TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 8282:2009 (ASTM E 1316 : 2008 A) VỀ THỬ KHÔNG PHÁ HỦY – THUẬT NGỮ

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 8282 : 2009

ASTM E 1316 : 2008 a

THỬ KHÔNG PHÁ HỦY – THUẬT NGỮ

Nondestructive test – Terminology

Lời nói đầu

TCVN 8282 : 2009 thay thế các tiêu chuẩn TCVN 5112: 1990; TCVN 6105 : 1996; TCVN 6106 : 1996;

TCVN 6107 : 1996; TCVN 6108 : 1996; TCVN 6109 : 1996; TCVN 6110 : 1996.

TCVN 8282 : 2009 tương đương với ASTM E 1316 : 2008 a với các thay đổi biên tập cho phép.

TCVN 8282 : 2009 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC 135 Thử không phá hủy biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

 

THỬ KHÔNG PHÁ HỦY – THUẬT NGỮ

Nondestructive test – Terminology

1. Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này quy định các thuật ngữ sử dụng trong thử không phá hủy (NDT). Các phương pháp thử không phá hủy này bao gồm: phát xạ âm, điện từ, chụp tia X và tia gamma, rò rỉ, thẩm thấu chất lỏng, hạt từ, chụp ảnh bằng tia phóng xạ nơtron, siêu âm và các phương pháp kỹ thuật khác.

2. Các thuật ngữ chung thử không phá hủy

2.1. Mức chất lượng chấp nhận được: Lượng vết hỏng tính theo phần trăm cực đại hay số đơn vị hỏng cực đại trên một trăm đơn vị, đối với mục đích thử chọn mẫu, được coi là giá trị

trung bình của quá trình.

2.2. Hiệu chuẩn thiết bị: So sánh hay điều chỉnh thiết bị với một số thiết bị khác đã được Viện đo lường quốc gia kiểm định.

2.3. Tổ chức kỹ thuật liên quan: Công ty, cơ quan Chính phủ, tổ chức có trách nhiệm khác về thiết kế hoặc sử dụng các vật liệu hoặc thành phần cần cho thử không phá hủy.

CHÚ THÍCH: Khi thích hợp ngoài cán bộ thiết kế, tổ chức kỹ thuật liên quan có thể bổ sung cán bộ kỹ thuật khác về vật liệu, xử lý, phân tích ứng suất, thử không phá hủy, đảm bảo chất lượng.

2.4. Vết hỏng: Một hay nhiều khuyết tật mà kích thước, hình dạng, sự định hướng, vị trí hoặc tính chất của nó không đáp ứng tiêu chuẩn chấp nhận quy định, và có thể bị loại bỏ.

2.5. Sự mất liên tục: Sự không liên tục hay không kết dính; sự gián đoạn có dụng ý hay không có dụng ý về cấu trúc vật lý, về cấu hình của vật liệu hay linh kiện.

2.6. Sự đánh giá: Sự xác định có hay không một chỉ thị liên quan, là nguyên nhân để chấp nhận hay loại bỏ một vật liệu hay linh kiện.

2.7. Sự kiểm tra: Quy trình để xác định một tính chất (hoặc nhiều tính chất) hoặc các điều kiện và các đặc trưng khác của vật liệu hay linh kiện bằng các phương pháp trực tiếp hay gián tiếp.

CHÚ THÍCH : Các thí dụ: bao gồm việc sử dụng tia X hoặc sóng siêu âm cho mục đích xác định (trực tiếp hay tính toán) nội dung của vết hỏng, mật độ hoặc các môđun (cho trường hợp dùng siêu âm ); hoặc phát hiện các vết hỏng bởi hiện tượng cảm ứng của dòng điện xoáy, quan sát tính chất nhiệt, đáp ứng phát xạ âm , hoặc dùng hạt từ hay chất lỏng thẩm thấu.

2.8. Chỉ thị sai: Một chỉ thị trong thử không phá hủy được giải thích là do một điều kiện khác với điều kiện mất liên tục hoặc không hoàn thiện.

2.9. Khuyết tật: Sự không hoàn thiện hay mất liên tục, có thể phát hiện được bằng thử không phá hủy, và có thể không nhất thiết phải loại bỏ.

2.10. Đặc trưng hóa khuyết tật: Quá trình định lượng kích thước, hình dạng, sự định hướng, vị trí, sự phát triển hoặc các tính chất khác của một khuyết tật dựa trên đáp ứng NDT.

2.11. Sự không hoàn thiện: Khởi đầu của đặc trưng chất lượng từ các điều kiện định trước của nó.

2.12. Chỉ thị: Sự phản hồi hay dấu hiệu khi kiểm tra không phá hủy.

CHÚ THÍCH: Một chỉ thị được xác định bởi sự giải thích có liên quan, không liên quan hoặc sai.

2.13. Sự giải thích: Sự xác định các chỉ thị là có liên quan, không liên quan hoặc sai.

2.14. Thử không phá hủy: Sự phát triển và áp dụng các phương pháp kỹ thuật để xác định vật liệu hay linh kiện theo các cách sao cho không làm phương hại tới việc sử dụng và khả năng phục vụ của chúng, để có thể phát hiện, định vị, đo và đánh giá các khuyết tật; để đánh giá tính toàn vẹn, tính chất và thành phần, và để đo các đặc trưng hình học.

2.15. Chỉ thị không liên quan: Chỉ thị NDT sinh ra bởi một điều kiện hoặc loại mất liên tục không thể loại bỏ được. Chỉ thị sai là không liên quan.

2.16. Chuẩn tham chiếu: Một vật liệu hay một vật, mà tất cả các đặc tính lý hóa liên quan đã biết và đo được, được dùng như thiết bị hay dụng cụ cho việc so sánh hay chuẩn hóa khi thử không phá hủy.

2.17. Chỉ thị liên quan: Một chỉ thị NDT sinh ra do một điều kiện hay loại mất liên tục cần đánh giá.

2.18. Chuẩn:

1) Chuẩn tham chiếu vật lý được dùng làm cơ sở để so sánh và hiệu chuẩn.

2) Một khái niệm được thiết lập bởi cơ quan có thẩm quyền, thói quen hoặc thoả thuận được dùng như một mô hình hoặc quy tắc trong việc đo lường chất lượng, hoặc xây dựng phép thực hành hay quy trình.

2.19. Tiêu chuẩn hóa, thiết bị: Sự hiệu chỉnh một dụng cụ NDT bằng cách dùng một tiêu chuẩn viện dẫn thích hợp để thu được hoặc thiết lập một đáp ứng đã biết và có thể tái lập (điều này thường được làm trước khi kiểm tra, nhưng cũng có thể thực hiện bất cứ lúc nào khi có lo ngại về sự kiểm tra hoặc đáp ứng của dụng cụ).

2.20. Thử: Thuật ngữ ưa dùng hơn là kiểm tra.

3. Phát xạ âm

3.1. Phát xạ âm: Lớp các hiện tượng, trong đó sóng đàn hồi chuyển tiếp được sinh ra do giải phóng nhanh năng lượng từ các nguồn cục bộ bên trong vật liệu, hoặc sóng chuyển tiếp phát ra. Phát xạ âm là thuật ngữ khuyến nghị dùng rộng rãi. Các thuật ngữ khác có thể dùng trong lĩnh vực phát xạ âm là:

1. Phát xạ sóng ứng suất

2. Sự phát vi chấn.

3. Phát xạ hay phát xạ âm với các biến thể đã phân loại khác.

3.2. Âm – siêu âm: Phương pháp kiểm tra không phá hủy, trong đó dùng sóng ứng suất để phát hiện và đánh giá sự phân tán của trạng thái vết hỏng, các điều kiện gây hư hỏng, sự thay đổi các tính chất cơ học của cấu trúc được thử. Phương pháp âm – siêu âm là tổ hợp các khía cạnh của phát xạ âm, phân tích tín hiệu bằng các kỹ thuật đặc trưng hóa các vật liệu siêu âm.

3.3. Sự định vị thích nghi: Sự định vị nguồn theo phép lặp dùng các nguồn được mô phỏng kết hợp với định vị theo tính toán.

3.4. Hoạt tính phát xạ âm: Sự có phát xạ âm trong quá trình thử.

3.5. Căn quân phương phát xạ âm: Tín hiệu phát xạ âm được chỉnh lưu, lấy trung bình theo thời gian, đo theo thang tuyến tính và tính theo volt.

3.6. Thời gian kéo dài của tín hiệu phát xạ âm: Khoảng thời gian giữa lúc bắt đầu và kết thúc của tín hiệu phát xạ âm.

3.7. Điểm cuối của tín hiệu phát xạ âm: Sự kết thúc nhận biết được của một tín hiệu phát xạ âm, thường được xác định bởi đường cắt cuối cùng giữa tín hiệu và ngưỡng.

3.8. Máy phát tín hiệu phát xạ âm: Thiết bị có thể tạo ra một cách lặp lại tín hiệu chuyển tiếp quy định trong một thiết bị phát xạ âm.

3.9. Thời gian tăng của tín hiệu phát xạ âm: khoảng thời gian giữa lúc bắt đầu tín hiệu phát xạ âm và biên độ đỉnh của tín hiệu phát xạ âm này.

3.10. Điểm đầu tín hiệu phát xạ âm: Sự bắt đầu của tín hiệu phát xạ âm được nhận biết bởi bộ xử lý hệ thống, thường được xác định bằng sự thay đổi biên độ vượt quá ngưỡng.

3.11. Dàn: Một nhóm hai hoặc nhiều cảm biến phát xạ âm đặt trên một cấu trúc với mục đích phát hiện và định vị các nguồn. Các nguồn thường ở bên trong dàn.

3.12. Độ suy giảm: Sự giảm của biên độ phát xạ âm trên một đơn vị khoảng cách, thường được tính theo dB trên một đơn vị chiều dài.

3.13. Mức tín hiệu trung bình: Tín hiệu logarit phát xạ âm, được lấy trung bình theo thời gian được chỉnh lưu, được đo theo thang logarit biên độ phát xạ âm và tính theo đơn vị dB_ac (trong đó 0 dB_ac ứng với 1mV ở lối vào bộ tiền khuyếch đại).

3.14. Kênh (phát xạ âm): Một tập hợp gồm cảm biến, tiền khuyếch đại, biến thế hoà hợp tổng trở, các mạch lọc khuyếch đại thử cấp hoặc các dụng cụ khác khi cần, cáp nối, bộ phát hiện hay bộ xử lý.

CHÚ THÍCH : Kênh để kiểm tra chất dẻo gia cường sợi thủy tinh (FRP) có thể sử dụng nhiều cảm biến với điện tử liên kết. Các kênh có thể được xử lý độc lập hoặc trong các nhóm xác định trước có độ nhạy và đặc tính tần số tương tự.

3.15. Số đếm phát xạ âm (N): Số lần tín hiệu phát xạ âm vượt quá một ngưỡng đặt trước, trong bất cứ phần chọn trước nào của lần thử.

3.16. Số đếm sự kiện (Ne): Số thu được bằng cách đếm số lần phát xạ âm phân biệt được.

3.17. Tốc độ đếm phát xạ âm (N): Tỉ lệ theo thời gian của số lần đếm phát xạ âm.

3.18. Chất tiếp âm: Vật liệu được dùng ở mặt phân cách giữa cấu trúc và cảm biến để cải thiện việc truyền năng lượng âm qua mặt phân cách trong khi đo phát xạ âm.

3.19. dBAE: Phép đo logarit biên độ tín hiệu phát xạ âm, được chuẩn tới 1mV ở cảm biến trước khi khuyếch đại.

Biên độ đỉnh tín hiệu

(dBAE) = (dB1_mV tại cảm biến) = 20 log₁₀ (A₁/A₀) (1)

Trong đó

A₀ = 1 mV tại cảm biến (trước khi khuyếch đại)

A₁ = điện thế đỉnh của tín hiệu phát xạ âm đo được (cũng trước khi khuyếch đại).

Thang chuẩn phát xạ âm

Giá trị dBAE	Điện thế tại cảm biến
0 20 40 60 80 100	1mV 10mV 100 mV 1 mV 10 mV 100 mV

CHÚ THÍCH: Trong trường hợp các cảm biến dùng bộ tiền khuyếch đại tích phân, chuẩn A0 là trước khuyếch đại bên trong.

3.20. Thời gian chết: Khoảng thời gian nào đó trong quá trình nhận dữ liệu khi thiết bị hay hệ thống không thể nhận dữ liệu mới vì một lý do nào đó.

3.21. Phân bố (biên độ, tích lũy) F(V): Số sự kiện phát xạ âm xảy ra khi tín hiệu vượt quá một biên độ bất kỳ là một hàm số của biên độ V.

3.22. Phân bố (vượt ngưỡng, tích lũy) Ft (V): Số lần tín hiệu phát xạ âm vượt quá một ngưỡng bất kỳ là một hàm số của điện áp ngưỡng (V).

3.23. Phân bố biên độ vi phân, f(V): Số sự kiện phát xạ âm với biên độ tín hiệu ở giữa biên độ V và V + DV như là hàm số của biên độ

V. f(V) là giá trị tuyệt đối của đạo hàm của hàm phân bố biên độ tích lũy.

3.24. Phân bố vượt ngưỡng vi phân f_t (V): Số lần dạng sóng tín hiệu của phát xạ âm có đỉnh nằm giữa ngưỡng V và V + DV như là một hàm số của ngưỡng V. f_t (V) là giá trị tuyệt đối của đạo hàm của hàm phân bố cắt ngưỡng tích lũy F_t (V).

3.25. Phân bố thang biên độ logarit g(V) : Số sự kiện phát xạ âm có biên độ tín hiệu giữa V và aV (ở đây a là hằng số nhân) như là một hàm số của biên độ. Đây là một loại phân bố biên độ vi phân, thích hợp với dữ liệu được cửa sổ hóa theo logarit.

3.26. Vùng động lực: Hiệu số giữa mức tín hiệu quá tải và mức tín hiệu cực tiểu, tính theo dB (thường cố định theo một hoặc nhiều mức nhiễu, méo mức thấp, can nhiễu, hay mức phân giải) trong một hệ hay cảm biến.

3.27. Tốc độ hiệu dụng: Tốc độ được tính trên cơ sở thời gian đến và khoảng cách truyền được xác định bởi việc phát phát xạ âm, được dùng khi định vị bằng tính toán.

3.28. Phát xạ (cụm): Sự mô tả định tính của tín hiệu rời rạc, liên quan đến sự kiện phát xạ riêng lẻ xảy ra bên trong vật liệu.

CHÚ THÍCH: Việc dùng thuật ngữ phát xạ cụm chỉ nên dùng khi m ô tả sự thể hiện định tính của các tín hiệu phát xạ. Hình 1 trình bày vết trên dao động ký điện tử các tín hiệu phát xạ cụm trên nền phát xạ liên tục.

Hình 1 – Phát xạ cụm trên nền phát xạ liên tục (tốc độ quét 5 ms/cm)

3.29. Phát xạ liên tục: Mô tả định tính mức tín hiệu thu được tạo nên bởi phát xạ âm xảy ra nhanh từ các nguồn cấu trúc, dò hoặc cả hai

CHÚ THÍCH : Việc dùng thuật ngữ phát xạ liên tục chỉ nên dùng để m ô tả sự thể hiện định tính của tín hiệu phát xạ. Hình 2 và Hình 3 trình bày các vết trên dao động ký điện tử của các tín hiệu phát xạ tại hai tốc độ quét khác nhau.

Hình 2 – Phát xạ liên tục (tốc độ quét 5 ms/cm)

Hình 3 – Phát xạ liên tục (tốc độ quét 0,1 ms/cm)

3.30. Năng lượng (hiện tượng phát xạ âm): Năng lượng đàn hồi tổng được giải phóng ra do một hiện tượng phát xạ.

3.31. Năng lượng (tín hiệu phát xạ âm): Năng lượng chứa trong một tín hiệu phát xạ âm, được đánh giá theo tích phân theo thời gian của hàm số bình phương theo vôn.

3.32. Ngưỡng đánh giá: Giá trị ngưỡng được dùng để phân tích dữ liệu kiểm tra. Dữ liệu này có thể được ghi lại bằng một ngưỡng kiểm tra hệ thống thấp hơn ngưỡng đánh giá. Với các mục đích phân tích, sự phụ thuộc của dữ liệu đo đạc được trên ngưỡng kiểm tra hệ thống phải được xét tới.

3.33. Hiện tượng phát xạ âm: Sự thay đổi vật liệu cục bộ làm tăng phát xạ âm.

3.34. Diện tích kiểm tra: Phần của cấu trúc đang được kiểm tra bằng phát xạ âm.

3.35. Vùng kiểm tra: Phần của chi tiết kiểm tra được đánh giá bằng kỹ thuật phát xạ âm.

3.36. Hiệu ứng thuận lợi: Sự có mặt của phát xạ âm phát hiện được tại một mức nhạy xác định trước cố định, tại các mức ứng suất thấp hơn các mức tác dụng trước đó.

3.37. Tỷ số thuận lợi: Tỷ số của ứng suất, mà phát xạ âm có thể phát hiện được trên ứng suất cực đại tác dụng trước đó.

CHÚ THÍCH : Mức độ nhạy cố định thường sẽ giống như mức đã dùng cho tải hay kiểm tra trước đó.

3.38. Định vị nhờ kích động đầu tiên: Phương pháp định vị vùng, được xác định bởi một kênh trong một nhóm kênh, phát hiện đầu tiên tín hiệu.

3.39. Ngưỡng động: Một ngưỡng bất kỳ với biên độ được xác định bởi phép đo trung bình theo thời gian của tín hiệu vào.

3.40. Kích động: Phát hiện và đo một tín hiệu phát xạ âm trên kênh.

3.41. Khoảng thời gian đến Dt_ij: Khoảng thời gian giữa thời điểm đến phát hiện được của sóng phát xạ âm tại các cảm biến thứ i và j của một dàn cảm biến.

3.42. Hiệu ứng Kaiser: Sự không có mặt của phát xạ âm có thể phát hiện được tại một mức độ nhạy cố định, đến khi các mức ứng suất tác dụng trước đó bị vượt qua.

3.43. Độ chính xác định vị: Giá trị được xác định bằng cách so sánh vị trí thực tế của nguồn phát xạ âm (hoặc nguồn phát xạ âm mô phỏng) với vị trí tính toán.

3.44. Định vị (đám): Kỹ thuật định vị dựa trên một lượng qui định của các kích hoạt phát xạ âm được định vị bên trong một chiều dài hoặc diện tích quy định. Thí dụ: 5 sự kiện trong chiều dài 12 inch hay 12 inch bình phương.

3.45. Định vị do tính toán: Phương pháp định vị nguồn dựa trên phân tích thuật toán về hiệu thời gian đến giữa các cảm biến.

CHÚ THÍCH : Một số cách ti ếp cận định vị do tính toán được dùng như: định vị theo chiều dài, định vị trên mặt phẳng, định vị ba chiều và định vị thích nghi.

a) định vị theo chiều dài: định vị nguồn một chiều, cần hai kênh hay nhiều hơn.

b) định vị trên mặt phẳng: định vị nguồn hai chiều, cần ba kênh hay nhiều hơn.

c) định vị 3 chiều: định vị nguồn ba chiều, cần năm kênh hay nhiều hơn.

d) định vị thích nghi: định vị nguồn bằng phép lặp, dùng các nguồn mô phỏng tổ hợp với định vị nhờ tính toán.

3.46. Định vị (tín hiệu phát xạ âm liên tục): Phương pháp định vị dựa trên các tín hiệu phát xạ âm liên tục, ngược với các phương pháp kích động hay phương pháp hiệu thời gian đến.

CHÚ THÍCH : Loại định vị này thường được dùng trong định vị do rò gây ra bởi các phát xạ liên tục. Một số loại phương pháp định vị tín hiệu liên tục là phương pháp suy giảm tín hiệu và phân tích tương quan:

a) Định vị nguồn dựa trên suy giảm của tín hiệu: phương pháp định vị nguồn dựa trên hiện tượng sự suy giảm theo khoảng cách của tín hiệu phát xạ âm . Bằng cách theo dõi độ lớn của tín hiệu phát xạ âm của tín hiệu liên tục ở các điểm khác nhau dọc theo vật, nguồn có thể được xác định dựa trên độ lớn nhất hoặc bằng cách nội suy hay ngoại suy các số đọc nhiều lần.

b) Định vị nguồn dựa trên tương quan: phương pháp định vị nguồn trong đó so sánh sự thay đổi các mức tín hiệu phát xạ âm (thường là phân tích biên độ dựa trên dạng sóng) tại hai điểm hay nhiều hơn xung quanh nguồn và xác định sự thay đổi theo thời gian của những tín hiệu này. Dữ liệu thay đổi theo thời gian có thể được dùng dựa theo những kỹ thuật định vị với kích động truyền thống để tìm lời giải cho vị trí của nguồn.

3.47. Định vị (nguồn): Một trong các phương pháp đánh giá dữ liệu phát xạ âm để xác định vị trí trên một cấu trúc từ đó phát ra các phát xạ âm. Các phương pháp định vị nguồn được sử dụng bao gồm: định vị vùng, định vị tính toán và định vị liên tục.

