liệu tham khảo sau khi hiệu chuẩn.

CHÚ THÍCH  Vật liệu tham khảo ORM7810 có thể thu được từ các phòng thí nghiệm Eclipse, 7732 West 78th Street, Bloomington, MN55439 USA <www.eclipselaboratories.com>.

5.10.2.2.2  Phép đo

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Định vị thẻ thử nghiệm giữa LED và máy dò, LED và máy dò, gần nhất với máy dò. Ghi dòng điện lớn nhất qua máy dò, Icard, trong các vùng của thẻ được quy định bởi tiêu chuẩn cơ bản. Dịch chuyển thẻ thử nghiệm giữa LED và máy dò để thu được dòng điện lớn nhất.

Tìm và ghi tỷ lệ độ chắn sáng: lcard / lref cho từng bước sóng LED.

5.10.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra giá trị ghi được về tỷ lệ độ chắn sáng nhỏ nhất cho từng bước sóng LED và vị trí của giá trị ghi được.

5.11  Tia cực tím

Mục đích của thử nghiệm này là xác định mọi tác động có hại phát sinh khi phơi mẫu thẻ thử nghiệm dưới tia cực tím.

5.11.1  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Phơi thẻ mẫu dưới sánh sáng đơn sắc tại bước sóng 254 nm, đảm bảo điều kiện môi trường thử nghiệm được duy trì.

Mặt trước của thẻ tiếp xúc với một năng lượng 0,15 Ws/mm2, sau đó lặp lại quá trình cho mặt sau của thẻ.

Bức xạ ở bề mặt thẻ phải tương ứng với một thời gian tiếp xúc khoảng 10 đến 30 min, theo công thức:

Thời gian (s) =	0,15 (Ws/mm2)
	Bức xạ (W/mm2)

VÍ DỤ  với một bức xạ 0,12 mW/mm², thời gian tiếp xúc 20 min, 50 s.

Kiểm tra xem thẻ có còn chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) vào cuối thử nghiệm.

5.11.2  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu thẻ có hay không có chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) vào cuối thử nghiệm.

5.12  Tia X

Mục đích của thử nghiệm này là xác định mọi tác động có hại phát sinh từ việc tiếp xúc với các tia X của một mẫu thẻ thử nghiệm.

5.12.1  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Phơi cả 2 mặt của thẻ dưới bức xạ tia X-ray với điện áp gia tốc 100 kV, để xác định phân lượng trong tiêu chuẩn.

Kiểm tra xem thẻ có còn chức năng có thể thử nghiệm sau khi tiếp xúc.

5.12.2  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu thẻ có hay không có chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) vào cuối thử nghiệm.

5.13  Từ trường tĩnh

Mục đích của thử nghiệm này là xác định mọi tác dụng phụ của một từ trường tĩnh trên một mẫu thẻ thử nghiệm.

5.13.1  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Giới thiệu các thẻ vào một từ trường tĩnh, giá trị của nó được xác lập trong tiêu chuẩn cơ bản, như vậy hướng của trường vuông góc với mặt phẳng của thẻ. Tốc độ chèn được nằm giữa 200 mm/s (7.9 in/s) và 250 mm/s (9.8 in/s).

Kiểm tra xem thẻ có còn chức năng có thể thử nghiệm vào cuối thử nghiệm.

5.13.2  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu thẻ có hay không có chức năng có thể thử nghiệm (xem Điều 3) vào cuối thử nghiệm.

5.14  Chiều cao dập nổi của các ký tự

Mục đích của thử nghiệm này đạt được chiều cao tổng và chiều cao nổi của các ký tự in dập nổi trong một mẫu thử nghiệm thẻ.

5.14.1  Dụng cụ

Một trắc vi kế với một đe và trục phẳng có đường kính trong khoảng từ 3 mm đến 8 mm (0.12 in đến 0.31 in)

5.14.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành thử nghiệm trong môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1.

Sử dụng trắc vi kế với một lực 3,5 N đến 5,9 N (0.78 lbf đến 1.33 lbf) để đo chiều cao dập nổi của bất kỳ một ký tự nào.

Tính chiều cao nổi bằng cách trừ đi chiều dày của thẻ, được đo ở góc toạ độ liên quan (xem Hình 2) từ giá trị chiều cao tổng thể thu được từ việc đo trực tiếp.

5.14.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra giá trị chiều cao chạm nổi và chiều cao phủ ngoài của mỗi ký tự.