3.48. Định vị (vùng): Một trong các phương pháp để xác định vùng tổng thể của nguồn phát xạ âm (thí dụ: tính phát xạ âm tổng cộng, năng lượng, các kích động, v.v …)

CHÚ THÍCH : Một số cách tiếp cận định vị vùng được dùng là định vị vùng kênh độc lập, định vị vùng kích động đầu tiên, định vị vùng chuỗi đến.

a) Định vị vùng kênh độc lập: kỹ thuật định vị vùng, trong đó so sánh lượng tổng thể các kích hoạt từ từng kênh.

b) Định vị vùng kích động đầu tiên: kỹ thuật định vị vùng, trong đó so sánh chỉ kích động từ kênh phát hiện sự kiện phát xạ âm đầu tiên.

c) Định vị vùng theo trình tự đến: kỹ thuật định vị vùng, trong đó so sánh thứ tự đến giữa các cảm biến.

3.49. Thời gian khôi phục quá tải: Khoảng thời gian các hoạt động phi tuyến của dụng cụ gây ra bởi tín hiệu có biên độ vượt quá phạm vi hoạt động tuyến tính của dụng cụ.

3.50. Áp suất (thiết kế): Áp suất dùng trong thiết kế để xác định chiều dầy tối thiểu và các

tính chất cơ học cần thiết.

3.51. Dung năng xử lý: Số các kích động có thể xử lý được tại một tốc độ xử lý, trước khi hệ phải ngừng việc thu thập dữ liệu để xoá bộ đệm, hoặc các chuẩn bị khác để nhận dữ liệu thêm.

3.52. Tốc độ xử lý: Tốc độ chịu được (số kích động/s), là một hàm số của các tập hợp thông số và số kênh hoạt động, tại đó các tín hiệu phát xạ âm có thể được xử lý liên tục bởi một hệ mà không cần phải ngừng để chuyển tải dữ liệu.

3.53. Tốc độ (đếm sự kiện): Tỷ lệ theo thời gian của việc đếm sự kiện.

3.54. Cảm biến (phát xạ âm): Thiết bị phát hiện, thường là chất áp điện, dùng để biến đổi chuyển động của các hạt được tạo nên bởi sóng đàn hồi thành một tín hiệu điện.

3.55. Tín hiệu (phát xạ âm): Một tín hiệu điện thu được do phát hiện một hay nhiều phát xạ âm.

3.56. Biên độ tín hiệu (phát xạ âm): Điện thế đỉnh của độ dịch chuyển lớn nhất thu được từ dạng sóng tín hiệu từ một phát xạ.

3.57. Mức quá tải tín hiệu: Mức mà trên mức này các hoạt động trở nên không thoả mãn dẫn đến méo tín hiệu, quá nóng hoặc hư hỏng.

3.58. Điểm quá tải tín hiệu: Biên độ tín hiệu vào cực đại, tại đó tỷ số giữa tín hiệu ra và tín hiệu vào được theo dõi để duy trì trong một dải hoạt động tuyến tính định trước.

3.59. Cường độ tín hiệu: Diện tích đo được của tín hiệu phát xạ âm đã chỉnh lưu với đơn vị tỷ lệ với volt – giây.

CHÚ THÍCH: Hằng số tỷ lệ do các hãng sản xuất dụng cụ quy định.

3.60. Dấu hiệu (của phát xạ âm): Tập hợp các đặc trưng của các thuộc tính có thể tái tạo của các tín hiệu phát xạ âm gắn liền với vật thử quy định khi được quan sát với một hệ thống dụng cụ cụ thể theo các điều kiện thử quy định.

3.61. Sự kích thích: Sự tác dụng của nhân tố kích thích như lực, áp suất, nhiệt , v.v …lên vật thử gây ra sự kích hoạt các nguồn phát xạ âm.

3.62. Ngưỡng kiểm tra hệ thống: Ngưỡng thiết bị điện tử, tại đó dữ liệu sẽ bị phát hiện (sẽ được thu)

3.63. Sự kiểm định (hệ phát xạ âm) (hay kiểm tra hiệu năng, hệ phát xạ âm): Quá trình thử nghiệm hệ phát xạ âm để đảm bảo sự phù hợp với mức quy định về hiệu năng hay độ chính xác của phép đo. (Điều này thường được thực hiện trước trong hoặc (và) sau một phép thử phát xạ âm với một hệ phát xạ âm nối với vật thử khi dùng nguồn phát xạ âm nhân tạo hay mô phỏng).

3.64. Ngưỡng điện áp: Mức điện áp ở bộ so điện tử, sao cho các tín hiệu có biên độ lớn hơn mức này sẽ được nhận biết. Ngưỡng điện áp có thể do người sử dụng hiệu chỉnh, cố định hoặc thả nổi tự động.

3.65. Ống dẫn sóng (phát xạ âm): Thiết bị ghép năng lượng đàn hồi từ một cấu trúc hay vật thử khác tới một cảm biến được lắp từ xa trong quá trình giám sát phát xạ âm. Một thí dụ của ống dẫn sóng phát xạ âm là thanh hay dây ghép một đầu với cấu trúc cần đo và đầu kia với cảm biến.

4. Thử điện từ (ET)

4.1. Cuộn dây tuyệt đối: Cuộn dây (hay nhiều cuộn dây) đáp ứng được các tính chất từ hay điện cần phát hiện toàn bộ (hoặc cả hai) gồm một chi tiết hay phần của chi tiết mà không cần so sánh với phần khác của chi tiết hay với chi tiết khác.

4.2. Các phép đo tuyệt đối: Các phép đo thực hiện không có mẫu tham chiếu trực tiếp khi dùng cuộn dây tuyệt đối, ngược với các phép đo tương đối và vi sai.

4.3. Đầu ra tuyệt đối: Lối ra tín hiệu của một cuộn dây tuyệt đối.

4.4. Hệ tuyệt đối: Một hệ sử dụng một nhóm các cuộn dây và các thiết bị điện tử kết hợp để đo các tính chất điện từ toàn bộ của một chi tiết mà không cần so sánh trực tiếp với phần khác của chi tiết hay với chi tiết khác.

4.5. Mức chấp nhận: Là mức mà trên hay dưới mức này, các mẫu được chấp nhận, ngược với mức loại bỏ.

4.6. Giới hạn chấp nhận: Các mức được dùng trong phân loại điện từ để xây dựng các nhóm mà trong đó các vật liệu đang kiểm tra phụ thuộc.

4.7. Đáp ứng biên độ: Tính chất của một hệ kiểm tra trong đó biên độ của tín hiệu phát hiện được đo mà không quan tâm tới pha.

4.8. Khe hở của cuộn dây hình xuyến: Khoảng cách xuyên tâm trung bình giữa nhóm cuộn dây liền kề và bề mặt của chi tiết trong kiểm tra dùng cuộn dây điện từ quấn tròn.

4.9. Sự mất liên tục nhân tạo: Những sự mất liên tục tham chiếu, như các lỗ, rãnh, vết khắc được đưa vào trong chuẩn tham chiếu để có các mức độ nhạy tái tạo được một cách chính xác cho các thiết bị thử điện từ.

4.10. Mạch lọc thông dải: Một mạch lọc sóng có dải truyền đơn, các tần số cắt của chúng không bằng 0 cũng không bằng vô cùng.

4.11. Cỡ cuộn dây: Các kích thước của cuộn dây, thí dụ chiều dài, đường kính.

4.12. Giãn cách cuộn dây: Khoảng cách theo trục giữa hai cuộn dây quấn tròn của một hệ vi phân.

4.13. Cuộn dây (thử): Phần của đầu dò hay nhóm cuộn dây để thực hiện việc kích thích hay phát hiện hoặc cả hai, trường điện từ trong vật liệu được kiểm tra.

4.14. Các phép đo tương đối: Các phép đo trong đó sự mất cân bằng trong hệ được đo bằng cách dùng các cuộn dây so sánh, trái với các phép đo tuyệt đối và vi sai.

4.15. Đầu ra tương đối: Tín hiệu ra của các cuộn so sánh.

4.16. Hệ so sánh: Một hệ dùng các nhóm cuộn dây và các thiết bị điện tử kết hợp để phát hiện trạng thái điện hay từ nào đó, hoặc cả hai, nó không chung nhau cho các mẫu thử và mẫu chuẩn.

4.17. Các cuộn dây so sánh: Hai hay nhiều cuộn dây mắc nối tiếp, ngược nhau về phương diện điện được bố trí sao cho không có hỗ cảm giữa chúng, để bất kỳ một tình trạng khác nhau về điện hay từ (hoặc cả hai) giữa mẫu thử nghiệm và mẫu chuẩn, sẽ tạo ra một sự mất cân bằng trong hệ và sẽ thể hiện ở phần chỉ thị.

4.18. Độ dẫn điện: Tính chất nội tại của một vật liệu cụ thể cho việc tải dòng điện. Nó thường được tính theo phần trăm IACS (tiêu chuẩn đồng ủ quốc tế) hoặc Megasiemens/m.

4.19. Ghép: Hai mạch điện được gọi là ghép với nhau khi chúng có cùng một trở kháng chung sao cho khi dùng điện chạy trong mạch này gây ra một điện thế trong mạch kia.

4.20, Khả năng phân giải vết hỏng: Một tính chất của hệ kiểm tra cho phép tách biệt các chỉ thị gây ra do vết hỏng trong một mẫu khi chúng ở gần nhau. located in proximity to each other.

4.21. Độ sâu thấm: Độ sâu tại đó cường độ từ trường hay cường độ dòng điện xoáy do cảm ứng bị giảm đi 37 % so với giá trị của nó trên bề mặt. Độ sâu thấm phụ thuộc vào kích thước cuộn dây, tần số tín hiệu, độ dẫn điện và độ từ thấm của vật liệu. Nó liên quan đến kích thước cuộn dây ở các tần số thấp và bằng độ sâu lớp da ở các tần số cao. Các thuật ngữ đồng nghĩa là độ sâu thấm chuẩn và độ sâu lớp da.

4.22. Vật liệu thuận từ: Vật liệu có độ từ thấm tương đối nhỏ hơn 1.

CHÚ THÍCH : Cảm ứng từ bên trong Bi ngược chiều với lực từ hóa tác dụng H.

4.23. Các cuộn dây vi sai: Hai hay nhiều cuộn dây, mắc nối tiếp ngược nhau về phương diện điện sao cho bất kỳ tình trạng điện hay từ (hoặc cả hai) không là chung cho các diện tích của mẫu thử đang được kiểm tra điện từ sẽ tạo ra một sự mất cân bằng trong hệ và sẽ thể hiện ở phần chỉ thị.

4.24. Các phép đo vi sai: Các phép đo được thực hiện trong đó sự không cân bằng trong hệ được đo bằng các cuộn vi sai, trái với các phép đo tương đối và tuyệt đối.

4.25. Đầu ra vi sai: Lối ra tín hiệu của các cuộn vi sai.

4.26. Tín hiệu vi sai: Tín hiệu ra tỷ lệ với tốc độ của sự thay đổi tín hiệu vào.

4.27. Hệ vi sai: Hệ kiểm tra điện từ dùng nhóm cuộn dây và điện tử liên kết để phát hiện tình trạng điện hay từ (hoặc cả hai) không là chung trong các diện tích mẫu thử đang được kiểm tra.

4.28. Dòng điện xoáy: Dòng điện trong vật dẫn gây ra bởi sự thay đổi theo không gian hay thời gian (hoặc cả hai) của từ trường tác dụng.

4.29. Thử dòng điện xoáy: Phương pháp thử không phá hủy trong đó dòng điện xoáy tạo ra trong vật liệu bị kiểm tra.

CHÚ THÍCH: Những thay đổi trong lưu lượng gây ra bởi những sự thay đổi trong mẫu thử được phản ánh vào một cuộn dây, nhiều cuộn dây đặt gần đó. Dụng cụ dùng hiệu ứng Hall, cảm biến từ trở hay các cảm biến từ trường khác dùng cho việc phân tích sau đó là do các thiết bị và kỹ thuật thích hợp.

4.30. Hiệu ứng mép: Sự nhiễu loạn của từ trường và dòng điện xoáy gây ra ở lân cận vùng có sự thay đổi đột ngột dạng hình học của mẫu thử (mép). Hiệu ứng này thường gây ra việc che khuất sự mất liên tục trong vùng chịu ảnh hưởng của nó. (Hiệu ứng này được gọi là hiệu ứng cuối).

4.31. Độ sâu thấm hiệu dụng (EDP):

a) Với chiều dày, là độ sâu nhỏ nhất, mà khi tăng chiều dày của mẫu thử lớn hơn nó hệ kiểm tra không phát hiện tin cậy được, hoặc:

b) Với các vết hỏng, là giới hạn sự phát hiện tin cậy được về sự mất liên tục cơ học hay luyện kim khi dùng các cảm biến hay dụng cụ dòng điện xoáy liên tục thông thường. Độ sâu thấm hiệu dụng bằng khoảng ba lần độ sâu thấm chuẩn.

4.32. Độ từ thẩm hiệu dụng: Đại lượng giả định, cho phép mô tả độ từ thấm được thử nghiệm trong các điều kiện vật lý đã cho chẳng hạn mẫu thử hình trụ đặt trong cuộn dây cuốn tròn, tại một tần số quy định. Đại lượng này có thể khác với độ từ thấm của kim loại cụ thể đang thử vì đã tính đến kích thước hình học của chi tiết, vị trí tương đối của cuộn dây, đặc trưng của từ trường.

4.33. Tâm điện: Tâm được xác định bởi sự phân bố của trường điện từ bên trong cuộn dây thử. Một tín hiệu có cường độ không đổi, bỏ qua vị trí theo chu vi của sự mất liên tục, là chỉ thị của tâm điện. Tâm điện có thể khác với tâm vật lý của cuộn thử.

4.34. Thử điện từ: Phương pháp thử không phá hủy các vật liệu, bao gồm các vật liệu từ, dùng năng lượng điện từ có tần số thấp hơn tần số của ánh sáng nhìn thấy, để thu được các thông tin về chất lượng vật liệu được kiểm tra.

4.35. Cuộn dây cuốn tròn: Cuộn dây hay nhóm cuộn dây quấn xung quanh chi tiết được kiểm tra. Cuộn dây thuộc loại này cũng coi như cuộn dây hình xuyến, quấn theo chu vi, lắp vào.

4.36. Hiệu ứng cuối: Sự tổn hao độ nhạy về sự mất liên tục ở gần đầu của ống, khi các đầu ống đi vào hoặc đi ra xa cuộn thử.

4.37. Vật liệu sắt từ: Vật liệu nói chung có hiện tượng từ trễ và bão hoà và độ từ thấm của chúng phụ thuộc vào lực từ hóa

4.38. Hệ số lấp đầy:

a) Với phép thử điện từ cuộn dây cuốn tròn, tỷ số của diện tích tiết diện ngang của mẫu thử trên diện tích lõi tiết diện ngang hiệu dụng của cuộn dây cuốn tròn sơ cấp (đường kính ngoài của hình dạng cuộn dây, không phải đường kính trong gần với mẫu).

b) Với phép thử điện từ đầu dò trong, là tỷ số của diện tích tiết diện ngang hiệu dụng của cuộn đầu dò bên trong sơ cấp trên diện tích tiết diện ngang bên trong ống.

4.39. Bộ lọc: Là mạng cho năng lượng sóng điện từ trong một khoảng tần số cho trước đi qua và làm suy giảm năng lượng của tất cả các tần số khác.

4.40. Phân tích điều hòa: Kỹ thuật phân tích trong đó xác định biên độ hay pha (hoặc cả hai) các thành phần tần số của một tín hiệu tuần hoàn phức.

4.41. Méo điều hòa: Méo phi tuyến đặc trưng bởi sự xuất hiện ở lối ra các điều hòa khác với thành phần cơ bản khi sóng lối vào là hình sin.

4.42. Chuẩn đồng ủ quốc tế (IACS): Tiêu chuẩn quốc tế về độ dẫn điện.

4.43. Cuộn dây nhận biết: Cuộn dây hoặc nhóm cuộn dây dùng cho thử điện từ bằng cách đặt vào vật liệu kiểm tra như trong trường hợp đầu do bên trong vật hình ống. Các cuộn dây thuộc loại này cũng gọi là cuộn dây bên trong, cuộn dây chèn, cuộn dây kiểu cuộn chỉ.

4.44. Tổng trở: Sự cản trở tổng cộng của mạch điện khi có dòng xoay chiều chạy qua, được xác định bởi thương số của điện thế và dòng điện.

4.45. Phân tích tổng trở: Phương pháp giải tích gồm những thay đổi tương quan về biên độ, pha các thành phần cầu phương, hoặc tất cả chúng, của điện thế tín hiệu phức theo các điều kiện điện từ trong mẫu thử.

4.46. Giản đồ phẳng tổng trở: Đồ thị biểu diễn quỹ tích những điểm, cho thấy sự thay đổi của tổng trở của cuộn dây thử là hàm số của các thông số thử cơ bản.

4.47. Độ từ thẩm tăng: Tỷ số của sự thay đổi cảm ứng từ theo sự thay đổi tương ứng của lực từ hóa, khi cảm ứng từ trung bình khác không.

4.48. Độ từ thẩm ban đầu: Độ dốc của đường cong cảm ứng từ tại điểm lực từ hóa bằng không khi mẫu thử được lấy ra khỏi điều kiện khử từ (độ dốc tại gốc của đường cong BH trước khi quan sát được từ trễ).

4.49. Hiệu ứng nâng hạ: Hiệu ứng quan sát được ở lối ra của hệ kiểm tra do sự thay đổi của sự ghép từ giữa mẫu thử và cuộn dò, khi khoảng cách giữa chúng thay đổi.

4.50. Lịch sử từ: Trạng thái về từ của chi tiết sắt từ được kiểm tra dựa trên quá trình từ hóa trước đó.

4.51. Thông lượng dò từ: Số đường sức từ đi khỏi bề mặt của mẫu thử.

4.52. Bão hoà từ: Độ từ hóa, trong đó khi tăng lực từ hóa không làm thay đổi đáng kể mật độ từ thông (độ từ thẩm) trong mẫu thử.

4.53. Phân tích điều biến: Phép phân tích dùng trong thử điện từ cho phép tách các đáp ứng gây ra do các hệ số khác nhau ảnh hưởng tới từ trường tổng cộng bằng cách tách, giải thích, một cách riêng biệt các tần số hay dải tần số trung bình đường bao điều biến của tín hiệu (tần số mang).

4.54. Nhiễu: Bất kỳ một tín hiệu không mong muốn gây nhiễu tới phép thu chuẩn hoặc quá trình xử lý tín hiệu khuyết tật. Cần chú ý rằng các tín hiệu nhiễu như vậy có thể gây ra do sự không đồng nhất trong chi tiết cần kiểm tra, mà không ảnh hưởng xấu tới việc sử dụng sau này của chi tiết.

4.55. Vật liệu phi sắt từ: Vật liệu không thể từ hóa được và do vậy không bị ảnh hưởng của từ trường. Chúng có thể là các vật liệu thuận từ và nghịch từ.

4.56. Độ từ thẩm chuẩn: Tỷ số giữa cảm ứng từ (khi thay đổi tuần hoàn, đối xứng với điểm 0) và sự thay đổi tương ứng của lực từ hóa.

4.57. Thử riêng lẻ: Các phép thử dòng điện xoáy được thực hiện trên thiết bị, bao gồm cuộn thử và phương tiện kéo ống cần kiểm tra qua cuộn dây theo các điều kiện và tốc độ thích hợp.

4.58. Thử liên tục: Các phép thử dòng điện xoáy được thực hiện trên thiết bị, bao gồm cuộn thử và phương tiện kéo ống cần kiểm tra qua cuộn dây theo các điều kiện và tốc độ thích hợp như một phần cấu thành của một chuỗi sản xuất ống liên tục.

4.59. Tần số tối ưu: Tần số đưa ra tỷ số tín hiệu trên nhiễu lớn nhất có thể thu được cho sự phát hiện tính chất vật liệu riêng lẻ. Mỗi tính chất của vật liệu có thể có tần số tối ưu với nó.

4.60. Vật liệu thuận từ: Vật liệu có độ từ thẩm tương đối, lớn hơn đơn vị một chút và thực tế coi như độc lập với lực từ hóa.

4.61. Độ từ thẩm xoay chiều: Thuật ngữ chung dùng để biểu thị mối liên hệ động lực khác nhau giữa cảm ứng từ B và lực từ hóa H, cho vật liệu từ chịu kích thích tuần hoàn bởi dòng xoay chiều hoặc dòng xung. Các giá trị của độ từ thẩm xoay chiều thu được với một vật liệu cho trước phụ thuộc về cơ bản vào giới hạn thực hiện sự kích thích và cảm ứng động lực, phương pháp và các điều kiện đo, và cũng phụ thuộc vào các hệ số như từ trở, độ dày của lớp, tần số kích thích v.v …

CHÚ THÍCH : Giá trị bằng số của độ từ thẩm bất kỳ là vô nghĩa, trừ khi các mức kích thích B hoặc H tương ứng được quy định. Với độ từ thẩm tăng, không những các mức B hoặc H một chiều tương ứng cần được quy định mà phạm vi động lực DB hoặc DH) cũng cần phải quy định.

4.62. Độ từ thẩm một chiều: Thuật ngữ chung dùng để biểu thị mối liên hệ giữa cảm ứng từ B và lực từ hóa H trong những điều kiện khác nhau của kích thích từ. Những mối liên hệ này có thể là:

1) Độ từ thẩm tuyệt đối, nói chung là thương số của sự thay đổi cảm ứng từ chia cho sự thay đổi tương ứng của lực từ hóa.

2) Độ từ thẩm tương đối, là tỷ số giữa độ từ thẩm tuyệt đối và hằng số từ, gm.

CHÚ THÍCH 1: Hằng số từ gm là một đại lượng vô hướng, khác nhau về giá trị và xác định duy nhất theo từng hệ đơn vị. Trong hệ CGS, g_m đo bằng 1 gauss/oerst ed, trong hệ MKSA gm = 4 p x 10^-7H/m

CHÚ THÍCH 2: Độ từ thẩm tương đối là một con số thuần tuý, như nhau trong mọi hệ đơn vị. Giá trị và thứ nguyên của độ từ thẩm tuyệt đối phụ thuộc vào hệ đơn vị được dùng.

CHÚ THÍCH 3: Với bất kỳ chất sắt từ nào, độ từ thẩm là  một hàm số của mức độ từ hóa. Tuy nhiên độ từ thẩm ban đầu, m₀ và độ từ thẩm cực đại m_m là những giá trị duy nhất với một mẫu thử trong các điều kiện quy định.

CHÚ THÍCH 4: Trừ giá trị độ từ thẩm ban đầu, m₀, giá trị bằng số của độ từ thẩm một chiều bất kỳ nào, là không có nghĩa, trừ khi mức kích thích tương ứng B hoặc H được quy định.

CHÚ THÍCH 5: Với các độ từ thẩm tăng mD và mDi, giá trị bằng số là không có nghĩa, trừ khi cả hai giá trị tương ứng của mức kích thích trung bình (B hoặc H) và khoảng thay đổi (DB hoặc DH) được quy định.

4.63. Phân tích pha: Kỹ thuật phân tích cho phép tách biệt giữa các biến đổi trong một chi tiết được thử điện từ, do sự thay đổi góc pha khác nhau, nhờ đó tạo ra trong tín hiệu.

4.64. Góc pha: Sự tương đương về góc của dịch chuyển theo thời gian giữa những điểm tương ứng trên hai sóng hình sin có cùng tần số.

4.65. Tách pha: Đạo hàm của một tín hiệu mà biên độ của nó là một hàm số của góc pha giữa hai dòng xoay chiều, một trong số đó được dùng như một chuẩn tham chiếu.

4.66. Hệ nhạy pha: Hệ mà tín hiệu ra của nó phụ thuộc vào mối liên hệ pha giữa điện thế phản hồi từ micrô hay cuộn cảm biến và một điện thế chuẩn.

4.67. Dịch pha: Sự thay đổi về pha giữa hai đại lượng thay đổi với cùng một tần số.

4.68. Cuộn đầu dò: Cuộn dây nhỏ hay nhóm cuộn dây được đặt trên hoặc gần bề mặt của các vật kiểm tra.

4.69. Khe hở của cuộn đầu dò: Khoảng cách theo phương vuông góc giữa bề mặt liền kề của đầu dò và chi tiết kiểm tra. Cũng gọi là khoảng nâng hạ.

4.70. Thời gian hồi phục: Thời gian cần thiết để một hệ kiểm tra quay về trạng thái ban đầu sau khi nó đã thu được tín hiệu.

4.71. Cuộn chuẩn tham chiếu: Cuộn dây hay đầu dò, có thể được dùng cùng với vật liệu thích hợp để cân bằng về điện một hệ so sánh.

4.72. Mức loại bỏ: Giá trị được thiết lập cho một tín hiệu, trên hay dưới giá trị này, các mẫu bị loại bỏ hoặc để phân biệt với các mẫu thử còn lại.

4.73. Độ chọn lọc: Đặc tính của hệ kiểm tra, là thước đo của sự mở rộng tới mức mà, một dụng cụ có khả năng phân biệt giữa tín hiệu mong muốn và những nhiễu loạn của những tần số hay pha khác.

4.74. Kiểm soát độ nhạy: Kiểm soát trong một thiết bị sao cho có thể điều chỉnh độ khuyếch đại, và là một trong những hệ số xác định khả năng phát hiện sự mất liên tục.

4.75. Tỷ số tín hiệu trên nhiễu: Tỷ số của các giá trị tín hiệu (đáp ứng chứa thông tin liên quan) và nhiễu (đáp ứng chứa thông tin không liên quan).

4.76. Hiệu ứng bề mặt: Hiện tượng, trong đó độ thẩm sâu của dòng điện vào vật dẫn giảm khi tần số dòng điện tăng, ở tần số rất cao, dòng điện chỉ chạy trong một lớp ngoài cực mỏng của vật dẫn.

4.77. Hiệu ứng vận tốc: Hiện tượng trong thử điện từ khi có sự thay đổi điện thế tín hiệu do có sự thay đổi trong chuyển động tương đối giữa mẫu thử và nhóm cuộn thử.

4.78. Cuộn thử: Phần của nhóm cuộn dây dùng kiểm tra vật liệu cần kiểm tra trong hệ so sánh, là cuộn dây dùng để kiểm tra vật liệu trong một hệ tuyệt đối hoặc so sánh vi sai.

4.79. Phân loại ba mức: Phân loại điện từ dựa trên đáp ứng tín hiệu từ vật liệu được kiểm tra ở trên hay dưới hai mức được thiết lập bởi ba hay nhiều hơn chuẩn hiệu chuẩn.

4.80. Mức ngưỡng: Sự chỉnh đặt một dụng cụ sao cho nó chỉ ghi những thay đổi trong đáp ứng lớn hay nhỏ hơn một độ lớn quy định.

4.81. Đặt ngưỡng: Sự chỉnh đặt một dụng cụ sao cho nó chỉ ghi những thay đổi trong đáp ứng của dòng điện xoáy lớn hơn một độ lớn quy định.

CHÚ THÍCH : Việc đặt ngưỡng và độ nhạy thường được chỉ thị bởi những số bất kỳ trên mặt điều khiển của thiết bị thử. Những việc đặt số này khác nhau ở các loại dụng cụ khác nhau. Vì thế, sẽ không đúng khi chuyển đổi việc đặt số từ máy này sang máy khác. Thậm chí ngay cả với các dụng cụ cùng một thiết kế, từ cùng một hãng sản xuất, việc đặt ngưỡng và độ nhạy có thể thay đổi chút ít, khi phát hiện cùng một sự mất liên tục, Vì vậy nhấn mạnh không hợp lý về các giá trị số của việc đặt độ nhạy và ngưỡng là không đúng.

4.82. Biến tử: Thiết bị điện từ, dùng để biến đổi năng lượng điện thành năng lượng từ, hoặc năng lượng cơ và ngược lại.

4.83. Chuẩn chấp nhận hình ống: Là ống dùng để xây dựng mức chấp nhận với các mất liên tục nhân tạo như quy định trong tiêu chuẩn sản phẩm được áp dụng.

4.84. Phân loại 2 mức: Phân loại điện từ dựa trên đáp ứng tín hiệu từ vật liệu được kiểm tra, ở trên hay dưới một mức được thiết lập bởi hai hay nhiều hơn chuẩn hiệu chuẩn.

4.85. Lắc: Hiệu ứng gây ra sự thay đổi về khoảng gián cách cuộn dây (thao tác nâng hạ) do chuyển động ngang của mẫu thử khi đi qua một cuộn dây quấn tròn.

5. Các thuật ngữ dùng cho thử bằng chụp tia X và tia gamma (RT)

5.1. Liều hấp thụ tuyệt đối: Phần năng lượng có được do bức xạ ion hóa trong một đơn vị khối lượng chất bị chiếu xạ. Ký hiệu là rad; 1 rad = 0,01 j/kg. Trong hệ SI, đơn vị là “gray”. 1 gray = 1 j/kg.

5.2. Tốc độ liều hấp thụ: liều hấp thụ trong một đơn vị thời gian; đo bằng rad/s. Trong hệ SI là gray/s,

5.3. Sự hấp thụ: Quá trình trong đó các hạt tới hay phôton của bức xạ bị giảm về số lượng hay năng lượng khi chúng đi qua vật chất,

5.4. Thế gia tốc: Hiệu điện thế giữa anot và catot trong ống tia X, nhờ đó các hạt mang điện được gia tốc. Thường đo bằng đơn vị keV hay MeV.

5.5. Sự kích hoạt: Trong chụp ảnh bực xạ nơtron, là quá trình làm cho một chất trở thành chất phóng xạ nhân tạo khi nó bị bắn phá bởi nơtron hay các hạt khác.

5.6. Hội chứng bức xạ nặng: Các hiệu ứng tức khắc trong một thời gian ngắn khi toàn cơ  thể của một người bị phơi nhiễm bức xạ. Các hiệu ứng này như nôn mửa, khó chịu, tăng nhiệt độ và những thay đổi về máu.

5.7. Chữ và số: Thuật ngữ liên quan tới con số và chữ cái, thường dùng để chỉ một thiết bị có thể làm việc với cả hai loại đặc tính này.

5.8. Hạt anpha: Hạt mang điện dương phát ra từ các hạt nhân của chất phóng xạ. Nó gồm hai proton và hai nơtron và chính là hạt nhân của nguyên tử He

5.9. Mảng phát hiện bức xạ dùng selen vô định hình (định thiêu): Mảng sử dụng chất quang dẫn selen vô định hình được phân cực cho phép trực tiếp biến bức xạ tới thành điện tích, và có thể đọc để tạo thành một ảnh số.

5.10. Bộ phát hiện tia X dùng silic vô định hình: Bộ phát hiện tia X dùng silic vô định hình gồm một chất nền bằng thủy tinh trên có một ma trận điot quang được chế tạo từ silic vô định hình và các chuyển mạch được sắp xếp thành hàng và cột. Các diot quang được kích hoạt bởi các photon ánh sáng phát ra từ một bộ phát nhấp nháy được kích hoạt bởi tia X và thường sát với ma trận diot.

5.11. Ảnh tương tự: Ảnh được tạo ra bởi quá trình vật lý thay đổi liên tục (thí dụ quá trình hiện phim)

5.12. Bộ biến đổi tương tự/số: Thiết bị làm thay đổi một tín hiệu tương tự thành tín hiệu số

5.13. Anot: Cực dương của một ống phóng điện.

Trong ống tia X, cực dương mang đích.

5.14. Dòng anot: Sự chuyển từ anot sang catot trong ống tia X của các electron, trừ đi một lượng nhỏ tổn hao do phần tán xạ ngược.

5.15. Khẩu độ: Độ mở trong vật liệu về không gian hay thời gian, qua đó một phần tử được coi là hoạt động. be active.

5.16. Diện tích quan tâm: Một phần cụ thể của ảnh vật trên ảnh chụp bằng bức xạ cần phải đánh giá.

5.17. Bộ xử lý mảng: Thiết bị xử lý logic mục đích đặc biệt, cho phép thực hiện rất nhanh các phép toán trên mảng số.

5.18. Chỉ thị giả: Chỉ thị xuất hiện trên ảnh chụp bằng bức xạ có thể là do chế tạo mắc lỗi, lưu trữ, thao tác, phơi nhiễm hay xử lý.

5.19. Sự suy giảm: Sự giảm cường độ tia bức xạ gây ra bởi tương tác của chùm tia với vật chất nó đi qua.

5.20. Ảnh bức xạ tự chụp: Ảnh của một vật có chứa phần tử bức xạ, thu được trên một môi trường ghi, bởi chính bức xạ của mình.

5.21. Bức xạ tán xạ ngược: Bức xạ bị tán xạ lớn hơn 90O so với chuẩn tới, có nghĩa là quay ngược lại với hướng chung của nguồn bức xạ.

5.22. Bêtatron: Máy gia tốc, trong đó sự gia tốc được thực hiện trong một từ trường đặc biệt hạn chế các electron trong một quỹ đạo tròn. Loại thiết bị này thường hoạt động với năng lượng từ 10 MEV đến 31 MEV.

5.23. Sự che chắn hay tạo mặt nạ: Sự che xung quanh các mẫu vật hay phủ các phần của nó bằng vật liệu hấp thụ.

5.24. Sự mờ hình ảnh: Trong hiện ảnh thời gian thực nhờ bức xạ, một điều kiện không mong muốn thể hiện trên một số thiết bị chuyển đổi ảnh và ống thu hình, đưa đến vượt quá độ sáng lối vào cho phép của thiết bị gây nên ảnh bão hoà, tạo ra ảnh mờ do sự xuống cấp của khả năng phân giải và thang xám.

5.25. Sự mở lại ảnh: Sự mở rộng một ảnh bức xạ đã bị thu nhỏ, thành kích thước gốc của nó bằng bộ đọc trực tiếp quang học.

5.26. Cassette: Một hộp kín ánh sáng, để chứa phương tiện ghi ảnh bức xạ trong khi phơi nhiễu, thí dụ phim, có thể có hay không có màn tăng cường hoặc chuyển đổi.

5.27. Đường cong đặc trưng: Đồ thị mật độ theo log độ phơi nhiễm hay độ phơi nhiễm tương đối (gọi là đường cong D log E hay đường cong H và D).

5.28. Chiếu phim ảnh bức xạ: Sự tạo nên một loạt các ảnh bức xạ, sao cho có thể nhìn thấy nhanh thành chuỗi, nhờ đó tạo nên ảo giác về sự liên tục.

5.29. Ống chuẩn trực: Dụng cụ dùng vật liệu hấp thụ bức xạ dùng để xác định hướng và góc phân kỳ của chùm bức xạ.

5.30. Quan sát phức hợp: Sự nhìn hay hai nhiều ảnh bức xạ chồng lên nhau do phơi nhiễm phim nhiều lần.

5.31. Bức xạ tán xạ compton: Sự tán xạ tia X hay tia g do tán xạ không đàn hồi của tia X hay g trên một electron. Vì electron bắn ra một khoảng ngắn trong hầu hết các vật liệu, nó không được coi là một phần của bức xạ tán xạ.

5.32. Phép ghi bức xạ nhờ tính toán (phương pháp huỳnh quang kích thích để tạo ảnh): Quá trình hiện ảnh bức xạ gồm hai bước: Thứ nhất, một tấm hiện ảnh lưu trữ bằng photpho được phơi nhiễm để nhận bức xạ; Thứ hai, sự phát huỳnh quang từ một tấm photpho có khả năng phát sáng khi bị kích thích, được thu, số hóa và thể hiện qua bản sao hoặc ống tia điện tử.

5.33. Điện thế không đổi: Phương pháp tạo nên tia X nhờ điện bằng cách đặt một nguồn điện có điện thế không đổi (điện thế và dòng điện), giữa anot và catot của ống phát tia X. Thành phần dao động của nguồn điện có điện thế không đổi thường là ít hơn 2,0 %.

5.34. Độ nhạy tương phản: Mức đo sự thay đổi theo phần trăm tối thiểu trong một vật để tạo nên mật độ cảm nhận được về sự thay đổi độ sáng trong ảnh bức xạ.

5.35. Thay đổi tương phản: Một chức năng tác dụng lên các giá trị của thang xám trong một ảnh để làm tăng hay giảm tương phản của ảnh.

5.36. Độ nét – Độ nét ảnh: Sự sắc nét trong việc mô tả chi tiết ảnh trong ảnh bức xạ.

Thường dùng một cách định tính.

5.37. Mật độ kế: Một thiết bị để đo mật độ quang học của phim ảnh bức xạ.

5.38. Số: Sự thể hiện dữ liệu hoặc các đại lượng vật lý dưới dạng các mã rời rạc chẳng hạn các ký tự số, chứ không phải dòng liên tục.

5.39. Ảnh số: Một ảnh gồm các điểm ảnh rời rạc, mỗi điểm ảnh được đặc trưng bởi mức sáng thể hiện theo số.

5.40. Hệ thu nhận ảnh số: Một hệ các linh kiện điện tử hoặc trực tiếp phát hiện bức xạ hoặc biến đổi thông tin tách sóng bức xạ tương tự, để tạo nên một ảnh của bản đồ cường độ bức xạ không gian gồm một mảng các giá trị cường độ số rời rạc (xem điểm ảnh).

5.41. Sự tăng cường ảnh số: Một thao tác nào đó dùng với mục đích làm tăng cường một khía cạnh nào đó ảnh gốc.

5.42. Hệ xử lý ảnh số: Một hệ dùng thuật toán để xử lý dữ liệu của ảnh số.

5.43. Số hóa (cho bức xạ học): Hoạt động biến đổi ảnh hoặc tín hiệu tương tự sang biểu diễn dạng số.

5.44. Phạm vi động (cho bức xạ học): Khoảng trải của cường độ tín hiệu xác định khoảng hiệu năng của hệ.

5.45. Độ nhạy chỉ thị chất lượng ảnh tương đương: Độ dầy của chỉ thị chất lượng ảnh tương đương biểu thị bằng phần trăm của chiều dầy phần được kiểm tra bằng bức xạ, trong đó một lỗ 2T hay 2 % tương đương kích thước dây sẽ có thể được nhìn thấy trong cùng những điều kiện bức xạ.

5.46. Độ nhạy máy đo độ xuyên tương đương: Chiều dầy của máy đo độ xuyên tương đương được biểu thị theo phần trăm chiều dầy phần được chiếu xạ, trong đó một lỗ 2T có thể được nhìn thấy trong cùng những điều kiện bức xạ.

5.47. Môi trường quang học có thể xóa được: Phương tiện lưu trữ có thể viết lại và xoá được, ở đó các dữ liệu số được trình bày bằng mức độ phản xạ của phương tiện ghi lớp.

Các dữ liệu có thể thay đổi.

5.48. Phơi nhiễm, Phơi nhiễm bức xạ: Đưa đối tượng của phương tiện ghi vào bức xạ với mục đích tạo nên một ảnh ẩn. Phơi nhiễm bức xạ thường biểu thị bằng miliampe-s hoặc milicuri/h cho một khoảng cách từ nguồn đến phim đã biết.

5.49. Bảng phơi nhiễm: Một bảng tóm tắt các giá trị của phơi nhiễm bức xạ thích hợp cho các chiều dầy khác nhau cho một vật liệu quy định.

5.50. Độ tương phản phim: Còn gọi là gradient. Một biểu thức định lượng của độ dốc hay độ nghiêng của đường đặc trưng của phim. Tính chất này của vật liệu phim bức xạ có liên quan tới độ lớn của hiệu cường độ tạo nên từ một hiệu cho trước của liều phơi nhiễm lôga.

5.51. Mật độ phim: Mức đo định lượng của sự truyền ánh sáng quang học khuyếch tán (mật độ quang học, độ đen) qua một phim đã rửa.

D = log(I₀ / I)                 (2)

Trong đó:

D: là mật độ quang học;

I₀: là cường độ ánh sáng tới phim;

I: là cường độ ánh sáng truyền qua.

5.52. Tốc độ phim: Giá trị bằng số biểu thị đáp ứng của bộ thu ảnh với năng lượng của bức xạ truyền qua trong các điều kiện quy định.

5.53. Lớp lọc: Lớp vật liệu đồng nhất, thường có số nguyên tử cao hơn mẫu thử được đặt giữa nguồn bức xạ và phim với mục đích hấp thụ tốt các bức xạ yếu hơn.

5.54. Phát huỳnh quang: Sự bức xạ ánh sáng từ một chất do sự hấp thụ của bức xạ khác nào đó có bước sóng ngắn hơn, chỉ tới khi sự kích thích tạo nên chúng còn được duy trì.

5.55. Phép huỳnh quang nghiệm: Sự quan sát thấy trên màn huỳnh quang ảnh của một vật bị phơi nhiễm bởi bức xạ xuyên, bức xạ ion hóa.

5.56. Tiêu điểm: Với máy phát tia x, đó là diện tích anốt (đích) của ống tia x nơi phát ra tia x khi bị electron bắn phá.

5.56. Mờ: Thuật ngữ chung dùng để chỉ một sự tăng nào đó mật độ quang học của nhũ tương ảnh đã xử lý, gây ra bởi tác động khác, ngoài tác động trực tiếp của bức xạ tạo ảnh gây ra do một hay những tác động sau đây:

a) Già hóa: Hư hỏng, trước hoặc sau khi phơi nhiễm, hoặc cả hai tạo thành từ phương tiện ghi đã được lưu giữ quá lâu, hoặc những điều kiện không thích hợp khác;

b) Nền: Mật độ đồng nhất tối thiểu vốn có trong nhũ tương đã xử lý không bị phơi nhiễm trước.

c) Hóa học: Tạo nên từ các phản ứng không mong muốn trong xử lý hóa học.

d) Lưỡng sắc: Được đặc trưng bởi sự tạo ra bạc keo bên trong lớp nhậy hiện hình.

e) Phơi nhiễm: Xuất hiện do phơi nhiễm nào đó của nhũ tương với bức xạ ion hóa hay ánh sáng tại thời điểm giữa các giai đoạn từ sản xuất đến định hình cuối cùng.

f) Oxy hóa: Tạo ra do phơi nhiễm trong không khí trong khi hiện hình.

g) Chụp ảnh: Xuất hiện duy nhất do tính chất của nhũ tương và điều kiện xử lý chẳng hạn hiệu ứng tổng thể của mờ cố hữu và mờ hóa học.

h) Ngưỡng: Mật độ đồng nhất cực tiểu vốn có trong nhũ tương đã xử lý không phơi nhiễm trước.

5.57. Mật độ sương: Thuật ngữ chung dùng để ký hiệu sự tăng mật độ quang nào đó của phim đã xử lý, gây ra bởi các tác động khác, ngoại trừ tác dụng trực tiếp của bức xạ tạo ảnh.

5.58. Bức xạ tán xạ thuận: Bức xạ được tán xạ nhỏ hơn 90⁰ so với chùm tia tới, nghĩa là hướng về phía trước, theo hướng chung của nguồn phát xạ.

5.59. Phép chụp ảnh gamma: Kỹ thuật tạo ảnh dùng tia g.

5.60. Tia g: Bức xạ sóng điện từ có khả năng xuyên sâu, có nguồn gốc từ sự phân hủy của hạt nhân chất phóng xạ.

5.61. Sự không sắc nét hình học: Bóng nửa tối trong ảnh bức xạ phụ thuộc vào:

1) Kích thước nguồn bức xạ;

2) Khoảng cách từ nguồn đến vật

3) Khoảng cách từ vật đế bộ phát hiện.