5.15  Khả năng chống nhiệt

Mục đích của thử nghiệm này là xác định xem cấu trúc của thẻ có duy trì được ổn định trong các yêu cầu của tiêu chuẩn cơ bản trong khi tiếp xúc với nhiệt độ được yêu cầu hay không. Khả năng chống nhiệt của thẻ hoàn thiện được đo bởi việc xác định độ biến dạng của thẻ sau khi tiếp xúc với nhiệt độ nhất định.

Biến dạng lớn nhất của thẻ (∆h) với tham chiếu đến một nhiệt độ nhất định thu được hai kết quả khi thẻ được đặt vào dụng cụ thử nghiệm với mặt trước thẻ hướng lên (∆hF) và mặt sau thẻ hướng lên (∆hB).

5.15.1  Dụng cụ

Thiết bị kẹp có thể kẹp các thẻ mẫu vĩnh viễn (xem Hình 16), và một buồng kín khí hậu cho phép biến đổi nhiệt độ và độ ẩm như mô tả dưới đây.

5.15.2  Qui trình

Điều kiện ổn định trước các thẻ mẫu theo 4.2 trước khi thử nghiệm và tiến hành kiểm tra dưới môi trường thử nghiệm xác định trong 4.1. Gắn thẻ mẫu trong thiết bị kẹp do vậy nó được kẹp dọc theo toàn bộ cạng ngắn, hướng mặt trước lên trên. Đối với các thẻ mạch tích hợp có tiếp điểm, các thẻ sẽ được đặt như vậy với các vị trí tiếp xúc là đối diện với thiết bị kẹp. Đo h1 như trong Hình 16.

Kích thước theo mi-li-mét

Hình 16 – Thẻ trong thiết bị kẹp trước khi tiếp xúc với nhiệt độ

Đặt thiết bị kẹp với thẻ vào trong buồng kín khí hậu với các điều kiện nhiệt độ và độ ẩm mô tả trong tiêu chuẩn cơ bản trong một khoảng thời gian 4 h. Ở nhiệt độ trên 50° C điều kiện khí hậu có thể không kiểm soát độ ẩm, do các giới hạn kỹ thuật của buồng kín khí hậu. Đảm bảo thẻ thử nghiệm không tiếp xúc với các dòng không khí trong buồng kín.

Vào giai đoạn cuối của thử nghiệm, thiết bị kẹp với thẻ được chuyển khỏi buồng kín. Sau một thời gian làm mát tối thiểu 30 min trong một môi trường thử nghiệm phù hợp 4.1, đo h2 như trong Hình 17.

Hình 17 – Thẻ trong thiết bị kẹp sau khi tiếp xúc với nhiệt độ

Tính ∆hF: ∆hF = h1-h2

Lặp lại hoàn toàn qui trình với một thẻ thứ hai cùng chất lượng, thời gian và ngược lại và

Tính ∆hB: ∆hB = h1-h2.

Xác định độ lệch tối đa ∆h i.e. ∆h = (│∆hF│,│∆hB│) lớn nhất

Kiểm tra thẻ một cách trực quan về việc phân lớp và đổi màu.

5.15.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra độ lệch lớn nhất Dh và phải nêu có hay không sự phân tách hoặc đổi màu xảy ra trên các thẻ thử nghiệm.

5.16  Biến dạng bề mặt và các vùng nổi

Biến dạng bề mặt và các vùng nổi (ngoại trừ các ký tự nổi) phải được đo với cùng dụng cụ và các qui trình như đã đưa ra về độ cao và trắc diện bề mặt của các sọc từ trong TCVN 11688-2 (ISO/IEC 10373-2).

5.17  Kích thước và định vị tiếp điểm đối với các ICC có tiếp xúc

Mục đích là để xác định sự phù hợp của các kích thước và vị trị của tiếp điểm ICC với TCVN 11167-2 (ISO/IEC 7816-2).

5.17.1  Dụng cụ

Một kẹp giữ và một bản phẳng theo 4.7.1.

Mọi thiết bị có khả năng thực hiện qui trình dưới đây với độ chính xác xác định.

5.17.2  Qui trình

Gắn ICC vào vị trí đo mặc định như xác định trong 4.6.1.

Xây dựng 2 đường song song với trục tham chiếu X và 2 đường song song với trục tham chiếu Y trên bề mặt ICC, việc tạo vùng tiếp xúc nhỏ nhất C1 như xác định trong TCVN 11167-2 (ISO/IEC 7816-2) với độ chính xác bằng hoặc hơn 0,01 mm.