5.62. Độ hạt: Dấu vết nhìn thấy được về độ không đều của lớp bạc trong phim đã xử lý.

5.63. Thời gian bán rã: Thời gian cần thiết để một nửa số nguyên tử phóng xạ cho trước bị phân rã.

5.64. Lớp giá trị một nửa (HVL): Chiều dầy của một chất hấp thụ cần thiết để giảm cường độ chùm tia tới còn bằng một nửa giá trị ban đầu.

5.65. Chiều dầy giá trị một nửa: Chiều dầy của chất cụ thể khi đưa vào trong đường đi của chùm tia bức xạ cho trước, làm giảm cường độ của nó đi một nửa.

5.66. Tệp dữ liệu ảnh: Một tệp số chứa ảnh bức xạ và thông tin văn bản.

5.67. Xử lý ảnh: Phương pháp trong đó dữ liệu ảnh số được biến đổi thông qua các hàm toán học .

5.68. Bộ chỉ thị chất lượng ảnh (IQI): Trong bức xạ học công nghiệp, một thiết bị hay tổ hợp thiết bị mà hình ảnh minh hoạ hay hình ảnh của nó cung cấp các dữ liệu nhìn hay định lượng hoặc cả hai, để xác định chất lượng và độ nhạy bức xạ. Cũng còn gọi là vật đo độ xuyên (rất ít dùng)

CHÚ THÍCH : IQI không phải dùng để đánh giá kích cỡ hay giới hạn chấp nhận của sự mất liên tục.

5.69. Chỉ thị: Đáp ứng hay bằng chứng từ kiểm tra không phá hủy cần phải giải thích để xác định sự liên quan.

5.70. Màn tăng cường: Vật liệu biến đổi một phần năng lượng bức xạ thành ánh sáng hay electron và khi tiếp xúc với phương tiện ghi trong khi phơi nhiễm, cải thiện chất lượng của ảnh chụp, hoặc giảm thời gian phơi nhiễm khi tạo ảnh bức xạ hoặc cả hai. Ba loại màn tăng cường thường dùng là:

a) Màn kim loại: Màn gồm có kim loại nặng (thường là chì) hoặc tổ hợp kim loại nặng (thí dụ oxyt chì) có khả năng phát ra electron sơ cấp khi bị phơi nhiễm bởi tia X hoặc tia g.

b) Màn huỳnh quang: Màn gồm một lớp photpho sẽ phát huỳnh quang khi bị phơi nhiễm bởi tia X hay g.

c) Màn kim loại huỳnh quang: Màn gồm một lá mỏng kim loại (thường là chì) phủ một lớp vật liệu phát huỳnh quang khi bị phơi nhiễm bởi bức xạ tia X hay g. Mặt phủ đặt gần với phim để tạo ra sự phát quang. Nhiệm vụ của kim loại như là màu kim loại thông thường. normal metal screen.

5.71. Độ nhạy của bộ chỉ thị chất lượng ảnh: Trong chụp ảnh bức xạ, ảnh nhỏ nhất có thể phân biệt được và ảnh lỗ chỉ thị loại tấm, hoặc ảnh dây trong bộ chỉ thị chất lượng ảnh loại dây.

5.72. Kilô electron volt (keV): Đơn vị đo năng lượng bằng 1000 electron volt, có nghĩa là năng lượng thu được của một electron khi di chuyển qua một hiệu điện thế 1000 V trong chân không.

CHÚ THÍCH : Đơn vị năng lượng photon cực đại của phổ tia X bị làm chậm, khi được dùng để m ô tả nguồn tia X.

5.73. Kilô volt (kV): Đơn vị hiệu điện thế bằng 1000 volt.

CHÚ THÍCH : Thường dùng để biểu thị thế gia tốc của nguồn tia X tĩnh điện, như ống tia X

5.74. Kilô volt đỉnh: Đơn vị dùng để biểu thị điện thế đỉnh của điện thế thay đổi theo thời gian của nguồn tia X, chẳng hạn nguồn phát tia X chỉnh lưu.

5.75. Ảnh ẩn: Điều kiện tạo nên và duy trì trong bộ thu ảnh, do phơi nhiễm bức xạ và có thể biến thành ảnh nhìn thấy được nhờ xử lý.

5.76. Cặp vạch trên một milimét: Phép đo khả năng phân giải của thiết bị chuyển đổi ảnh. Một mẫu thử cặp vạch gồm một hay nhiều cặp vạch có độ rộng bằng nhau, các đường và khoảng trống tương phản cao, được dùng để xác định mật độ cực đại các đường và khoảng trống để có thể tạo được ảnh. Giá trị này biểu thị bằng cặp vạch trên milimét.

5.77. Mẫu thử cặp vạch: Một mẫu gồm một hay nhiều cặp của đối tượng với các vạch có chiều rộng bằng nhau và cách đều nhau với độ tương phản cao. Mẫu này được dùng trong thiết bị hiện ảnh để đo khả năng phân giải không gian.

5.78. Máy gia tốc thẳng: Máy phát electron trong đó gia tốc các hạt được nối tiếp với sự truyền từ trường cao tần bên trong một ống dẫn sóng thẳng hay có gợn sóng.

5.79. Bộ đánh dấu vị trí: Một số hay một chữ làm bằng chì (Pb) hoặc vật liệu hấp thụ cao hơn, được đặt lên vật để có khả năng theo dõi dấu vết giữa diện tích quy định trên ảnh và chi tiết.

5.80. Bức xạ g năng lượng thấp: Bức xạ g có năng lượng thấp hơn 200 keV.

5.81. Độ sáng: Mức đo cường độ ánh sáng phát ra.

5.82. Miliampe (mA): Đơn vị đo dòng điện bằng 0,001 ampe, được dùng để đo cường độ dòng điện của ống tia X.

5.83. Phương tiện lưu trữ từ: Phương tiện lưu trữ dùng các tính chất từ (lượng cực từ) để lưu dữ liệu số (thí dụ: trống quay, đĩa, băng hay lõi tĩnh hoặc phim).

5.84. Mega-electron-volt (MeV): Đơn vị bằng một triệu electron volt, có nghĩa năng lượng thu được bởi một electron, chuyển động qua một hiệu điện thế 1.000.000 volt trong chân không.

CHÚ THÍCH : Đơn vị năng lượng photon cực đại của phổ tia X bị làm chậm, khi được dùng để m ô tả nguồn tia X.

5.85. Ống tia X tiêu điểm micro. Ống tia X có kích thước tiêu điểm hiệu dụng không vượt qua 100 mm.

5.86. Mili ampe (mA): Thuật ngữ kỹ thuật là 5.86 Milliamperes (mA): The technical term is dòng điện trong ống và được định nghĩa là dòng điện đi qua giữa anot và catot khi ống tia X hoạt động, được đo theo mA và thường dùng như phép đo cường độ tia X.

5.87. Ống tia X tiêu điểm nhỏ: Ống tia X có kích thước vết tiêu điểm nằm trong khoảng từ 100 mm đến 400 mm.

5.88. Mêga volt (MV): Đơn vị đo hiệu điện thế bằng 1000000 volt.

CHÚ THÍCH : Thường dùng để biểu thị thế gia tốc của nguồn tia X tĩnh điện. Khi dùng để miêu tả nguồn tia X dựa trên máy gia tốc, điện thế gia tốc có thể tạo nên cùng năng lượng electron và phổ tia X, nếu dùng nguồn tĩnh điện.

5.89. Mêga volt đỉnh (MVp): Thuật ngữ dùng để chỉ thế gia tốc tĩnh điện tương đương của một nguồn tia X dựa trên máy gia tốc (xem Mega volt).

CHÚ THÍCH : Đây không phải là thuật ngữ kỹ thuật chính xác, khi MVp được dùng tương tự như MVp chế độ tia X.

5.90. Mật độ tinh: Mật độ tổng cộng không kể mật độ sương và giá đỡ (gốc phim).

5.91. Chụp ảnh bằng nơtron (NRT): Quá trình tạo ảnh của các chi tiết bên trong của một vật do nó hấp thụ có chọn lọc chùm nơtron.

5.92. Nhiễu: Dữ liệu có trong đo bức xạ, không liên quan trực tiếp đến mức độ suy giảm của bức xạ bởi vậy đang được kiểm tra.

5.93. Dữ liệu quang học không xoá được: Phương tiện lưu trữ không xoá được cũng không viết lại được. Trong đó các dữ liệu số đại diện cho độ phản xạ của phương tiện ghi lớp. Dữ liệu không thay đổi được.

5.94. Phim loại không có màn tăng cường (phim loại trực tiếp): Phim tia X được thiết kế cho việc sử dụng có hoặc không có màn kim loại, mà không phải cho dùng với màn muối.

5.95. Hoạt tính hạt nhân nguyên tử: Số phân rã xảy ra trong một lượng vật chất cho trước trong một đơn vị thời gian. Đơn vị đo là curi.

Một Curi tương đương với 3,7 x 10¹⁰ phân rã trong một giây.

5.96. Khoảng cách vật phim: Khoảng cách giữa bề mặt của nguồn về phía vật và mặt phẳng của phương tiện ghi.

CHÚ THÍCH : Trong trường hợp khi phương tiện ghi được đặt trực tiếp lên vật đang được kiểm tra, khoảng cách này bằng chiều dày của vật.

5.97. Mật độ quang: Mức độ đục của môi trường trong mờ (độ đen của phim) được biểu thị theo:

OD = log(I_o / I )                          (3)

OD: là mật độ quang;

I_o: cường độ ánh sáng tới phim;

I: cường độ ánh sáng truyền qua phim.

5.98. Mẫu thử cặp vạch quang: Xem mẫu thử cặp vạch.

5.99. Sự tạo cặp: Quá trình trong đó photon gamma với năng lượng lớn hơn 1,02 MeV được biến đổi trực tiếp trong vật chất để tạo thành một cặp electron-positron. Sự hủy của positron sau đó dẫn đến việc tạo ra 2 photon gamma 0,511 MeV.

5.100. Chùm tia kiểu bút chì: Chùm tia bức xạ bị phân kỳ một chút, thường do sự chuẩn trực một nguồn bức xạ mạnh.

5.101. Photpho: Là chất có thể bị kích thích từ bức xạ tới để phát ra ánh sáng.

5.102. Chụp ảnh huỳnh quang: Sự chụp ảnh được tạo nên trên màn huỳnh quang.

5.103. Sự phát ánh sáng có thể kích thích bằng quang: Hiện tượng vật lý khi chất photpho hấp thụ bức xạ ion tới, lưu trữ năng lượng ở trạng thái gần bền và phát ra ánh sáng tỷ lệ với năng lượng hấp thụ, khi bị kích thích bởi bức xạ có bước sóng khác.

5.104. Photpho phát sáng có thể kích thích bằng quang: Chất photpho có khả năng lưu trữ một ảnh bức xạ ẩn, khi bị kích thích bằng laser sẽ phát ra ánh sáng tỷ lệ với cường độ bức xạ.

5.105. Điểm ảnh: Phần tử có thể ghi được địa chỉ nhỏ nhất trong ảnh điện tử.

5.106. Điểm ảnh, kích thước hiển thị: Kích thước của phần tử ảnh nhỏ nhất tạo nên ảnh do hiển thị, cho trước theo kích thước vật tạo ảnh được đại diện bởi các phần tử này.

5.107. Kích thước điểm ảnh: Chiều dài và rộng của một điểm ảnh.

5.108. Bức xạ sơ cấp: Bức xạ đến trực tiếp từ nguồn.

5.109. Ảnh bức xạ: Ảnh nhìn được, giữ lâu bền trên một phương tiện ghi tạo nên bởi sự xuyên qua của bức xạ qua vật liệu được thử.

5.110. Tương phản ảnh bức xạ: Sự khác nhau về mật độ từ vùng này sang vùng khác của ảnh bức xạ là do sự tổ hợp của độ tương phản phim và độ tương phản vật.

5.111. Hệ số tương đương của ảnh bức xạ: Hệ số nhân bề dày của một vật liệu để xác định chiều dày của vật liệu chuẩn (thường là thép) để chúng có cùng một sự hấp thu.

5.112. Kiểm tra bằng ảnh bức xạ: Sự sử dụng tia X hoặc bức xạ hạt nhân hoặc cả hai để phát hiện sự mất liên tục trong vật liệu và trình bày ảnh của chúng trên phương tiện ghi.

5.113. Chất lượng ảnh bức xạ: Thuật ngữ định tính dùng để mô tả khả năng của một ảnh bức xạ để tìm ra vết hỏng trong vùng được kiểm tra.

5.114. Độ nhạy ảnh bức xạ: Một thuật ngữ chung hoặc định tính nói tới kích thước chi tiết nhỏ nhất có thể nhìn thấy trên ảnh bức xạ, hoặc sự dễ dàng nhìn thấy chi tiết với kích thước này.

5.115. Phép chụp ảnh bức xạ: Hành động, thao tác, quá trình tạo ảnh bức xạ.

5.116. Kiểm tra dùng bức xạ: Việc dùng bức xạ ion hóa có thể đâm xuyên để tạo nên ảnh hiển thị để phát hiện sự mất liên tục hoặc bảo đảm tính nguyên vẹn của chi tiết.

5.117. Phóng xạ học: Khoa học và ứng dụng của tia X, tia g, nơtron và bức xạ đâm xuyên khác.

5.118. Phép ghi chép dùng bức xạ: Sự sản xuất ảnh bức xạ bằng điện tử gắn chặt với sự thay đổi theo thời gian của vật được chụp ảnh.

5.119. Sao chép bức xạ thời gian thực: Sự sao chép bức xạ có khả năng theo sát sự chuyển động của vật, không bị hạn chế về thời gian.

5.120. Các phương tiện ghi: Vật liệu có khả năng bắt hoặc lưu trữ, hay cả hai, một ảnh bức xạ theo dạng tương tự hay số.

5.121. Phương tiện ghi: Một phim hay máy phát hiện cho phép biến đổi bức xạ thành ảnh nhìn thấy.

5.122. Chỉ thị chất lượng đại diện (RQI): Một chi tiết thực hay một chi tiết tương tự có kích thước hình học và đặc trưng suy giảm có thể so sánh được với chi tiết thử có các tính chất có thể đo được hoặc biết trước, hay cả hai, đại diện cho những khía cạnh không phù hợp của chi tiết thử cần kiểm tra.

5.123. Tinh thể nhấp nháy và bộ nhấp nháy: Bộ phát hiện biến đổi bức xạ ion hóa thành ánh sáng.

5.124. Màn: Một thuật ngữ khác của màn tăng cường.

5.125. Bức xạ thứ cấp: Bức xạ phát ra từ một chất nào đó là do sự chiếu xạ của nguồn sơ cấp.

5.126. Độ nhạy: Xem độ nhạy tương phản, độ nhạy chỉ thị chất lượng ảnh tương đương, độ nhạy máy đo độ xuyên tương đương, độ nhạy của bộ chỉ thị chất lượng ảnh, độ nhạy ảnh bức xạ.

5.127. Vật đệm: Vật liệu thường được đặt dưới bộ chỉ thị chất lượng ảnh, có tính chất tương đương về mặt bức xạ với vật được chụp ảnh.

5.128. Tín hiệu: Sự hiện diện của dữ liệu trong phép đo bức xạ trực tiếp liên quan với độ suy giảm bức xạ bởi đối tượng được kiểm tra.

5.129. Nguồn: Máy hoặc vật liệu phóng xạ phát ra các bức xạ đâm xuyên.

5.130. Khoảng cách nguồn – phim: Khoảng cách giữa vùng tạo ra bức xạ của nguồn và phim.

5.131. Nêm bước: Một thiết bị có độ tăng bề dày từng nấc rời rạc để thu được ảnh có các giá trị mật độ theo từng nấc rời rạc.

5.132. Phim hiệu chuẩn kiểu nêm bước: Phim so sánh kiểu nêm bước mà mật độ của nó đã được cơ quan tiêu chuẩn hóa quốc gia thừa nhận.

5.133. Phim so sánh kiểu nêm bước: Một đoạn phim đã xử lý mang một mảng các bước có mật độ ảnh tăng dần.

5.134. Phim so sánh với nêm bước: Một ảnh bức xạ với các bước mật độ rời rạc đã được thử nghiệm bằng cách so sánh với phim kiểu nêm bước đã hiệu chuẩn.

5.135. Tấm hiện ảnh photpho lưu trữ: Bộ phát hiện dùng lại được, cứng hay mềm để lưu trữ ảnh bức xạ do phơi nhiễm bức xạ đâm xuyên.

5.136. Độ tương phản vật thể: Logarit của tỷ số các cường độ bức xạ được truyền qua những phần đã chọn của mẫu.

5.137. Các hiện tượng giả do hệ thống: Những bất thường do hệ thống tạo ra trong khi thu nhận, xử lý hiển thị, lưu trữ một ảnh số.

5.138. Nhiễu hệ thống: Nhiễu có mặt trong đo đạc bức xạ, tạo nên từ các phần tử riêng lẻ của hệ bức xạ.

5.139 Đích: Phần của anôt trong ống phát tia X chịu va đập của chùm electron.

5.140. Lớp giá trị giảm mười (TVL): Chiều dày của lớp của một chất cụ thể, khi đưa vào đường đi của một chùm bức xạ hẹp, làm giảm cường độ của bức xạ này đi mười lần.

5.141. Chụp cắt lớp: Kỹ thuật bức xạ cung cấp ảnh của mặt phẳng chọn trước trong vật, để loại trừ sự liên quan của cấu trúc nằm ngoài mặt phẳng quan tâm (Xem chụp cắt lớp nhờ tính toán). tomogram and (CT) computed tomography).

5.142. Độ không sắc nét ảnh tổng cộng: Sự nhoè của các nét đặc trưng của vật thử trong một ảnh bức xạ do nguyên nhân nào đó.

5.143. Môi trường gốc đục: Vật liệu có tính chất cho phép giải thích bức xạ nhờ ánh sáng phản xạ hay truyền qua.

5.144. Mật độ kế truyền qua: Dụng cụ đo cường độ ánh sáng phát qua một phim bức xạ và cho cách đọc ra mật độ phim truyền qua.

5.145. Mật độ phim được truyền: Mật độ phim bức xạ được xác định bằng cách đo ánh sáng được truyền

5.146. Dòng ống phát: Dòng điện đo bằng mA đi qua giữa catot và anot trong quá trình hoạt động của ống tia X.

5.147. Dòng ống phát: Sự truyền điện, tạo nên bởi dòng electron từ sợi đốt tới đích anot trong ống tia X, thường đo bằng mA.

5.148. Cassette chân không: Hộp mềm kín ánh sáng, khi hoạt động trong chân không giữ phim và màn tiếp xúc chặt với nhau trong quá trình phơi nhiễm bức xạ.

6. Thử rò rỉ 6 Leak Testing (LT)

6.1. Áp kế tuyệt đối: Áp kế mà sự hiệu chuẩn của nó có thể được tính toán từ các hằng số vật lý đo được của thiết bị và sự hiệu chuẩn là như nhau với tất cả các chất khí lý tưởng.

6.2. Áp suất tuyệt đối: Áp suất trên số không tuyệt đối ứng với không gian rỗng. Đó là áp suất khí quyển tại chỗ cộng với áp suất máy đo.

6.3. Sự hấp thụ: Trong thử rò rỉ là sự kết dính hoặc hợp nhất của khí ở bên trong một chất rắn (hoặc chất lỏng).

6.4. Thử tích lũy: Phép thử rò rỉ dùng để phát hiện các rò rỉ cực nhỏ, trong đó khí chứa trong phần thử, nếu có rò sẽ được tập hợp sau một khoảng thời gian quy định trong bình kín đã hút chân không, có chứa phần muốn thử. Cuối thời gian của chu kỳ thử, bình được mở tới bộ phát hiện rò rất nhạy với khí.

6.5. Diot dùng ion kiềm: Cảm biến cho các khí halogen (Xem bộ phát hiện rò rỉ dùng khí halogen).

6.6. Rò rỉ lỗ hổng: Rò rỉ của một loại cấu hình hình học mà độ dài quãng đường rò rỉ bé hơn rất nhiều lần đường kính ngắn nhất trên quãng đường đó sao cho sự rò rỉ có thể coi như tương đương một lỗ hở trong bức ngăn vô cùng mỏng.

6.7. Áp suất khí quyển chuẩn: Áp suất tạo nên bởi một cột thủy ngân cao 760 mm ở 0 ^oC trong gia tốc trọng trường chuẩn; tương đương với 101 325 Pa.

6.8. Áp suất khí quyển: Áp suất của bầu không khí ở một nơi và thời gian cụ thể (xem Bảng 1).

Bảng 1 – Thành phần và áp suất riêng phần khí quyển

Thành phần	Thể tích %	Áp suất riêng phần kPa
Tại mức nước biển áp suất khí quyển là 101kPa
Oxy Nitơ Các khí khác	21 78 1	(0,21 x 101) = 21 (0,78 x 101) = 79 (0,01 x 101) = 1
suất khí quyển tổng cộng 101 Tại độ cao 3700 m, áp suất khí quyển là 64kPa
Oxy Nitơ Các khí khác	21 78 1	(0,21 x 64) = 13 (0,78 x 64) = 50 (0,01 x 64) = 1
Áp suất khí quyển tổng cộng 64

6.9. Đơn vị khối lượng nguyên tử (amu): Đơn vị đo khối lượng của một hạt (nguyên tử, phân tử, ion và v.v …) được định nghĩa là 1/12 khối lượng cacbon 12. Giá trị bằng số của khối lượng một hạt theo đơn vị khối lượng nguyên tử chính là trọng lượng nguyên tử trước đây.

6.10. Bộ chỉ thị rò rỉ bằng âm thanh: Một phụ kiện của bộ phát hiện rò rỉ, dùng để chuyển đổi tín hiệu ra thành tín hiệu âm thanh có tần số là một hàm số của tốc độ rò rỉ.

6.11. Tín hiệu nền (phông): Trong thử rò rỉ, tín hiệu ra ổn định hay tăng giảm của bộ phát hiện rò rỉ gây ra bởi sự có mặt của khí đánh dấu hay các chất khác còn sót lại, thể hiện lên phân tử phát hiện.

6.12. Không gian sau: Khoảng không gian giữa máy bơm chân không ban đầu và bơm khuyếch tán kết hợp với nó (hoặc các loại bơm khác cần bơm chân không ban đầu) (Xem không gian đệm).

6.13. Kỹ thuật không gian sau: Phương pháp thử rò rỉ trong đó bộ phát hiện rò rỉ được nối với không gian sau để lợi dụng được ưu điểm cho việc nén khí ở giữa hệ chân không và bơm chân không ban đầu gây ra do bơm khuyếch tán (hoặc loại bơm khác có tốc độ cao so với tốc độ bơm chân không ban đầu).

6.14. Thử khí bằng nhiệt: Trong thử rò rỉ, sự thoát khí của hệ chân không bằng cách nung nóng trong quá trình bơm.

6.15. Không gian đệm: Trong thử rò rỉ là không gian sao đủ lớn để giữ áp suất ban đầu thấp, khi bơm ban đầu dừng lại tạm thời.

6.16. Bình hình chuông: Hộp chứa, hở một đầu (thường là phía đáy) dùng làm buồng chân không hay bình thử.

6.17. Phép thử dùng bình hình chuông: Phép thử dùng để phát hiện rò rỉ từ một vật hay một phần của vật được nạp đầy khí đánh dấu và đặt trong buồng chân không hay bình hình chuông.

6.18. Phép thử nhúng dùng bọt khí: Một dạng của thử rò rỉ các bình chứa khí, trong đó sự rò rỉ được chỉ thị bằng bọt khí tạo thành ở vị trí rò rỉ.

6.19. Thời gian làm sạch: Trong thử rò rỉ là thời gian cần thiết để hệ thử rò rỉ giảm tín hiệu ra của nó xuống còn 37 % tín hiệu chỉ thị tại thời điểm khí đánh dấu ngừng đi vào hệ.

6.20. Clusec: Đơn vị đo lưu tốc không dùng nữa, bằng 10-2 lusecs.

6.21. Tỷ số nồng độ: Trong thử rò rỉ, tỷ số của số nguyên tử (phân tử), của thành phần cho trước của hỗn hợp khí trên tổng số nguyên tử (phân tử), trong hỗn hợp. Với khí lý tưởng, tỷ số nồng độ có cùng giá trị như phần thể tích hoặc áp suất riêng phần của chất thành phần.

6.22. Độ dẫn: Trong thử rò rỉ (ở trạng thái dừng và các điều kiện bảo toàn) là tỷ số của thông lượng chất khí qua một ống dẫn hay một lỗ trên hiệu áp suất riêng phần ở hai đầu ống dẫn hoặc hai phía của lỗ, tính theo đơn vị thể tích trên đơn vị thời gian, ví dụ m³/s.

6.23. Bộ phát hiện rỏ rỉ vi sai: Bộ phát hiện rò rỉ dùng 2 ống đo giống nhau trong một mạch cầu với bẫy để lọc lấy khí đánh dấu giữa hệ và một trong hai ống đo.

6.24. Thiết bị Pirani vi sai: Là thiết bị phát hiện rò rỉ dùng hai ống Pirani giống nhau làm nhánh của cầu Wheatstone.

6.25. Sự khuyếch tán: Trong thử rò rỉ, luồng khí đi quan một chất do khí di chuyển thực qua mang tinh thể của chất, chứ không phải do rò rỉ hình học (các đường kính phân tử so với kích thước lỗ).

6.26. Bộ chỉ thị rò rỉ dùng ống phóng điện: Một ống thủy tinh, gắn với hệ thử rò rỉ. Ống này có các điện cực nối với nguồn cao thế cao tần, như cuộn Tesla, cuộn cảm sao cho sự thay đổi mầu sắc khi phóng điện có thể quan sát được khi khí đánh dấu thích hợp (metan, CO₂, cồn) chảy qua chỗ dò.

6.27. Sự phân ly: Trong thử rò rỉ, sự bẻ gãy một chất thành hai hay nhiều chất thành phần.

CHÚ THÍCH : Sự phân ly, một đôi khi gọi là sự phân tách.

6.28. Sự trôi: Trong thử rò rỉ, sự thay đổi tương đối chậm, trong mức tín hiệu ra nền của bộ phát hiện rò rỉ gây ra do điện tử chứ không phải là sự thay đổi về mức của khí đánh dấu.

6.29. Thử rò rỉ động lực: Là một dạng của thử rò rỉ, trong đó một số khí đánh dấu khi đi qua chỗ rò được liên tục lấy đi để phát hiện rò rỉ.

6.30. Đo rò rỉ động lực: Sự rò rỉ được xác định bằng cách đo áp suất riêng phần cân bằng của khí đánh dấu khi hệ đang được bơm.

6.31. Độ nhạy động lực của bộ phát hiện rò rỉ: Tốc độ rò rỉ tối thiểu mà bộ phát hiện rò rỉ có khả năng phát hiện được khi vật kín chịu thử, được hút khí liên tục với những điều kiện cụ thể nào đó.

6.32. Áp suất Nitơ tương đương: Áp suất tính được mà một máy đo hay một thiết bị khác sẽ chỉ thị, nếu khí trong thiết bị này được thay bằng Nitơ với cùng một mật độ phân tử.

6.33. Hệ bị tràn ngập: Hệ thống khi đang chạy thử, bị khí đánh dấu tràn đầy đến nỗi việc thử rò rỉ không thể tiếp tục được.

6.34. Lưu tốc (tốc độ lưu lượng): Trong thử rò rỉ:

1) Là tốc độ khí đi qua một tiết diện ngang cho trước của hệ, được xác định bằng tích của thể tích khí chuyển qua trong một đơn vị thời gian và áp suất riêng phần ở tiết diện ngang này.

2) Tích số của độ chênh áp của khí tại các đầu mút ống dẫn hay đi qua tiết diện ngang của lỗ và độ dẫn của khí cho ống dẫn hay lỗ. Được biểu thị bằng áp suất thể tích trên đơn vị thời gian như Pam³/s.

6.35. Đường ống chân không ban đầu: Trong thử rò rỉ là đường ống nối bơm ban đầu và bơm cần chân không ban đầu.

6.36. Van đường ống chân không ban đầu: Trong thử rò rỉ là van chân không đặt trên đường ống chân không ban đầu cho phép cách ly bơm khuyếch tán ra khỏi bơm trợ giúp.

6.37. Áp suất ban đầu: Trong thử rò rỉ, là tổng áp suất ở phía thoát của bơm, đo ở gần cửa thoát. Đôi khi gọi là áp suất sơ bộ áp suất ngược, áp suất xả, áp suất đầu ra, áp suất thoát … Khi thảo luận về tác động của luồng hơi, thuật ngữ áp suất ban đầu có thể dùng để chỉ áp suất tổng của khí chống lại va đập của luồng khí.

6.38. Bơm chân không ban đầu: Trong thử rò rỉ, là bơm cần để tạo nên chân không ban đầu cho một bơm khác không thể xả khí ở áp suất khí quyển. Đôi khi cũng được gọi là bơm trợ giúp.

6.39. Áp suất áp kế: Hiệu giữa áp suất tuyệt đối và áp suất khí quyển.

6.40. Khí: Trạng thái vật chất trong đó các phân tử thực tế là không bị hạn chế bởi lực hút giữa các phân tử đến mức các phân tử hoàn toàn tự do chiếm toàn bộ không gian bên trong bình kín. Trong công nghệ chân không, từ khí được dùng gắn liền với khí không ngưng tụ và hơi trong hệ chân không.

6.41. Halogen: Nguyên tố bất kỳ trong họ các nguyên tố flor, clo, brom, iot. Các hợp chất không được xếp vào theo định nghĩa hẹp của halogen. Tuy nhiên, trong tiêu chuẩn này, từ này cũng là thuật ngữ dùng cho hợp chất chứa halogen cho tiện dụng. Ý nghĩa trong việc phát hiện rò rỉ của halogen là ở chỗ, chúng cho áp suất hơi đủ cho việc dùng như khí đánh dấu.

6.42. Bộ phát hiện rò rỉ dùng halogen: Bộ phát hiện rò rỉ đáp ứng với khí đánh dấu loại halogen. Người ta cũng gọi là bộ phát hiện rò rỉ nhạy với halogen hay bộ phát hiện rò rỉ halogenua.

1. Bộ phát hiện ngọn lửa đồng hoặc đèn halogenua gồm một đèn bunsen có ngọn lửa tác động lên một tấm đồng hay một màn và một ống mềm có đầu dò lấy mẫu mang khi đánh dấu tới cửa nạp không khí của đèn.

2. Bộ phát hiện halogen điot ion kiềm phụ thuộc vào sự thay đổi của ion dương phát ra từ anot bằng platin nung nóng, khi các phân tử halogen đi vào phần tử cảm biến.

6.43. Sự bắn phá bằng Hêli: Thử sự giảm áp suất, trong đó Hêli được dùng như khí thử.

6.44. Sự trôi Hêli:

1. Trong thử rò rỉ với đầu dò, sự trôi khõi chỗ rò rỉ hoặc vùng đệm thấm đã định vị một khoảng nào đó từ đầu mút của đầu dò, nhưng bị phát hiện bằng đầu dò và có thể gây ra cho thao tác viên sự ngờ vực về vùng gần đầu rò.

2. Sự thay đổi dần dần của kim đồng hồ đo tín hiệu ra của bộ phát hiện rò rỉ gây ra do sự thay đổi nồng độ Hêli một cách chậm chạp (có thể do rò rỉ hoặc khử khí) trong ống phát hiện. Biểu thị bằng độ chia của thang trên một đơn vị thời gian.

6.45 Bộ phát hiện rò rỉ dùng Hêli: Bộ phát hiện rò rỉ dùng Hêli như khí đánh dấu.

6.46. Đệm bịt kín: Đệm không có rò rỉ, khi thử động lực với các bộ phát hiện rò rỉ dùng trong thương mại, các bộ phát hiện rỏ rỉ này rất nhạy với khí ở phía áp suất đối diện với phía đặt bộ phát hiện rò rỉ, hoặc không thể hiện rò rỉ dưới bất kỳ dạng thử chất lỏng nào.

6.47. Chân không cao: (Xem Bảng 2).

Bảng 2 – Độ chân không

6.48. Bơm duy trì: Loại bơm chân không ban đầu dùng để duy trì điều kiện làm việc của bơm hơi, khi bơm sơ bộ làm giảm áp suất hệ tới điểm tại đó có thể mở van thông giữa bơm hơi và hệ thống mà không cần ngừng luồng hơi từ vòi phun.

6.49. Phép thử dùng tủ hút: Phép thử tổng thể, trong đó vật được thử chân không được đặt trong tủ hút chứa đầy khí đánh dấu nhằm để mọi chi tiết của vật thử được kiểm tra cùng một lúc. Một dạng thử rò rỉ động lực trong đó toàn bộ mặt bao quanh hay một phần lớn mặt ngoài của nó được phơi nhiễm bởi khí đánh dấu, trong khi phần bên trong nối với bộ phát hiện rò rỉ để xem có rò rỉ hay không.

6.50. Phép thử thủy tĩnh: Trong thử rò rỉ là phép dùng áp suất trong đó vật thử được đổ đầy nước hay một chất lỏng khác. Áp suất khi cần thiết tác dụng lên chất lỏng trong một thời gian đòi hỏi và quan sát bằng mắt rò rỉ từ phía ngoài của vật.

6.51. Khí lý tưởng: Khí tuân theo định luật Boyle, có nhiệt giãn nở tự do bằng không (hoặc tuân theo định luật Charles).

6.52. Tốc độ rò rỉ trong: Tốc độ rò rỉ tổng hợp từ mọi chỗ rò rỉ trong một bình đã hút khí theo quy định. Đơn vị đo: áp suất thể tích trên một đơn vị thời gian.

6.53. Cửa nạp: Chỗ mở, mặt ghép, chỗ nối hoặc khớp nối trên bộ phát hiện rò rỉ hoặc một hệ thử rò rỉ, qua đó khí đánh dấu có thể đi vào và do rò rỉ từ vật đang thử.

6.54. Bơm ion: Là một thiết bị điện để hút chất khí, gồm một phương tiện để ion hóa chất khí, một hệ thống các điện cực có điện thế thích hợp và trong một số trường hợp là từ trường làm dịch chuyển các ion được tạo thành về phía một bề mặt, tại đó chúng sẽ bị hấp thụ hay hủy đi.

6.55. Nguồn ion: Trong thử rò rỉ là phần của ống trong bộ phát hiện rò rỉ, tại đó khi đánh dấu bị ion hóa ban đầu để phát hiện.

6.56. Thử ion hóa: Năng lượng cực tiểu tính theo eV cần thiết để tách một electron trong nguyên tử hay phân tử để tạo thành ion dương.

6.57. Dụng cụ đo chân không ion hóa: Máy đo chân không gồm phương tiện ion hóa các phần tử khí, các điện cực để dễ dàng thu thập các ion dương được tạo thành, phương tiện để chỉ thị độ lớn của dòng ion tạo thành. Dựa theo phương pháp tạo ra sự ion hóa, phân biệt các dụng cụ ion hóa khác nhau. Sau đây là một số các loại thường dùng.

a) Dụng cụ ion hóa catot nóng: Các ion được tạo thành do sự va chạm với điện tử phát ra từ một sợi đốt nóng (catôt) và được gia tốc nhờ điện trường. Ta cũng có thể gọi là máy đo ion hóa sợi tóc đốt nóng hoặc đơn giản là dụng cụ đo ion. Máy ion hóa Bayand Alpert dùng một ống nối với một điện cực được thiết kế để giảm thiểu tia X, tạo ra do sự phát xạ electron từ cực góp electron.

b) Dụng cụ ion hóa catot lạnh. Các ion sinh ra do sự phóng điện catot lạnh thường kèm theo từ trường làm tăng quãng đường của electron giữa catot và anot. Ống phóng điện là ống trong suốt, trong đó màu sắc và hình dạng của cột phóng điện catot (khi không có từ trường) cho chỉ thị về áp suất và bản chất khí. Dụng cụ ion hóa của hãng Philip là dụng cụ ion hóa catot lạnh, trong đó từ trường song song với trục của điện cực hình xuyến (thường là anot) đặt giữa hai bản điện cực thẳng góc với trục. Các biến thể khác nhau của dụng cụ đo Pening theo tên các nhà phát minh và một vài loại được gọi là dụng cụ đo chân không manhêtron.

c) Dụng cụ ion hóa phóng xạ. Các ion sinh ra do bức xạ (thường là các hạt alpha) phát ra từ một nguồn phóng xạ.

6.58. Phép thử độ cách ly: Trong thử rò rỉ là phương pháp để xác định có hay không rò rỉ trong hệ hoặc thu được một sự đánh giá về độ lớn của nó bằng cách quan sát tốc độ tăng áp suất trong một hệ được rút chân không, khi hệ được cách ly với máy bơm (xem tốc độ tăng).

6.59. Kypton 85: Một loại chất khí đánh dấu dùng để thử rò rỉ, khi dùng phép thử rò rỉ bằng phóng xạ.

6.60. Lỗ rò rỉ: Lỗ hổng hay khoảng trống ở vách của một vật kín có khả năng cho chất lỏng hay khí đi qua từ mặt này sang mặt kia của vách dưới tác động của áp suất hay chênh lệch về nồng độ giữa hai bên, độc lập với lượng chất lỏng chảy qua.

6.61. Thiết bị cấp khí thử chuẩn: Thiết bị sử dụng để cung cấp khí vào hệ thống ở lưu lượng được kiểm soát, thường là 10^-7 mol/s hoặc nhỏ hơn.

6.62. Bộ phát hiện rỏ rỉ: Thiết bị dùng để phát hiện, định vị hoặc đo đạc hoặc tổng hợp các nhiệm vụ trên các chỗ rò rỉ.

6.63. Tốc độ rò rỉ: Lưu tốc của chất lỏng hay khí qua chỗ rò rỉ ở nhiệt độ cho trước là do có độ chênh áp suất quy định qua chỗ rò rỉ. Các điều kiện chuẩn cho chất khí là 25 ^oC và 100 kPa. Tốc độ rò rỉ được biểu thị qua các đơn vị đo khác nhau Pam³/s hoặc Pa.lit/s (xem Bảng 3).

6.64. Chân không thấp: Xem Bảng 2.

6.65. Lusec: Đơn vị đo lưu tốc bằng 0,133 mPa.m³/s.

6.66. Sự che chắn: Trong thử rò rỉ, sự ngăn một phần của vật thử nhằm ngăn không cho khí đánh dấu đi vào các vết rò rỉ có thể tồn tại trong phần bị ngăn.

6.67. Số khối: Số nguyên gần với khối lượng nguyên tử được biểu thị hoặc bằng khối lượng nguyên tử hoặc bằng trọng lượng nguyên tử (như ở môn hóa học).

Bảng 3 – Hệ số chuyển đổi cho phép thử rò rỉ

6.68. Khối phổ kế (M.S.): Thiết bị có khả năng phân ly các phân tử bị ion hóa có tỷ số khối lượng và điện tích khác nhau và đo dòng ion tương ứng. Khối phổ kế có thể được dùng như một dụng cụ đo chân không với tín hiệu ra tỷ lệ với áp suất riêng phần của chất khí hoặc như bộ phát hiện rò rỉ nhạy cảm với chất khí đánh dấu nào đó, hoặc như dụng cụ phân tích để xác định thành phần theo phần trăm của một hỗn hợp khí. Các loại khối phổ kế khác nhau được phân biệt theo phương pháp ion. Các loại khối phổ kế chính là:

a) Khối phổ kế Dempster: Các ion đầu tiên được gia tốc bởi điện trường qua một khe hẹp và sau đó được từ trường làm lệch đi một góc 180⁰ để đi qua khe hẹp thứ hai.

b) Khối phổ kế Bainbridge-Jordan: Các ion được tách ra nhờ một trường tĩnh điện hướng tâm và một từ trường làm lệch các ion 60⁰. Chúng được sắp xếp sao cho sự tán sắc các ion trong điện trường được bù trừ một cách chính xác bởi sự tán sắc trong từ trường với một hiệu vận tốc cho trước.

c) Khối phổ kế Bleakney: Các ion được tách ra bằng các điện trường và từ trường chéo nhau.

Ta còn gọi là khối phổ kế các trường chéo.

d) Khối phổ kế Nier: Một dạng cải biên của khối phổ kế Dempster, trong đó các ion bị từ trường làm lệch.

e) Khối phổ kế thời gian bay: Khí bị ion hóa bởi chùm electron điều chế bằng xung và mỗi nhóm ion được gia tốc hướng về cực góp ion. Các ion có tỷ số khối lượng và điện tích khác nhau sẽ đi qua trên quãng đường đi với thời gian khác nhau.

f) Khối phổ kế tần số vô tuyến: Các ion được gia tốc đi vào trong một máy phân tích tần số vô tuyến, trong đó các ion có tỷ số khối lượng trên điện tích đã lựa chọn được gia tốc qua các cửa mở của một dẫy các bản cực cách nhau, gắn lần lượt vào bộ dao động với tần số vô tuyến. Các ion thoát vào trong trường tĩnh điện chỉ là các ion đã được gia tốc trong máy phân tích mới đạt tới cực góp.

g) Khối phổ kế Omegatron: Các ion được gia tốc theo nguyên lý của máy Cyclotron.

6.69. Bộ phát hiện rò rỉ kiểu khối phổ kế: Khối phổ kế được điều chỉnh để đáp ứng chỉ với khí đánh dấu.

6.70. Phổ khối lượng: Một bản ghi chép, đồ thị hoặc một bảng ghi số ion tương đối có khối lượng khác nhau được tạo ra khi một chất cho trước được xử lý trong một khối phổ kế.

6.71. Quãng đường tự do trung bình: Khoảng cách trung bình mà một phân tử di chuyển giữa các va chạm liên tiếp với các phân tử khác.

6.72. Chân không trung bình : Xem Bảng 2. 6.72 Medium vacuum: See Table 2.

6.73. Micromet: Đơn vị đo chiều dài bằng một phần triệu của mét.

6.74. Micron: Thuật ngữ dùng thay micromét. 6.74 Micron: A term for micrometre.

6.75. Micro thủy ngân: Đơn vị đo áp suất bằng tác dụng của một cột thủy ngân thẳng đứng chiều cao một micromet.

6.76. Milimet thủy ngân: Đơn vị đo áp suất tương ứng với cột thủy ngân chính xác cao 1 mm trong gia tốc trọng trường tiêu chuẩn. Đôi khi còn được gọi là torr.

6.77. Tốc độ rò rỉ nhỏ nhất phát hiện được: Độ lớn của tốc độ rò rỉ nhỏ nhất có thể phát hiện một cách chắc chắn nhờ bộ phát hiện rò rỉ hiện có ở thời điểm đo.