Kiểm tra nếu khu vực hình chữ nhật bao quanh bởi 4 đường bao phủ hoàn toàn bằng kim loại tiếp xúc và lưu ý kết quả.

Kiểm tra nếu kim loại trong khu vực hình chữ nhật bao quanh bởi 4 đường được kết nối với kim loại trong vùng tiếp xúc nhỏ nhất khác và lưu ý kết quả.

Lặp lại từ b) đến d) cho các vùng tiếp xúc nhỏ nhất C2 đến C8.

5.17.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu từng vùng tiếp xúc nhỏ nhất quan sát được, nơi hoàn toàn bị bao phủ bởi kim loại tiếp xúc và nếu nó kết nối với kim loại trong bất kỳ vùng tiếp xúc nhỏ nhất khác.

5.18  Thử nghiệm tĩnh điện các ICC có tiếp xúc

IEC 60749-26 phải được sử dụng để thử nghiệm sự phù hợp với các yêu cầu tĩnh điện của tiêu chuẩn cơ bản.

5.18.1  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ thẻ khi thử nghiệm có duy trì được chức năng có thể thử nghiệm sau khi tiếp xúc không.

5.19  Thử nghiệm tĩnh điện cho các ICC tiệm cận và phụ cận

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra hành động của IC thẻ liên quan đến phóng điện (ESD) phơi trong mẫu thẻ thử nghiệm. PICC hoặc VICC trong thử nghiệm được tiếp xúc với phóng tĩnh điện mô phỏng (ESD, mô hình cơ thể người) và hoạt động cơ bản của nó đã kiểm tra sau khi tiếp xúc.

Hình Amd.1-4 – Mạch thử nghiệm ESD

5.19.1  Dụng cụ

Tham khảo IEC 61000-4-2:19952.

a) Các đặc điểm kỹ thuật chính của máy phát ESD:

– điện dung lưu trữ năng lượng: 150 pF ± 10 %:

– điện trở phóng: 330 Ω ± 10 %;

– điện trở nạp: giữa 50 MΩ và 100 MΩ;

– thời gian tăng: 0,7 ns đến 1 ns.

b) đặc điểm kỹ thuật được chọn từ các mục hạng tùy chọn:

– kiểu thiết bị: thiết bị đầu bàn thử;

– phương pháp phóng: ứng dụng trực tiếp phóng không khí đến thiết bị khi thử nghiệm;

– điện cực phóng của máy phát ESD: đầu dò tròn đường kính 8 mm.

5.19.2  Qui trình thử nghiệm

Nối chân cắm tiếp đất của dụng cụ để các tấm dẫn điện mà PICC hoặc VIVV được đặt (xem Hình Amd.1-4).

Tác dụng phóng lần lượt trong phân cực thông thường cho mỗi vùng trong 20 vùng thử nghiệm thể hiện trong Hình Amd.1-5 đảm bảo rằng không tác dụng đầu phóng trong vòng 6 mm của chu vi thẻ (xem đường biên được gạch ngang trong Hình Amd.1-5 ) và cho phép một khoảng thời gian mát dần xuống lần lượt giữa các xung tối thiểu là 10 s.

Lặp lại qui trình với phân cực đảo ngược.

CẢNH BÁO – Nếu PICC hoặc VICC gồm tiếp điểm, thì các tiếp điểm này phải chạm mặt và vùng có các tiếp điểm không được lộ ra đối với lần phóng này.

Kiểm tra PICC hoặc VICC hoạt động theo dự định vào cuối giai đoạn thử nghiệm.

Hình Amd.1-5 – Vùng thử nghiệm trên PICC hoặc VICC đối với thử nghiệm ESD

5.19.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ PICC hoặc VICC có hoạt động như dự định không.

5.20  Điện trở bề mặt điện của tiếp điểm của các ICC có tiếp xúc

Mục đích của thử nghiệm này là xác định điện trở bề mặt của bề mặt tiếp xúc ICC.

CHÚ THÍCH  Phương pháp thử này thay thế các phương pháp thử xác định trong 4.2.5, TCVN 11167-1:2015 (ISO/IEC 7816-1:1998).

5.20.1  Dụng cụ

Ôm kế trong dải từ 10 mΩ đến 2 Ω có độ chính xác ± 2 mΩ và kích thử nghiệm như xác định trong Hình Amd.1-6. Các phép đo hiện tại phải nhỏ hơn hoặc bằng 100 mA và điện áp đo thấp hơn hoặc bằng 20 mV.

Hình Amd.1-6 – Kích thử nghiệm

5.20.2  Qui trình

Đặt ICC trên một bề mặt cứng phẳng.

Đặt hai kích thử nghiệm vào mỗi vùng tiếp xúc nhỏ nhất đang có như xác định trong TCVN 11167-2 (ISO/IEC 7816-2).

Đo điện trở giữa hai kích thử nghiệm đối với mỗi vùng tiếp xúc nhỏ nhất đang có.

CHÚ THÍCH  Bắt đầu áp dụng đo dòng điện và điện áp sau khi thực hiện tiếp xúc cơ học.

5.20.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các giá trị điện trở ở mỗi vùng tiếp xúc nhỏ nhất đo được.

5.20.4  Yêu cầu sơ bộ

Tiêu chuẩn cơ bản không quy định một giá trị tương ứng với thử nghiệm này. Cho đến khi các tiêu chuẩn cơ bản được sửa đổi, điện trở bề mặt cho phép sử dụng tối đa là 500 mΩ.

5.21  Trắc diện bề mặt tiếp điểm của các ICC có tiếp xúc

Mục đích là để xác định độ chênh lệch chiều dày giữa các tiếp điểm ICC và bề mặt ICC liền kề.

5.21.1  Dụng cụ

Một kẹp giữ và một bản phẳng phù hợp tương ứng với 4.7.2 và 4.7.3.

Một thiết bị đo lường khả năng đo khoảng cách vuông góc giữa mặt trên của mức tấm cứng của kẹp giữ và bề mặt trên của ICC đặt trên các kẹp giữ với độ chính xác 0,01 mm. Khu vực đo theo mọi hướng rộng hơn 2,5 mm so với diện tích được bao phủ bởi kim loại tiếp xúc của ICC để được thử nghiệm. Đầu đo phải được thể hiện trong Hình Amd.1-7:

Bản kim loại mức kẹp giữ ICC

Hình Amd.1-7 – Đầu đo

5.21.2  Qui trình

Dung sai vị trí của đầu đo liên quan đến đường thẳng đo trong qui trình dưới đây không được vượt quá 0,5 mm.

a) Gắn ICC vào vị trí đo mặc định như xác định trong 4.6.1.

b) Dựng một đường thẳng đo trên bề mặt của ICC dọc theo đường trung tâm của các vùng tiếp xúc nhỏ nhất C1 và C5, điểm bắt đầu và kết thúc ở khoảng cách 2 mm của bề mặt tiếp xúc kim loại (Hình Amd.1-8).

c) Đo khoảng cách giữa tấm cứng phân mức và điểm cuối đầu của đường thẳng đo và tính trung bình cộng của hai khoảng cách, sau đó gọi là “chiều dày cơ sở”.

d) Xác định khoảng cách lớn nhất và nhỏ nhất giữa tấm cứng phân mức và tất cả các điểm trên bề mặt của ICC dọc theo đường thẳng đo.

e) Tính độ chênh lệch giữa chiều dày cơ sở và khoảng cách nhỏ nhất, lớn nhất xác định theo d) như là khoảng cách cao hơn so với các kết quả chiều dày cơ sở với giá trị dương và có khoảng cách ngắn hơn với giá trị âm.

f) Lặp lại b) đến e) cho những dòng ở giữa của các tiếp điểm C2 và C6, C3 và C7 và nếu có C4 và C8.

g) Xác định giá trị nhỏ nhất và lớn nhất của tất cả các giá trị xác định theo e).

Hình Amd.1-8 – Đường thẳng đo đi qua tiếp điểm C1 và C5

5.21.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo giá trị nhỏ nhất và lớn nhất xác định theo qui trình, bước g) và bán kính đầu đo được sử dụng.

5.22  ICC – Độ bền cơ học: 3 thử nghiệm bánh xe cho các ICC có tiếp xúc

Mục đích của thử nghiệm này là xác định độ tin cậy cơ của một ICC bằng việc di chuyển theo chu kỳ ICC giữa 3 bánh xe thép qua vùng tiếp xúc.

CHÚ THÍCH  Thử nghiệm này có thể không thích hợp với các ICC có một vùng chết nhỏ hơn 4 mm².