6.78. Sự chảy phân tử: Sự chảy của khí qua đường dẫn trong các điều kiện sao cho quãng đường tự do trung bình lớn hơn kích thước lớn nhất của tiết diện ngang của đường dẫn.

6.79. Sự rò rỉ phân tử: Sự rò rỉ của các cấu  trúc hình học, sao cho luồng khí đi qua nó tuân theo sự chảy phân tử (định luật Knudsen). Dòng khí tỷ lệ với hiệu áp suất ở hai đầu và tỷ lệ nghịch căn bậc hai của trọng lượng phân tử khí.

6.80. Newton (N): Đơn vị đo lực trong hệ SI (kg.m/^s2)

6.81 Khí không ngưng tụ: Khí ở nhiệt độ cao hơn nhiệt độ tới hạn của nó, vì thế nó không thể hóa lỏng chỉ bằng cách tăng áp suất.

6.82. Sự hút giữ: Sự bẫy một chất khí không hoà tan trong một chất rắn khi đông đặc.

6.83. Sự khử khí: Sự nhả chất khí ra khỏi vật liệu vào chân không.

6.84. Bộ phát hiện rò rỉ có lớp chắn paladi: Là bộ phát hiện rò rỉ dùng khí hydro làm khí đánh dấu dựa trên nguyên lý khuyếch tán hydro qua một lớp chắn bằng paladi nóng vào trong một dụng cụ đo chân không đã được hút chân không.

6.85. Áp suất riêng phần: Áp suất gây ra bởi một chất khí hoặc bởi chính nó hoặc khi có mặt của các khí khác. Khi không có chất khí thứ hai, áp suất riêng phần là áp suất tổng.

6.86. Pascal (Pa): Một pascal gần đúng bằng

1×10^-5 atm hoặc chính xác hơn 1 Pa = 0,98692 x 10^-5 atm

6.87. Pascal.m³/s (Pa.m³/s): Đơn vị lưu lượng được ưa dùng trong hệ SI. Một pascal.m³ trên giây xấp xỉ bằng 10 atm.cm³/s hay chính xác hơn 1 Pa.m³/s = 9,8692 atm.cm³/s.

6.88. Hệ số thấm: Lưu tốc ở trạng thái dừng của một chất khí qua một đơn vị diện tích nhân với bề dày của lớp chắn rắn trên một đơn vị chênh áp suất tại một nhiệt độ cho trước.

6.89. Sự chảy Poiseuille: Trường hợp riêng của chảy tầng qua một ống dài có tiết diện tròn.

6.90. Chênh áp suất (trong thử rò rỉ): Chênh lệch áp suất giữa mặt ra và vào của nơi rò rỉ.

6.91. Phép thử nhuộm màu dùng áp suất:

1) Một dạng của thử rò rỉ trong đó vật hoặc nhiều vật muốn thử được đổ đầy thuốc nhuộm lỏng hoặc dầu huỳnh quang và sau đó được nén bằng áp suất để các chất lỏng chảy qua các chỗ có khả năng bị rò rỉ, và chỗ rò rỉ có thể thấy bằng mắt khi nhìn từ bên ngoài.

2) Một dạng của thử rò rỉ trong đó vật hoặc nhiều vật muốn thử được nhúng vào thuốc nhuộm lỏng hoặc dầu huỳnh quang và sau đó được nén bằng áp suất để các chất lỏng thoát qua các chỗ có khả năng bị rò rỉ và chỗ rò rỉ có thể nhìn thấy từ phía ngoài sau khi chất lỏng dư được lấy đi hết.

6.92. Phép thử dùng áp suất và chân không: Phép thử rò rỉ trong đó thiết bị được đặt dưới tác dụng của áp suất khí trong một khoảng thời gian để khí có thể tích tụ đủ qua rò rỉ vào các thiết bị này. Khí rò rỉ được chỉ thị nhờ bộ phát hiện rò rỉ, nhậy với loại khí này, khi các thiết bị được đặt trong hệ chân không nối với bộ phát hiện rò rỉ.

6.93. Phép thử dùng áp suất: Là phương pháp rò rỉ trong đó vật muốn kiểm tra được bơm đầy khí hoặc chất lỏng sau đó nén dưới áp suất. Kiểm tra phía ngoài vật để phát hiện chỗ rò rỉ.

6.94. Đầu dò: Trong thử rò rỉ, là ống một đầu hở dùng để định hướng hoặc thu thập dòng khí đánh dấu.

6.95. Khí dò: Trong thử rò rỉ, là khí đánh dấu thoát ra từ một lỗ nhỏ để có thể va đập vào diện tích hẹp cần thử.

6.96. Thử dùng đầu dò: Phép thử rò rỉ trong đó khí đánh dấu tác dụng nhờ đầu dò, sao cho định vị được diện tích bị phủ kín bởi khí đánh dấu. Phép thử này cho phép xác định cụ thể vị trí chỗ rò rỉ.

6.97. Đầu dò tỷ lệ: Trong thử rò rỉ, đầu dò có thể thay đổi tỷ lệ mẫu và không khí sạch giữa 100 % mẫu và 100 % không khí sạch mà không làm thay đổi đáng kể lưu lượng tổng từ đầu dò.

6.98. Thời gian hút khí: Thời gian thoát khí.

6.99. Ống hút khí: Là ống kéo dài từ thiết bị đã hút chân không dùng để hút khí. Nó thường được bịt kín vĩnh cửu, nếu sau khi thiết bị đã được hút chân không. Đôi khi gọi là ống xả.

6.100. Hệ thử rò rỉ bằng đồng vị phóng xạ: Hệ thử rò rỉ dùng khí đánh dấu phóng xạ và bộ phát hiện để đo sự phát xạ từ chất đánh dấu.

6.101. Tốc độ tăng (áp suất): Trong thử rò rỉ tốc độ của sự tăng áp suất theo thời gian, tại một thời điểm cho trước của một hệ chân không khi bị cách ly đột ngột với bơm bằng van khóa. Thể tích và nhiệt độ của hệ được giữ không đổi trong khi đo tốc độ tăng. (Xem phép thử độ cách ly).

6.102. Độ cản (với dòng chảy): Số nghịch đảo 6.102 Resistance (to flow): The reciprocal of của độ dẫn. conductance.

6.103. Hệ số đáp ứng: Trong thử rò rỉ, đáp ứng của bộ phát hiện rò rỉ halogen lưu tốc 0.3 Mpam³/s hay bé hơn của chất làm lạnh 12 (CCl₂F₂) chia cho đáp ứng của cùng một lượng khí thử halogen khác. Vậy tốc độ rò rỉ thực tế của vết rò rỉ phát hiện được sẽ là chỉ thị của bộ phát hiện nhân với hệ số đáp ứng. Đáp ứng của hỗn hợp khí đánh dấu và khí không halogen sẽ là hệ số đáp ứng của chất đánh dấu chia cho phần khí đánh dấu trong khí thử.

6.104. Thời gian đáp ứng: Thời gian cần thiết để bộ phát hiện rò rỉ hay hệ thử rò rỉ tạo ra một tín hiệu ra bằng 63 % của tín hiệu cực đại đạt được khi cấp liên tục khí đánh dấu cho hệ thử. Cũng còn gọi là đáp ứng.

6.105. Hút khí sơ bộ: Trong thử rò rỉ, sự thoát khí ban đầu của một hệ chân không.

6.106. Đường hút khí sơ bộ: Trong thử rò rỉ đường đi từ bơm cơ học đến buồng chân không qua đó thực hiện chân không ban đầu ở mức thấp.

6.107. Bơm sơ bộ: Trong thử rò rỉ, bơm dùng để hút chân không ban đầu của một hệ chân không.

6.108. Đầu dò lấy mẫu: Trong thử rò rỉ là một dụng cụ để thu thập khí đánh dấu từ diện tích vật kiểm tra và đưa đến bộ phát hiện rò rỉ ở áp suất đã giảm theo yêu cầu. Cũng còn gọi là đầu dò hút.

6.109. Sự tán xạ: Trong thử rò rỉ là sự phân tán hoặc khuyếch tán theo các hướng khác nhau gây ra do va chạm giữa các phân tử hoặc các ion, dùng cho hiệu ứng của khí dư trong ống khối phổ kế hoặc một chùm ion qua ống. spectrometer tube or an ion beam traversing

6.110. Độ nhạy: Trong trường hợp bộ phát hiện rò rỉ là đáp ứng của bộ phát hiện rò rỉ khí đánh dấu (nghĩa là số vạch của thang chia độ ứng với một đơn vị tốc độ rò rỉ).

6.111. Độ nhạy của phép thử rò rỉ: Tốc độ rò rỉ nhỏ nhất mà một dụng cụ, phương pháp hay hệ thống có khả năng phát hiện được trong các điều kiện quy định (Xem tốc độ rò rỉ nhỏ nhất phát hiện được).

6.112. Sự hút bám: Sự lưu giữ khí do hấp thụ, hấp phụ, sự bám thấu hóa học hoặc sự tổ hợp bất kỳ của các quá trình này.

6.113. Bộ phát hiện rò rỉ dùng cuộn phóng điện: Cuộn dây phóng điện tần số cao loại Tesla, chỉ thị các lỗ chân cắm trong hệ chân không thủy tinh nhờ sự phóng tia lửa điện giữa lõi cuộn dây và lỗ chân cắm.

6.114. Ống phổ kế: Phần tử cảm biến của bộ phát hiện rò rỉ của khối phổ kế.

6.115. Đầu dò phun: Trong thử rò rỉ là dụng cụ để định hướng một tia nhỏ của khí đánh dấu lên vật được thử chân không.

6.116. Bộ chỉ thị (rò rỉ) bằng tiếng ù: Giống như bộ chỉ thị rò rỉ bằng âm thanh.

6.117. Bộ rò rỉ chuẩn: Dụng cụ cho phép khí đánh dấu đi vào bộ phát hiện rò rỉ hay hệ thử rò rỉ với một tốc độ biết trước để dễ dàng cho sự hiệu chuẩn bộ phát hiện rò rỉ.

6.118. Tốc độ rò rỉ chuẩn: Lưu tốc dòng không khí ở các điều kiện sau: áp suất đầu vào 0,1 MPa ± 5 %; áp suất đầu ra < 1 kPa; nhiệt độ 25 ^oC ± 5 ^oC, điểm sương nhỏ hơn -25 ^oC.

6.119. Dụng cụ đo chân không nhờ dẫn nhiệt: Dụng cụ đo chân không chứa hai mặt có nhiệt độ khác nhau. Nhiệt lượng chuyển vận giữa chúng do các phần tử khí sao cho sự thay đổi nhiệt độ (công suất nhiệt cần thiết để duy trì nhiệt độ không đổi) của một trong hai bề mặt đó có thể tương quan với áp suất khí. Các loại khác nhau của dụng cụ đo độ dẫn nhiệt được phân biệt theo phương pháp chỉ thị sự thay đổi nhiệt độ. Một số loại thường dùng là:

1. Áp kế Pirani: Sự tăng áp suất từ điểm không gây nên sự giảm nhiệt độ của dây tóc bị nung nóng làm bằng vật liệu có hệ số thay đổi điện trở vì nhiệt lớn, vì vậy làm mất cân bằng cầu Wheaston (hoặc mạch điện được điều chỉnh để duy trì nhiệt độ của dây tóc không đổi).

2. Áp kế cặp nhiệt điện: Sự giảm nhiệt độ của dây tóc bị nung nóng khi tăng áp suất được đo bằng sự giảm của suất điện động trong mạch có cặp nhiệt điện, một đầu tiếp xúc với điểm giữa của dây tóc bị đốt nóng.

3. Áp kế nhiệt điện tử: Một dạng của áp kế Pirani trong đó phần tử bị đốt nóng là một nhiệt điện trở.

4. Áp kế dùng băng lưỡng kim (bimetallic): Sự uốn cong của băng kim loại kép khi nhiệt độ thay đổi chỉ thị sự thay đổi về áp suất.

6.120. Sự tiết lưu: Trong thử rò rỉ, sự giảm tốc độ bơm thực của một hệ thống bơm bằng cách khóa van một phần hoặc lắp đặt một đoạn ống có độ dẫn thấp.

6.121. Kín: Trong thử rò rỉ là không bị rò rỉ phù hợp với các điều kiện quy định trước.

6.122. Torr: Đơn vị do áp suất bằng atm.

6.123. Khí đánh dấu: Loại khí khi qua chỗ rò ri có thể được phát hiện bởi bộ phát hiện rò rỉ cụ thể và nhờ vậy tìm ra chỗ rò rỉ. Còn gọi là khí dò tìm.

6.124. Sự chảy chuyển tiếp: Trong thử rò rỉ là sự chảy của khí trong những điều kiện trung gian giữa sự chảy tầng và sự chảy phân tử.

6.125. Chân không cực cao: Xem Bảng 2.

6.126. Bộ phát hiện rò rỉ dùng siêu âm: Là dụng cụ phát hiện bằng năng lượng siêu âm sinh ra do sự chảy rối phân tử trong sự chuyển tiếp từ chảy lớp sang chảy rối của một chất khí qua một lỗ hẹp và biến năng lượng này thành một tín hiệu hữu dụng.

6.127. Chân không: Trong công nghệ chân không là khoảng không gian chứa khí ở áp suất nhỏ hơn áp suất khí quyển. (Xem Bảng 2).

6.128. Phép thử dùng chân không:

1. Là phương pháp thử rò rỉ, trong đó vật thử được hút chân không, còn khí đánh dấu tác dụng lên mặt ngoài vật thử.

2. Là quy trình thử rỏ rỉ trong đó vật kín cần kiểm tra được hút chân không còn khí đánh dấu tác dụng lên mặt ngoài của vật kín và khí được phát hiện sau khi đi vào trong vật kín.

6.129. Áp suất hơi: Áp suất tác dụng bởi hơi của chất lỏng hay rắn khi cân bằng với chất lỏng hay rắn.

6.130. Chân không rất cao: xem Bảng 2.

6.131. Sự rò rỉ ảo:

1. Giống như sự rò rỉ trong một hệ chân không do sự thoát ra chậm chạp của khí bị giữ lại.

2. Trong quá trình thử tốc độ tăng (áp suất) giống như sự rò rỉ trong một hệ chân không gây ra bởi sự thoát chậm của khí bị hấp thụ hoặc lưu giữ hay khí trên bề mặt hoặc lỗ rỗng của các vật liệu trong hệ bị đặt ở áp suất khí quyển trước khi hút chân không.

6.132. Sự chảy tầng: Sự chảy của khí qua ống dẫn trong điều kiện mà quãng đường tự do trung bình nhỏ hơn nhiều so với kích thước nhỏ nhất của tiết diện ngang ống dẫn. Sự chảy này có thể là hoặc chảy lớp hoặc chảy rối.

6.133. Sự rò rỉ tầng: Sự rò rỉ của một cấu hình hình học sao cho sự chảy của khí qua nó cơ bản chất tầng, nghĩa là theo định luật Poiseuille. Lưu tốc tỷ lệ thuận với hiệu bình phương của các áp suất đầu mút và tỷ lệ nghịch với độ nhớt chất khí.

7. Các thuật ngữ thử thẩm thấu chất lỏng

7.1. Angstrom (): Là đơn vị đo chiều dài có thể được dùng để đo bước sóng của các bức xạ điện từ như ánh sáng.

Một angstrom bằng 0,1 nanomet (1 nm = 10^-9m)

7.2. Nền: Bề mặt của chi tiết thử trên đó chỉ thị nhìn được. Nó có thể là bề mặt tự nhiên của chi tiết thử hoặc lớp phủ chất hiện hình trên bề mặt.

7.3. Ánh sáng đen: Là bức xạ điện từ vùng tử ngoại gần có bước sóng từ 330 nm đến 390 nm (3300  đến 3900  ).

7.4. Bộ lọc ánh sáng đen: Bộ lọc cho qua bức xạ tử ngoại gần và hấp thụ các bước sóng khác.

7.5. Sự loang ra: Hoạt động của chất thẩm thấu lỏng bị giữ lại, khi hình thành lớp mặt từ những chỗ mất liên tục để tạo thành các chỉ thị.

7.6. Sự thấm: Hoạt động của chất hiện hình trong việc làm ướt chất thẩm thấu từ sự mất liên tục để tăng nhanh quá trình loang ra.

7.7. Chất tải: Một loại chất lỏng chứa nước hoặc không chứa nước, trong đó chất thử thẩm thấu lỏng ở dạng hòa tan hoặc huyền phù.

7.8. Loại: Thuật ngữ mô tả để phân loại các chất tẩy rửa hòa tan có các đặc tính giống nhau.

7.9. Làm sạch: Làm cho không còn chất bẩn.

7.10. Chất bẩn: Các chất lạ có trên bề mặt vật thử hoặc bên trong vật liệu kiểm tra có ảnh hưởng không tốt tới hiệu năng của chất thẩm thấu lỏng.

7.11. Độ tương phản: Sự khác nhau về độ nhìn rõ (độ sáng hay màu sắc) giữa chỉ thị và nền.

7.12. Chất tẩy sạch: Là chất tẩy thẩm thấu, là dung dịch của chất tẩy và nước.

7.13. Chất hiện hình: Vật liệu khi tác dụng lên bề mặt vật thử làm tăng nhanh sự loang và tăng cường độ tương phản của chỉ thị.

7.14. Chất hiện hình ướt: Dạng huyền phù của các hạt chất hiện hình trong nước.

7.15. Chất hiện hình bột khô: Một loại bột mịn không không chảy thành dòng dùng theo hướng dẫn của nhà sản xuất.

7.16. Chất hiện hình lỏng tạo màng: Dạng huyền phù của các hạt chất hiện hình trong chất tải sẽ tạo thành một lớp màng mỏng polimer trên bề mặt thử sau khi khô.

7.17. Chất hiện hình không có nước: Các hạt chất hiện hình lơ lửng trong vật tải không có nước trước khi dùng.

7.18. Chất hiện hình hòa tan được: Chất hiện hình hoàn toàn hòa tan trong chất tải, không phải là dạng huyền phù của bột trong chất lỏng, khi khô sẽ thành một lớp phủ có tính chất hấp thụ.

7.19. Thời gian hiện hình: Khoảng thời gian từ lúc dùng chất hiện hình đến lúc kiểm tra chi tiết.

7.20. Sự hao hụt: Sự chuyển đi hay tổn hao của chất thẩm thấu do chúng bị dính vào các mẫu thử.

7.21. Thời gian ráo: Một phẩn của thời gian dừng để chất thẩm thấu hoặc nhũ tương thừa được lấy ra khỏi chi tiết.

7.22. Lò sấy: Lò nung dùng làm tăng tốc độ bay hơi của nước rửa hoặc chất tải hiện hình có nước từ các chi tiết thử.

7.23. Thời gian khô: Thời gian cần thiết để làm chi tiết đã được làm sạch, rửa hoặc hiện hình ướt đến khi khô.

7.24. Thời gian lưu giữ: Tổng thời gian để chất thẩm thấu hoặc chất nhũ tương hóa tiếp xúc với bề mặt thử, kể cả thời gian cần thiết để tác dụng và thời gian ráo.

7.25. Sự phun tĩnh điện: Một kỹ thuật để thu được một lớp phủ đồng nhất, trong đó vật liệu được phun bằng tích điện.

7.26. Chất giải hấp thụ: Chất lỏng dùng để chiết một chất này ra khỏi một chất khác như trong phép sắc ký.

7.27. Thời gian nhũ tương hóa: Thời gian cho phép giữ chất nhũ tương hóa trên chi tiết để tổ hợp với chất thẩm thấu trên bề mặt trước khi được lấy đi. Còn gọi là thời gian lưu giữ để nhũ tương hóa.

7.28. Chất nhũ tương hóa: Chất lỏng khi tương tác với chất dầu tạo thành chất có thể rửa sạch bằng nước.

7.29. Chất nhũ tương hóa dạng nước: Chất lỏng cơ bản là nước dùng trong thử thẩm thấu, khi tương tác với dầu thẩm thấu trở nên có thể rửa sạch bằng nước.

7.30. Chất nhũ tương hóa dạng dầu: Chất lỏng cơ bản là dầu, dùng trong thử thẩm thấu, khi tương tác với dầu thẩm thấu trở nên có thể rửa sạch bằng nước.

7.31 Sự khắc ăn mòn: Sự lấy đi vật liệu trên mặt bằng các phương pháp hóa học hoặc điện hóa.

7.32. Họ: Một bộ đầy đủ của các vật liệu thẩm thấu cần thiết để đảm bảo hiệu năng của thử thẩm thấu chất lỏng.

7.33. Điểm bốc cháy: Nhiệt độ, tại đó một chất hơi bị đốt cháy khi có nguồn đánh lửa.

7.34. Sự phát huỳnh quang: Sự phát ra bức xạ nhìn thấy của một chất là kết quả của và chỉ trong khi hấp thụ sự bức xạ ánh sáng đen.

7.35. Nến quốc tế (fc): Sự chiếu sáng phân bố đều trên bề mặt một diện tích 1 ft² của một quang thông là 1 lumen (lm). 1 fc = 10,8 lm/m².

7.36 Khuôn dạng: Thuật ngữ mô tả để phân loại các chất hiện hình có các đặc tính tương tự.

7.37. Mẫu giữ lại để so sánh: Một mẫu của chất thẩm thấu, chất nhũ tương hóa hay chất hiện hình hay tổ hợp của cả ba, để dự trữ dùng để thử so sánh sau này.

7.38 Rửa bằng cách ngâm: Một cách lấy đi chất thẩm thấu còn dư, trong đó chi tiết thử được nhúng vào trong bình chứa nước hoặc chất tẩy rửa và nguấy.