5.22.1  Dụng cụ

Nguyên tắc của dụng cụ thể hiện trong Hình Amd.1-9. Bao gồm 3 bánh xe, một bánh xe ở trên và hai bánh xe ở dưới ICC. ICC được di chuyển theo chu kỳ giữa 3 bánh xe, do vậy vùng tiếp xúc được tiếp xúc lặp lại với các lực tác động bởi các bánh xe.

Hình Amd.1-9 – Nguyên tắc thử nghiệm ba bánh xe

Dụng cụ bao gồm ba bánh xe gắn như trong Hình Amd.1-10. Các bánh W2 và W3 cố định. Bánh W1 có thể di chuyển theo hướng vuông góc với bề mặt của ICC với sai số lớn nhất ± 5° và đặt một lực F lên bề mặt của ICC như trong Hình Amd.1-10. Lực F được đặt bằng một trọng lượng tĩnh (ngược với ứng suất động được tác dụng bởi một lò xo, động cơ bước từ tính của xi lanh khí nén) cố định trên bánh xe W1 vì vậy mà hướng của lực phải vượt qua trục của bánh xe W1. Kết quả sự chuyển động của bánh xe W1 sẽ được giới hạn, do đó khoảng cách giữa trục B trong Hình Amd.1-10 và bề mặt của bánh xe W1 không bao giờ nhỏ hơn 3 mm.

Độ lớn của lực F là giá trị được xác định bởi tiêu chuẩn cơ bản hoặc, nếu tiêu chuẩn cơ bản không xác định thì giá trị, là 8,0N ± 0,5N.

Kích thước theo mm

Dung sai mặc định ± 0,1 mm

Hình Amd.1-10 – Định vị các bánh xe và vị trí ban đầu của ICC

Phương pháp này, ICC phải được giữ ở vị trí mà không ngăn cản sự biến dạng của ICC trong thời gian thử nghiệm.

Các bánh xe phải có một rãnh xoi tiêu chuẩn và chạy trên các ổ trục ma sát thấp, ví dụ các vòng bi.

CHÚ THÍCH 1  Các định nghĩa vòng bi sau đây xác định các bánh xe phù hợp: ISO 623ZZ, e.g. “radiospares” ref=747-721 hoặc NMB=DDR 1030 ZZ RAS hoặc AISI440C.

Phần ICC di chuyển trên W2 phải được uốn tự do.

Kích thước d trong Hình Amd.1-10 phải đảm bảo khoảng cách giữa các trục chính giữa của tiếp điểm trên ICC (trục C trong Hình Amd.1-10 và Hình Amd.1-11) và mặt phẳng được xác định bởi các trục chính giữa của bánh xe W1 (trục A trong Hình Amd.1-10 và Hình Amd.1-11), và các bánh xe W2 và W3 (các trục b trong Hình Amd.1-10 và Hình Amd.1-11) không vượt quá 0,5 mm, đo trên và dưới bất kỳ trong ba bánh xe.

CHÚ THÍCH 2  “Trên” và “dưới” ở đây đề cập đến các vị trí chuyển vị vuông góc từ mặt phẳng của bề mặt ICC.

CHÚ THÍCH 3  Trên cơ sở một ICC có ít nhất các tiếp điểm như xác định trong TCVN 11167-2:2015 (ISO/IEC 7816-2:1999), kích thước d là: Cạnh tiếp xúc mặt hướng lên trên: 20,62 mm cho một ICC với 6 tiếp điểm và 21,89 mm cho một ICC với 8 tiếp điểm. Cạnh tiếp xúc mặt hướng xuống dưới: 29,36 mm cho một ICC với 6 tiếp điểm và 28,09 mm cho một ICC với 8 tiếp điểm.

Hình Amd.1-11 – Định vị các trục A, B và C

Hình Amd.1-12 – Vị trí chèn thêm của ICC

5.22.2  Qui trình

Trong tất cả các chuyển động bên trong dụng cụ như mô tả dưới đây, tốc độ của ICC phải không quá 100 mm/s.

Trong tất cả các chuyển động góc giữa trục C và mặt phẳng xác định bởi trục A và B không quá 2°.

a) Điều kiện ổn định trước mẫu ICC.

b) Xác nhận ICC chỉ ra một trả lời để thiết lập lại phản ứng phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản

c) Chèn ICC vào dụng cụ ở vị trí ban đầu với tiếp điểm mặt hướng lên trên như trong Hình Amd.1-10.

d) Di chuyển ICC trong dụng cụ ở vị trí đã được chèn vào như trong Hình Amd.1-12.

e) Tháo ICC khỏi vị trí ban đầu.