7.39. Rửa bằng cách ngâm: Một cách lấy đi chất thẩm thấu bề mặt, trong đó chi tiết thử được ngâm trong bình chứa nước hoặc chất tẩy rửa

7.40. Xem xét: Kiểm tra bằng mắt chi tiết thử, sau khi thực hiện đầy đủ các bước của quá trình thẩm thấu chất lỏng.

7.41. Mẫu chuẩn khuyết tật đã biết: Một mẫu thử với một hay nhiều khuyết tật đã biết dung để kiểm định điều kiện của quá trình thẩm thấu.

CHÚ THÍCH : Mẫu thử này dùng hàng ngày để kiểm định sự tiến hành thẩm thấu, lấy đi chất thẩm thấu bề mặt còn dư, ứng dụng của chất hiện hình ảnh, số lượng và màu của các chỉ thị sinh ra.

7.42. Kiểm tra thẩm thấu chất lỏng: Xem thử thẩm thấu chất lỏng.

7.43. Phép thử thẩm thấu chất lỏng: Thử không phá hủy dùng vật liệu thẩm thấu lỏng để thẩm thấu và phát hiện các loại mất liên tục hở trên bề mặt.

7.44. Sự nhũ tương hóa quá mức: Thời gian lưu giữ chất nhũ tương hóa quá lâu làm cho mất chất thẩm thấu ở một số chỗ mất liên tục.

7.45. Sự rửa quá mức: Rửa quá lâu hoặc quá mạnh hoặc cả hai làm mất chất thẩm thấu ở một số chỗ mất liên tục. penetrants from some discontinuities.

7.46. Chất thẩm thấu: Một dung dịch hoặc thể huyền phù của chất nhuộm màu.

7.47. Bộ so sánh thẩm thấu: Một mẫu có vết hỏng chủ định có các diện tích tách nhau nhưng gần nhau cho việc dùng các vật liệu thẩm thấu lỏng khác nhau, nhằm so sánh trực tiếp hiệu quả tương đối thu được của chúng.

CHÚ THÍCH: Cũng có thể dùng để đánh giá các kỹ thuật của hệ thẩm thấu chất lỏng hoặc các điều kiện thử.

7.48. Chất thẩm thấu huỳnh quang: Một chất thẩm thấu phát ánh sáng nhìn thấy khi bị ánh sáng đen kích thích.

7.49. Chất thẩm thấu nhũ tương hóa lần sau: Chất thẩm thấu lỏng đòi hỏi áp dụng các chất nhũ tương hóa tách biệt để chất thẩm thấu dư trên bề mặt có thể rửa bằng nước.

7.50. Chất thẩm thấu rửa được bằng dung môi: Chất thẩm thấu lỏng được chế tạo sao cho với phần lớn chất thẩm thấu dư trên mặt còn, có thể được lấy đi bằng cách chùi bằng giẻ không có xơ, còn với các vết của chất thẩm thấu trên mặt sót lại có thể lấy đi bằng cách chùi một lần nữa bằng giẻ không có xơ thấm một chút dung môi tẩy rửa.

7.51. Chất thẩm thấu nhìn được: Chất thẩm thấu lỏng đặc trưng bằng màu đậm, thường là màu đỏ.

7.52. Chất thẩm thấu rửa sạch bằng nước: Chất thẩm thấu lỏng đã được chế tạo ở dạng nhũ tương hóa.

7.53. Sự tạo thành vũng: Sự xuất hiện một lượng quá mức chất thẩm thấu, chất nhũ tương hóa hoặc chất hiện hình trong diện tích làm ráo không đầy đủ.

7.54. Sự làm sạch sau: Sự tẩy đi vật liệu thử thẩm thấu lỏng dư khỏi chi tiết thử sau khi việc kiểm tra thẩm thấu đã hoàn tất.

7.55. Sự nhũ tương hóa sau: Kỹ thuật tẩy đi chất thẩm thấu bằng cách dùng chất nhũ tương hóa tách biệt.

7.56. Sự làm sạch trước: Sự tẩy đi khỏi bề mặt các chất bẩn ở chi tiết thử để chúng không can nhiễu quá trình kiểm tra.

7.57. Vật liệu đối chứng: Vật liệu chất thẩm thấu chuẩn so với vật liệu muốn dùng để so sánh chất lượng.

7.58. Ngâm, rửa: Quá trình tẩy vật liệu thử chất thẩm thấu lỏng khỏi bề mặt của chi tiết thử bằng cách rửa hay ngâm trong chất lỏng khác, thường là nước. Quá trình này cũng gọi là rửa.

7.59. Mức nhạy: Thuật ngữ mô tả để đánh giá khả năng của hệ thẩm thấu trong việc phát hiện sự mất liên tục bề mặt. Vùng nhạy từ ½ (rất thấp) tới 4 (rất cao).

7.60. Chất tẩy dung môi: Một chất lỏng dễ bay hơi dùng tẩy chất thẩm thấu dư khỏi bề mặt đang kiểm tra.

7.61. Vùng nhiệt độ: Khoảng nhiệt độ thực hiện được phép thử chất lỏng cụ thể.

7.62. Loại: Thuật ngữ mô tả để chỉ một chất thẩm thấu hoặc là huỳnh quang (loại 1) hoặc nhìn thấy (loại 2).

7.63. Phading bức xạ cực tím: Sự giảm độ sáng của chỉ thị thẩm thấu huỳnh quang do phơi nhiễm quá mức trong bức xạ cực tím.

7.64. Độ nhớt: Một đặc tính của chất lỏng thể hiện ở lực cản với sự chảy trượt.

7.65. Ánh sáng nhìn thấy: Bức xạ điện từ có ánh sáng trong khoảng 4000  ¸ 7000 .

7.66. Sự thích nghi thị giác: Sự điều chỉnh của mắt khi di chuyển từ nơi sáng đến nơi tối.

7.67. Dung sai nước: Lượng nước mà một chất thẩm thấu hay nhũ tương hóa có thể hấp thu trước khi mất hiệu lực.

7.68. Tác động gây ẩm (ướt): Khả năng của một chất lỏng trải ra và dính vào bề mặt vật rắn.

8. Các thuật ngữ thử hạt từ (MT)

8.1. “Sơn” của áp kế: Một điện trở chính xác, trở kháng thấp, có khả năng chịu được dòng điện lớn mắc song song với một ampe kế.

8.2. Ampe vòng: Tích số giữa số vòng cuộn dây và dòng điện tính theo ampe chạy qua cuộn dây.

8.3. Phóng hồ quang điện: Hỏng do cháy cục bộ một chi tiết do hồ quang khi đóng hay ngắt mạch điện có tích năng lượng.

8.4. Nền: Bề ngoài của mặt vật kiểm tra làm nổi phần chỉ thị được nhìn.

8.5. Ánh sáng đen: Bức xạ điện từ vùng tử ngoại gần có bước sóng trong khoảng 330 nm đến 390 nm (3300  đến 3900  ).

8.6. Bộ lọc ánh sáng đen: Bộ lọc truyền qua bức xạ tử ngoại gần trong khi hấp thụ các bước sóng khác.

8.7. Lưu chất tải: Lưu chất trong có các hạt từ huỳnh quang hoặc không huỳnh quang lơ lửng để dễ dàng sử dụng.

8.8. Vật dẫn trung tâm: Vật dẫn đặt qua một chi tiết có lỗ và dùng để tạo sự từ hóa vòng bên trong chi tiết.

8.9. Sự từ hóa vòng: Sự từ hóa trong chi tiết do dòng điện chạy trực tiếp qua chi tiết hoặc qua vật dẫn trung tâm.

8.10. Kháng từ: Từ trường từ hóa khi mật độ từ thông bằng không. Giá trị của cường độ từ trường tương ứng là chỉ sự dễ hay khó của sự khử từ hóa.

8.11. Phương pháp cuộn dây: Phương pháp từ hóa trong đó toàn bộ hoặc một phần chi tiết được quấn bằng cuộn dây có dòng điện.

8.12. Kỹ thuật cuộn dây: Kỹ thuật từ hóa trong đó toàn bộ hoặc một phần của chi tiết được quấn bằng cuộn dây có dòng điện.

8.13. Tác nhân điều hòa: Chất thêm vào huyền phù nước gây nên một số tính chất đặc biệt như: mức độ thấm ướt, sự phân tách các hạt, chống ăn mòn, chống sinh học, không tạo bọt.

8.14. Đầu tiếp xúc: Cụm điện cực dùng để kẹp và giữ chi tiết sao cho dòng điện truyền qua chi tiết được dễ dàng khi từ hóa vòng.

8.15. Đệm tiếp xúc: Đệm kim loại có thể tháo lắp được, thường bằng đồng thau được đặt trên các điện cực để tạo nên sự tiếp xúc điện tốt, do vậy tránh được thiệt hại (như phóng hồ quang) đối với chi tiết đang thử.

8.16. Phương pháp liên tục: Phương pháp dùng môi trường chỉ thị khi có từ trường từ hóa.

8.17. Lõi (của một mạch kiểm tra điện từ): Phần của mạch từ trong cuộn dây điện.

8.18. Điểm curie: Nhiệt độ mà ở nhiệt độ này các vật liệu sắt từ không thể từ hóa được bởi từ trường ngoài, và không có từ dư (khoảng 1200 ⁰F đến 1600 ⁰F – tức 649 ⁰C đến 871 ⁰C đối với đa số kim loại).

8.19. Phương pháp từ hóa bằng dòng điện: Phương pháp từ hóa bằng cách cho dòng điện qua vật liệu nhờ các đầu hoặc đệm tiếp xúc. Dòng điện có thể là xoay chiều, xoay chiều đã chỉnh lưu hoặc một chiều.

8.20. Phương pháp từ hóa bằng cảm ứng dòng điện: Phương pháp từ hóa trong đó dòng điện cảm ứng chạy trong các phần dạng vòng do thăng dáng của từ trường kết nối với phần đó.

8.21. Sự thích nghi tối: Sự điều tiết của mắt khi di chuyển từ nơi sáng đến nơi tối.

8.22. Sự khử từ: Sự giảm từ dư đến mức có thể chấp nhận được.

8.23. Chỉ thị phân tán: Các chỉ thị không rõ ràng, thí dụ các chỉ thị của các khuyết tật bề mặt.

8.24. Từ hóa tiếp xúc trực tiếp: Kỹ thuật từ hóa trong đó dòng đi qua chi tiết nhờ các đầu hoặc đệm tiếp xúc.

8.25. Phương pháp khô: Phép kiểm tra bằng 8.25 Dry method: Magnetic particle inspection hạt từ, trong đó các hạt sắt từ được dùng ở dạng bột khô.

8.26. Bột từ khô: Các hạt sắt từ mịn, được chuẩn bị lựa chọn thích hợp với phép kiểm tra bằng hạt từ.

8.27. Kỹ thuât khô: Kỹ thuật kiểm tra, trong đó có các hạt sắt từ được dùng dưới dạng bột khô.

8.28. Nam châm điện: Một lõi sắt non, được quấn bao quanh bằng cuộn dây điện, trở thành một nam châm nhất thời khi có dòng điện chạy qua cuộn dây.

8.29. Chu trình nạp từ: Quá trình tác dụng từ trường từ hóa lên vật dẫn.

8.30. Phương tiện kiểm tra: Bột hoặc huyền phù của các hạt từ được phủ lên bề mặt thử bằng từ hóa dùng để xác định có hay không sự mất liên tục bề mặt hay gần bề mặt.

8.31. Vật liệu sắt từ: Thuật ngữ chỉ các vật liệu có thể bị từ hóa, hoặc bị hút mạnh bởi từ trường.

8.32. Từ trường lưỡng cực: Từ trường dọc bên trong một chi tiết có hai cực.

8.33. Từ trường vòng: Thường là từ trường bao quanh bất kỳ dây dẫn điện hoặc vật dẫn điện nào có dòng điện chạy qua.

8.34 Từ trường dọc: Từ trường trong đó đường sức từ đi qua vật theo hướng chủ yếu là song song với trục dọc của nó.

8.35. Từ trường: Khoảng không gian bên trong và chung quanh chi tiết bị từ hóa hoặc dây dẫn có dòng điện ở đó có từ lực từ tác dụng. carrying current, in which the magnetic force is

8.36. Từ trường rò rỉ: Từ trường đi ra hoặc đi vào bề mặt của chi tiết tại nơi có sự mất liên tục thay đổi trong cấu hình cắt ngang của mạch từ.

8.37. Từ trường dư: Từ trường còn lưu lại trong vật liệu có khả năng từ hóa sau khi từ trường từ hóa thôi không tác dụng.

8.38. Từ trường tổng hợp (Đôi khi gọi là vectơ từ trường): Là từ trường tổng hợp của hai từ trường từ hóa tác dụng lên cùng một vùng của vật có thể từ hóa được.

8.39. Hệ số điền đầy: Tỷ số giữa tiết diện ngang của chi tiết kiểm tra và tiết diện ngang của cuộn dây bao quanh.

8.40. Sự từ hóa tức thời: Sự từ hóa do dòng điện chạy qua trong một thời gian rất ngắn.

8.41. Điểm cháy: Nhiệt độ thấp nhất, tại nhiệt độ này hơi của chất đốt bay hơi, bốc cháy trong không khí khi bắt lửa.

8.42. Sự phát huỳnh quang: Sự phát bức xạ nhìn thấy từ một chất do và chỉ trong khi hấp thụ bức xạ ánh sáng đen.

8.43. Phép kiểm tra huỳnh quang: Phương pháp kiểm tra hạt từ dùng phương tiện kiểm tra là chất sắt từ huỳnh quang mịn.

8.44. Phép kiểm tra hạt từ huỳnh quang: Quá trình kiểm tra hạt từ, dùng phương tiện kiểm tra là sắt từ huỳnh quang mịn, nó sẽ phát huỳnh quang khi bị kích hoạt bằng ánh sáng đen (3200 đến 4000 tức 370nm đến 400nm).

8.45. Mật độ từ thông: Độ lớn của từ trường tính theo số đường sức từ trên một đơn vị diện tích.

8.46. Từ thông rò rỉ: Từ trường đi vào hay ra qua bề mặt chi tiết do sự mất liên tục hay thay đổi tiết diện.

8.47. Độ thấm từ: Độ sâu mà từ thông còn tồn tại trong chi tiết.

8.48. Dòng điện một chiều toàn sóng (FWDC): Dòng điện xoay chiều 3 pha đã chỉnh lưu.

8.49. Sự tạo lông của hạt từ: Sự chồng chất và dựng đứng của các hạt từ gây ra do từ hóa quá mức một vật kiểm tra trông như một lớp lông.

8.50. Gauss kế: Thiết bị đo mật độ cảm ứng từ thông hay cảm ứng từ (đại lượng liên hệ trực tiếp với độ lớn từ trường hoặc lực từ). Còn gọi là Tesla kế hay từ kế.

8.51. Gauss kế điện tử: Gauss kế dùng đầu dò hiệu ứng Hall để đo mật độ cảm ứng từ thông.

8.52. Dòng điện nửa sóng (Hw): Dòng xoay chiều một pha được chỉnh lưu tạo ra dòng một chiều mạch động dạng sóng.

8.53. Hiệu ứng Hall: Hiện tượng trong đó một điện trường ngang được tạo nên trong một dây dẫn có dòng điện đặt trong từ trường.

8.54. Trễ:

1. Sự trễ của hiệu ứng từ, khi lực từ tác dụng lên vật sắt từ thay đổi.

2. Hiện tượng tồn tại trong một hệ từ khi trạng thái hiện tại của hệ bị ảnh hưởng của trạng thái trước đó.

8.55. Sự từ hóa gián tiếp: Sự từ hóa được tạo ra trong một chi tiết, khi không có sự tiếp xúc điện trực tiếp.

8.56. Tính huỳnh quang nội tại: Sự phát huỳnh quang là một đặc tính vốn có của một vật liệu.

8.57. Kẹp từ: Nam châm vĩnh cửu hoặc nam châm điện được gắn với các điện cực có dòng từ hóa đủ mạnh để giữ các điện cực một cách chắc chắn.

8.58. Cường độ ánh sáng: Năng lượng ánh sáng chiếu trên một đơn vị diện tích trong một đơn vị thời gian.

8.59. Đường sức: Thể hiện khái niệm về từ thông trên các mẫu đường được tạo ra khi mạt sắt được rắc trên tờ giấy đặt trên một nam châm vĩnh cửu.

8.60. Sự từ hóa cục bộ: Sự từ hóa một thể tích hay bề mặt định trước của chi tiết.

8.61. Sự từ hóa dọc: Từ trường trong đó các đường sức qua chi tiết theo hướng hầu như song song với đường trục dọc của nó.

8.62. Từ trường: Thể tích bên trong hoặc xung quanh hoặc một chi tiết đã từ hóa hoặc dây dẫn có dòng điện trong đó có từ lực tác dụng.

8.63. Bộ chỉ thị từ trường: Đồng hồ đo bỏ túi dùng định vị hay xác định cường độ tương đối của từ trường dò thoát ra từ chi tiết.

8.64. Từ kế: Dụng cụ được thiết kế để đo mật độ từ thông của từ trường.

8.65. Cường độ từ trường: Cường độ đo được của từ trường tại một điểm tính bằng ớcstet hoặc ampe trên mét.

8.66. Từ trễ: Trong vật liệu từ, thí dụ sắt sự trễ của giá trị từ hóa tổng cộng gây ra do sự thay đổi của lực từ. (xem trễ).

8.67. Kiểm tra hạt từ: Xem thử hạt từ.

8.68. Chỉ thị khuyết tật trong kiểm tra bằng hạt từ: Sự tích lũy các hạt sắt từ dọc theo diện tích các vết hỏng hay chỗ mất liên tục, gây ra méo các đường sức từ tại các vùng này.

8.69. Bộ chỉ thị từ trường bằng hạt từ: Một dụng cụ là đĩa sáu cạnh bi-metal (thí dụ thép cacbon và đồng) chứa các vết hỏng nhân tạo dùng để kiểm tra sự tương xứng hoặc chiều hoặc cả hai của từ trường từ hóa).

8.70. Hạt từ: Vật liệu sắt từ mịn, có khả năng bị từ hóa riêng rẽ và hút theo sự méo của từ trường.

8.71. Phép thử dùng hạt từ: Phương pháp thử không phá hủy, dùng từ trường rò rỉ và các vật liệu chỉ thị thích hợp để phát hiện những chỉ thị mất liên tục trên bề mặt hay gần bề mặt.

8.72. Cực từ: Một trong hai hay nhiều hơn vùng rò từ thông trên một chi tiết.

8.73. Vết từ: Một dạng của những chỉ thị không đúng thỉnh thoảng gặp phải khi bề mặt của chi tiết bị từ hóa tiếp xúc với vật bằng sắt từ khác.

8.74. Dòng điện từ hóa: Cường độ của dòng điện một chiều hay xoay chiều để gây nên từ tính trong phần được kiểm tra.

8.75. Từ trường từ hóa: Từ trường gây từ hóa tác dụng lên vật liệu sắt từ để tạo nên sự từ hóa.

8.76. Sự từ hóa đa hướng: Sự áp dụng thay đổi các từ trường theo các hướng khác nhau trong cùng một khoảng thời gian.

8.77. Sự mất liên tục gần bề mặt: Sự mất liên tục không lộ ra nhưng ở gần bề mặt của chi tiết chịu kiểm tra. Nó gây nên một vùng rộng không rõ nét các mẫu bột từ bám không chặt.

8.78. Sự từ hóa toàn bộ: Sự từ hóa của toàn bộ chi tiết chỉ với một chu trình từ hóa đơn.

8.79. Từ tính song song: Một dạng từ tính cảm ứng gây ra một trường bị méo trong chi tiết thử. Nó được tạo ra do đặt một dây dẫn có dòng điện bên ngoài liền kề và song song với chi tiết thử.

8.80. Nam châm vĩnh cửu: Nam châm còn giữ độ từ hóa cao, thực tế không thay đổi trong một thời gian dài (đặc tính của vật liệu có từ dư lớn).

8.81. Độ từ thẩm: Tỷ số của mật độ từ thông được tạo nên trên từ trường từ hóa.

8.82. Cực: Vùng của chi tiết được từ hóa từ đó từ trường đi ra hoặc quay lại chi tiết này.

8.83. Kỹ thuật dùng polyme: Kỹ thuật kiểm tra trong đó chất polyme được dùng như vật tải hạt huyền phù.

8.84. Dụng cụ phun bột: Một dụng cụ khí nén dùng để phun bột từ lên bề mặt chi tiết kiểm tra.

8.85. Tay cầm: Các điện cực cầm tay.

8.86 Ngắt mạch tức thời: Sự ngắt dòng điện từ hóa đột ngột.

8.87. Từ trường dư: Từ trường còn lại trong vật sắt từ sau khi từ trường từ hóa đã ngừng tác dụng.

8.88. Kỹ thuật dùng từ dư: Sự sử dụng các hạt từ sau khi từ trường từ hóa thôi tác dụng.

8.89. Độ từ dư: Khả năng một vật liệu còn lại một phần từ trường tác dụng sau khi đã ngắt từ hóa.

8.90. Từ trường bão hòa: Sự từ hóa tổng cộng tạo nên trong vật sắt từ, tại điểm mà độ từ thẩm gia tăng giảm từ từ đến đơn vị.

8.91. Độ nhạy: Mức độ về khả năng của kỹ thuật kiểm tra dùng hạt từ trong việc chỉ rõ sự mất liên tục trên bề mặt hoặc gần bề mặt trong vật liệu sắt từ.