CHÚ THÍCH  Các bước c) đến e) được xác định như một chu kỳ.

f) Lặp lại c) đến e) với tổng số chu kỳ được xác định bởi tiêu chuẩn cơ bản với một tần số 0,5 Hz.

Hoặc nếu các tiêu chuẩn cơ bản không xác định số chu kỳ, là 50 chu kỳ.

g) Chèn ICC vào dụng cụ ở vị trí ban đầu, tuy nhiên với các mặt tiếp xúc hướng xuống dưới.

h) Di chuyển ICC trong dụng cụ vào vị trí đã chèn.

i) Tháo ICC khỏi vị trí ban đầu.

j) Lặp lại g) đến i) với tổng số chu kỳ được xác định bởi tiêu chuẩn cơ bản với tần số 0,5 Hz. Hoặc nếu các tiêu chuẩn cơ bản không xác định số chu kỳ, thì tổng số là 50 chu kỳ.

k) Kiểm tra nếu xem ICC có chỉ ra một Answer (trả lời) với đáp ứng Reset (thiết lập lại) phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản hay không và lưu ý kết quả.

5.22.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phải nêu xem ICC có chỉ ra một Answer (trả lời) với đáp ứng Reset (thiết lập lại) phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản hay không.

CHÚ THÍCH  Tiêu chí chấp nhận phải được xác định bởi các bên liên quan.

 

MỤC LỤC

Lời nói đầu

1  Phạm vi áp dụng

2  Tài liệu viện dẫn

3  Thuật ngữ và định nghĩa

3.1  Phương pháp thử (test method)

3.2  Chức năng có thể thử nghiệm (testably functional)

3.3  Độ vênh (warpage)

3.4  Chiều cao dập nổi (của ký tự) (embossing relief height (of a character))

3.5  Độ bền bong tróc (peel strength)

3.6  Kháng hóa chất (resistance to chemicals)

3.7  Tính ổn định kích thước (dimensional stability)

3.8  Sự bám dính hoặc tạo khối (adhesion or blocking)

3.9  Khả năng chống uốn (bending stiffness)

3.10  Ứng suất uốn động (dynamic bending stress)

3.11  Ứng suất xoắn động (dynamic torsional stress)

3.12  Hệ số truyền dẫn (quang học) ((optical) transmittance factor)

3.13  Độ chắn sáng (opacity)

3.14  Sử dụng thông thường (normal use)

3.15  Thẻ mạch tích hợp (integrated circuit(s) card)

3.16  Giao thức điển hình và trao đổi thông tin ứng dụng cụ thể (typical protocol và application specific communication)

3.17  Kịch bản thử nghiệm (Test Scenario)

3.18  Thẻ mạch tích hợp cảm ứng (Proximity integrated circuit(s) card)

4  Hạng mục mặc định áp dụng đối với phương pháp thử

4.1  Môi trường thử nghiệm

4.2  Điều kiện ổn định trước

4.3  Lựa chọn phương pháp thử

4.4  Dung sai mặc định

4.5  Độ không đảm bảo đo tổng

4.6  Quy ước phép đo điện trên các ICC có tiếp xúc

4.7  Dụng cụ đo trên ICC có tiếp xúc

5  Phương pháp thử

5.1  Độ vênh thẻ

5.2  Kích thước thẻ

5.3  Độ bền bong tróc

5.4  Tính kháng hóa chất

5.5  Tính ổn định kích thước thẻ và cong vênh với nhiệt độ và độ ẩm

5.6  Sự bám dính hoặc tạo khối

5.7  Khả năng chống uốn

5.8  Ứng suất uốn động

5.9  Ứng suất xoắn động

5.10  Độ chắn sáng

5.11  Tia cực tím

5.12  Tia X

5.13  Từ trường tĩnh

5.14  Chiều cao dập nổi của các ký tự

5.15  Khả năng chống nhiệt

5.16  Biến dạng bề mặt và các vùng nổi

5.17  Kích thước và định vị tiếp điểm đối với các ICC có tiếp xúc

5.18  Thử nghiệm tĩnh điện các ICC có tiếp xúc

5.19  Thử nghiệm tĩnh điện cho các ICC tiệm cận và phụ cận

5.20  Điện trở bề mặt điện của tiếp điểm của các ICC có tiếp xúc

5.21  Trắc diện bề mặt tiếp điểm của các ICC có tiếp xúc

 

---