8.92. Từ hóa bằng xung kích: Một chu trình nạp từ ngắn trong kiểm tra dùng hạt từ.

8.93. Hiệu ứng bề mặt (da): Hiện tượng gây ra sự từ hóa bằng dòng điện xoay chiều tại gần bề mặt của chi tiết sắt từ.

8.94. Cuộn dây hình ống: Vật dẫn điện có dạng cuộn dây.

8.95. Sự mất liên tục gần mặt: Vết hỏng không lộ trên bề mặt chi tiết.

8.96. Sự từ hóa xung: Sử dụng dòng điện ban đầu lớn trong một thời gian ngắn (ít hơn 1 s) sau đó liên tục giảm dòng khi phương tiện kiểm tra được đưa vào dùng.

8.97. Huyền phù: Hệ hai pha gồm chất rắn mịn phân tán trong một chất lỏng.

8.98. Từ trường tiếp tuyến: Từ trường tại bề mặt của vật song song và tiếp giáp với bề mặt. Từ trường này có thể theo hướng vòng hoặc theo chiều dọc.

8.99. Mẫu thử: Một mẫu chứa các vết hỏng nhân tạo hay tự nhiên dùng để kiểm tra quá trình phát hiện khuyết tật dùng hạt từ.

8.100. Vòng thử: Một mẫu thử dạng vòng chứa chỗ mất liên tục gần bề mặt dùng để đánh giá và so sánh hiệu năng toàn thể và độ nhạy của kỹ thuật kiểm tra dùng hạt từ.

8.101. Kỹ thuật liên tục thực sự: Sự kiểm tra dùng hạt từ trong đó dòng từ hóa tác dụng trước khi dùng hạt từ và không ngắt trong suốt quá trình kiểm tra.

8.102. Vật tải: Chất lỏng cho huyền phù các hạt từ.

8.103. Ánh sáng nhìn thấy: Nguồn phát năng lượng có bước sóng trong khoảng từ 400 nm đến 700 nm (4000  đến 7000 ).

8.104. Thử ngắt nước: Phép thử kiểm tra chất lượng của nước điều hòa.

8.105. Kỹ thuật dính ướt: Kỹ thuật kiểm tra trong đó các hạt từ được tạo lơ lửng trong vật tải lỏng.

8.106. Gông từ: Nam châm tạo ra từ trường trong vùng của phần chi tiết nằm giữa hai cực của chúng. Gông có thể là nam châm vĩnh cửu hoặc nam châm điện dùng dòng điện xoay chiều hoặc một chiều.

8.107. Sự từ hóa dùng gông: Từ trường dọc, sinh ra trong một chi tiết hoặc trong một vùng của chi tiết bằng nam châm điện ngoài có dạng một cái gông.

9. Các thuật ngữ thử bức xạ nơtron (NRT)

9.1. Kích hoạt: Quá trình làm cho một chất trở thành chất phóng xạ bằng cách bắn phá nó bằng một chùm neutro hoặc các hạt khác.

9.2. Hệ số suy giảm: Liên quan tới tốc độ thay đổi cường độ chùm bức xạ khi nó đi qua vật chất (xem hệ số suy giảm khối lượng và tuyến tính).

9.3. Tiết diện suy giảm: Xác suất, tính theo barn, để một nơtron bị hấp thụ hoàn toàn bởi hạt nhân nguyên tử.

9.4. Barn: Đơn vị đo diện tích dùng để biểu thị diện tích tiết diện ngang của hạt nhân 1 barn = 10^-24 cm²

9.5. Tỷ lệ cadmi: Tỷ số của tốc độ phản ứng hạt nhân được đo bằng bộ phát hiện nơtron nghèo, trên tốc độ phản ứng đo bằng cùng một bộ phát hiện nơtron bọc bởi một vỏ cadmi và phơi nhiễm trên cùng một trường nơtron tại cùng một vị trí không gian hay vị trí không gian tương đương.

CHÚ THÍCH : Trong thực t ế, giá trị thực nghiệm có ý nghĩa, có thể thu được trong một trường nơtron đẳng hướng bằng cách dùng bộ lọc cadmi dày 1 mm.

9.6. Cassette: Một dụng cụ kín ánh sáng để giữ phim hoặc màn chuyển đổi và phim tiếp xúc tốt trong khi chiếu xạ.

9.7. Tác nhân tương phản: Vật liệu thêm vào vật để tăng rõ thêm các chi tiết nhờ hấp thụ chọn lọc của bức xạ tới.

9.8. Màn chuyển đổi: Thiết bị biến đổi chùm nơtron tạo ảnh thành bức xạ hoặc ánh sáng để chúng phơi nhiễm phim ảnh bức xạ.

9.9. Tiết diện ngang: Tiết diện ngang biểu kiến của hạt nhân được tính trên cơ sở xác suất xuất hiện phản ứng do va chạm với một hạt. Nó không nhất thiết trùng với diện tích tiết diện ngang hình học là pr². Nó được tính theo đơn vị diện tích 1barn = 10^-24 cm².

9.10. Sự hiện ảnh do phơi nhiễm trực tiếp: Trong phương pháp hiện ảnh do phơi nhiễm trực tiếp màn biến đổi và bộ ghi ảnh đồng thời được chiếu xạ bằng chùm nơtron.

9.11. Electron volt: Động năng thu được của một electron khi đi qua nơi có hiệu điện thế 1 volt.

9.12. Nơtron tán xạ trong thiết bị: Nơtron bị tác xạ trong thiết bị, gây nên sự phơi nhiễm phim

9.13. Hàm lượng gamma hiệu dụng (g): g là phần trăm bị đen của phim nền gây ra do hấp thụ bức xạ photon năng lượng thấp, sinh ra do sự tạo cặp trong chì dày 2 mm.

9.14. Tia gamma: Bức xạ điện từ có nguồn gốc trong hạt nhân nguyên tử.

9.15. Thời gian bán rã: Thời gian cần thiết để một nửa số nguyên tử phóng xạ bị phân rã.

9.16. Chiều dày một nửa: Chiều dày của vật liệu hấp thụ cần thiết để giảm cường độ của chùm bức xạ tới còn một nửa so với cường độ ban đầu của nó.

9.17. Vật chỉ thị chất lượng ảnh: Thiết bị hoặc tổ hợp thiết bị mà ảnh hay các ảnh của chúng trên một ảnh bức xạ nơtron cung cấp dữ liệu thị giác hoặc định lượng hoặc cả hai liên quan đến độ nhạy của ảnh bức xạ nơtron cụ thể.

9.18. Phơi nhiễm gián tiếp: Phương pháp trong đó chỉ có màn chuyển đổi không nhạy cảm với tia gamma được phơi nhiễm bởi chùm nertron. Sau khi bị phơi nhiễm màn chuyển đổi được đặt tiếp xúc với bộ ghi ảnh.

9.19. Tỷ số L/D: Một phép đo khả năng phân giải của hệ chụp ảnh nhờ bức xạ nơtron. Nó là tỷ số giữa khoảng cách từ khẩu độ lối vào tới mặt phẳng ảnh (L) và đường kính của khẩu độ lối vào (D).

9.20. Hệ số suy giảm tuyến tính: Phép đo của sự giảm một phần của cường độ chùm tia bức xạ trên một đơn vị khoảng cách khi truyền trong vật liệu (cm^-1).

9.21. Bức xạ photon năng lượng thấp: Bức xạ photon của tia g và tia X có năng lượng nhỏ hơn 200 kV (không kể ánh sáng nhìn thấy và ánh sáng tử ngoại).

9.22. Hệ số suy giảm khối lượng: Phép đo của sự suy giảm một phần trong cường độ chùm tia bức xạ trên một đơn vị mật độ bề mặt cm².gm^-1.

9.23. Vật làm chậm: Vật liệu dùng để làm chậm nơtron nhanh. Các nơtron sẽ chậm lại khi va chạm với các nguyên tố nhẹ thí dụ hydro, detemi, berry và cacbon

9.24. NC: Hàm lượng nơtron nhiệt hiệu dụng hay độ tương phản ảnh chụp nơtron NC là phần trăm phơi nhiễm phim nền do nơtron nhiệt không bị tán xạ.

9.25. Nơtron: Hạt sơ cấp không mang điện, có khối lượng nguyên tử gần bằng 1. Trạng thái tự do ngoài nguyên tử, nơtron là không bền, có thời gian sống một nửa là 10 min.

9.26. Phép chụp ảnh bức xạ dùng nơtron: Quá trình tạo nên ảnh bức xạ, dùng nơtron như là bức xạ đâm xuyên.

9.27. Nơtron tán xạ bởi vật chụp: Nơtron bị tán xạ bởi vật chụp, chính nơtron này góp phần vào việc phơi nhiễm phim.

9.28. P: Hàm lượng tạo cặp hiệu dụng. P, sự phơi nhiễm nền tính theo phần trăm do sự tạo cặp trong lớp chì dày 2 mm.

9.29. Sự tạo cặp: Quá trình trong đó một phôton gamma có năng lượng lớn hơn 1,02 MeV biến đổi trực tiếp thành vật chất dưới dạng một cặp electron-positron. Hệ quả là sự hủy positron tạo ra hai photon gamma có năng lượng 0,511 MeV.

9.30. Ảnh chụp bằng bức xạ có điều khiển quá trình: Ảnh chụp bằng bức xạ, do ánh xạ vật chỉ thị độ sạch chùm tia và vật chỉ thi độ nhạy dưới cùng điều kiện phơi nhiễm và quy trình xử lý giống như đối với ảnh chụp bằng bức xạ vật thử. Một ảnh chụp bằng bức xạ có điều khiển quá trình có thể dùng để xác định các thông số chất lượng ảnh trong khung cảnh kích thước vật thử rất lớn hay bất thường.

9.31. Kiểm tra nhờ chụp ảnh bằng bức xạ: Sự sử dụng tia X hoặc bức xạ hạt nhân hay cả hai để phát hiện sự mất liên tục trong vật liệu và trình bày ảnh của chúng trên phương tiện ghi.

9.32. Sự chụp ảnh bức xạ: Quá trình tao ra ảnh bức xạ bằng cách dùng bức xạ đâm xuyên.

9.33. Phép kiểm tra dùng ảnh bức xạ: Sự sử dụng bức xạ ion hóa đâm xuyên để hiện ảnh nhằm phát hiện các chỗ mất liên tục hoặc giúp việc tính toàn vẹn của chi tiết.

9.34. Bức xạ học: Khoa học và ứng dụng của các tia X, tia gamma, nơtron và các bức xạ đâm xuyên khác.

9.35. Phép kiểm tra bằng soi tia bức xạ; Sự sử dụng bức xạ đâm xuyên và phép soi tia bức xạ để phát hiện các chỗ mất liên tục trong vật liệu.

9.36. Phép hiện ảnh bức xạ: Chế phẩm điện tử của ảnh bức xạ, cho phép theo dõi chặt chẽ sự thay đổi theo thời gian của vật bị chụp ảnh.

9.37. Phép hiện ảnh bức xạ thời gian thực: Máy hiện ảnh bức xạ có khả năng theo dõi sự chuyển động của vật, không hạn chế thời gian.

9.38. S: Hàm lượng nơtron tán xạ hiệu dụng. S là phần trăm nền phim bị tối do nơtron bị tán xạ.

9.39. Nơtron tán xạ: Nơtron bị tán xạ do va chạm nhưng vẫn tham gia vào phơi nhiễm phim.

9.40. Giá trị độ nhạy: Giá trị xác định bởi sự mất liên tục tiêu chuẩn nhỏ nhất trên bất cứ vật chỉ thị độ nhạy cho trước nào quan sát được trong ảnh bức xạ. Các giá trị này được xác định bởi nhận biết loại vật chỉ thị, kích thước vết hỏng, chiều dày vật hấp thụ có sự mất liên tục quan sát được.

9.41. Nhiệt hóa: Quá trình làm chậm vận tốc nơtron bằng cách cho phép neutro cân bằng nhiệt với môi trường làm chậm.

9.42. Hệ số nhiệt hóa: Tỷ số nghịch đảo của dòng nơtron nhiệt nhận được trong vật làm chậm so với nơtron nguồn.

9.43. Nơtron nhiệt: Nơtron có năng lượng nằm trong khoảng từ 0,005 eV đến 0,5 eV; Nơtron có năng lượng này được tạo ra bằng cách làm chậm nơtron nhanh đến khi chúng cân bằng nhiệt với môi trường làm chậm ở nhiệt độ gần 20⁰C.

9.44. Tiết diện toàn phần: Tổng của các tiết diện hấp thụ và tán xạ.

9.45. Cassette chân không: Dụng cụ kín ánh sáng có cửa sổ vào mềm dẻo, dụng cụ này khi làm việc trong chân không sẽ giữ phim và màn chuyển đổi tiếp xúc chặt chẽ trong khi phơi nhiễm.

10. Các thuật ngữ thử siêu âm (UT)

10.1. Quét A: Phương pháp trình bày dữ liệu dùng đường cơ sở nằm ngang để chỉ khoảng cách hay thời gian và độ lệch theo phương thẳng đứng so với đường cơ sở để chỉ biên độ.

10.2. Lưỡng chiết âm: Hiệu ứng quan sát được khi sóng ngang phân cực thẳng góc truyền qua cùng một bề dày vật liệu và hiệu số vận tốc pha có liên quan tới các thành phần của ứng suất phẳng.

10.3. Biên độ: Chiều cao xung của một tín hiệu, thường là từ chân tới đỉnh khi dùng cách biểu diễn quét A.

10.4. Chùm tia xiên: Thuật ngữ dùng để mô tả chùm tia tới hoặc tia khúc xạ không thẳng góc so với mặt phẳng tới vật thử, thí dụ kiểm tra bằng chùm tia xiên, đầu dò dùng chùm tia xiên, sóng dóc trong chùm tia xiên, sóng ngang trong chùm tia xiên.

10.5. Sự suy giảm biểu kiến: Sự tổn hao năng lượng siêu âm quan sát được cộng thêm với tổn hao thực, suy giảm biểu kiến có thể có cả tổn hao do thiết bị, cấu hình mẫu thử, sự phân kỳ của chùm tia, phản xạ của mặt phân cách và quy trình đo.

10.6. Đường cong đáp ứng biên độ – diện tích: Đường cong mô tả sự thay đổi về biên độ khi sóng tới vuông góc từ các vật phản xạ phẳng có diện tích khác nhau ở các khoảng cách bằng nhau kể từ đầu dò, trong môi trường truyền siêu âm.

10.7. Độ suy giảm: Hệ số mô tả sự giảm của cường độ sóng siêu âm theo khoảng cách. Thường tính theo đêxibel trên một đơn vị chiều dài.

CHÚ THÍCH : Thông số suy giảm, thỉnh thoảng cũng được tính theo Nêpe trên một đơn vị chiều dài. Giá trị tính theo đêxibel (dB) là 8,68 lần giá trị tính theo Neper. Nếu tổn hao qua quãng đường là 1 Np, khi đó biên độ giảm đi còn 1/e giá trị ban đầu của nó (e = 2,7183…).

10.8. Bộ suy giảm: Thiết bị làm thay đổi biên độ chỉ thị siêu âm theo độ tăng đã biết, thường là dêxibel.

10.9. Biểu diễn quét B: Một phương tiện trình bày dữ liệu siêu âm, hiển thị tiết diện mẫu thử chỉ thị chiều dài gần đúng (phát hiện được sau mỗi lần quét) của các vật phản xạ và vị trí tương đối của chúng.

10.10. Phản xạ từ đáy: Đáp ứng tín hiệu từ biên xa của vật liệu kiểm tra.

10.11. Mặt đáy: Mặt sau của khối chuẩn đối diện với mặt đưa sóng vào.

10.12. Đường cơ sở: Thời gian bay hay vết theo khoảng cách ngang hiển thị trên màn huỳnh quang quét A (khi không có tín hiệu ).

10.13. Trục chùm tia: Đường tâm âm học của sự thay đổi mẫu chùm tia từ đầu dò được xác định theo quỹ tích của các điểm áp suất âm cực đại trong trường xa và sự kéo dài của nó trong trường gần.

10.14. Sự mở rộng chùm tia: Sự phân kỳ của chùm tia siêu âm khi âm thanh đi qua một môi trường.

10.15. Kỹ thuật bi-modal (hai kiểu): Kỹ thuật kiểm tra siêu âm dùng cả hai kiểu truyền sóng dọc (L) và sóng ngang (S) đế đánh giá hoặc đo chiều cao khuyết tật.

10.16. Bộ tạo tiếp xúc: Dụng cụ dùng một luồng chất lỏng để ghép chùm siêu âm với vật thử.

10.17. Quét C: Cách biểu diễn dữ liệu siêu âm, cho hình chiếu phẳng của vật thử và những chỗ mất liên tục trong đó.

10.18. Bộ chuẩn trực: Dụng cụ cho phép kiểm tra kích thước và hướng của chùm siêu âm.

10.19. Thử tiếp xúc: Kỹ thuật trong đó đầu dò tiếp xúc trực tiếp với vật kiểm tra qua một lớp mỏng của chất tiếp xúc.

10.20. Sóng liên tục: Dòng không đổi của sóng siêu âm, ngược với xung.

10.21. Xung phản xạ để kiểm soát: Tín hiệu đối chiếu, từ mặt phản xạ không đổi, chẳng hạn phản xạ đáy.

10.22. Hiệu ứng góc: Sự phản xạ của chùm siêu âm hướng tới thẳng góc với giao tuyến của hai mặt phẳng thẳng góc với nhau.

10.23. Chất tiếp âm: Chất dùng giữa đầu dò và mặt kiểm tra để cho phép hoặc cải thiện sự truyền năng lượng siêu âm.

10.24. Sóng bò: Sóng nén dãn chạy trong lớp sát biên và bức xạ sóng trượt kiểu “sóng đầu” đi ra khỏi biên giới một góc bằng góc tới hạn.

CHÚ THÍCH: Một số người dùng thuật ngữ “sóng bên” thay cho “sóng bò”, khi mặt phẳng là song song và “sóng bò” khi mặt măt là cong.

10.25. Góc tới hạn: Góc tới của chùm tia siêu âm mà khi vượt quá giá trị này, sóng khúc xạ không còn nữa.

10.26. Xuyên âm: Sự rò tín hiệu (âm hoặc điện) qua một màn chắn điện hoặc âm.

10.27. Tinh thể (xem biến tử): Phần tử áp điện trong đầu dò siêu âm. Thuật ngữ này dùng chung cho cả áp điện đơn tinh thể cũng như áp điện đa tinh thể, thí dụ gốm sắt.

10.28. Hiệu chỉnh biên độ-khoảng cách DAC (độ lợi quét, độ lợi hiệu chỉnh thời gian, độ lợi biến đổi thời gian v.v…): Sự thay đổi điện tử của độ khuyếch đại để có cùng một biên độ từ các mặt phản xạ bằng nhau ở những khoảng cách khác nhau.

10.29. Sự dập tắt (đầu dò): Hạn chế độ kéo dài của tín hiệu từ đầu dò khi có xung ở lối vào để làm giảm bằng cách điện hay cơ biên độ của các chu kỳ tiếp sau.

10.30. Điều chỉnh dB: Sự điều khiển nhằm điều chỉnh biên độ của tín hiệu hiển thị theo dõi.

10.31. Vùng chết: Khoảng cách trong vật liệu từ bề mặt vật thử tới độ sâu, mà tại độ sâu này, một vật phản xạ có thể phân giải lần thứ nhất trong các điều kiện quy định. Nó được xác định bởi các đặc trưng của đầu dò, dụng cụ thử siêu âm và vật thử.

10.32. Đêxibel (dB): Hai mươi lần, logarit cơ số mười của tỷ số các biên độ sóng siêu âm 1 dB = 20 log₁₀ (tỷ số biên độ).

10.33. Quét trễ: Trong biểu diễn quét A hoặc quét B, phần đầu trên của thang thời gian không được hiển thị.

10.34. Kích thước – Độ lợi – Khoảng cách (DGS): Đường cong biên độ khoảng cách, cho phép tiên đoán kích thước vật phản xạ so với đáp ứng xung từ phản xạ đáy.

10.35. Nhiễu xạ: Sự mở rộng hoặc uốn của sóng khi đi qua lỗ nhỏ hoặc quanh mép một rào chắn.

10.36. Bù trừ biên độ khoảng cách (điện tử): Sự bù trừ hay thay đổi khuyếc đại của bộ thu để có biên độ bằng nhau trên màn máy phát hiện khuyết tật dùng siêu âm từ những mặt phản xạ có diện tích bằng nhau nhưng ở độ sâu khác nhau trong vật liệu.

10.37. Đường cong đáp ứng biên độ-khoảng cách: Đường cong chỉ rõ mối liên hệ giữa những khoảng cách khác nhau và biên độ của đáp ứng siêu âm từ các mục tiêu có kích thước bằng nhau trong một môi trường truyền siêu âm.

10.38. Dải tuyến tính của khoảng cách: Khoảng lệch ngang trong đó có mối liên hệ không đổi giữa dịch chuyển ngang gia tăng của chỉ thị thẳng đứng trong biểu diễn quét A và thời gian gia tăng cần thiết cho sóng phản xạ đi qua một chiều dài đã biết trong môi trường truyền đồng nhất.

10.39. Đầu dò kép: Đầu dò chứa hai phần tử một phần tử để phát và một phần tử để thu.

10.40. Dải động: Phép đo khả năng của hệ thử với tín hiệu vào có biên độ thay đổi được cho bởi tỷ số cực đại và cực tiêu của tín hiệu vào khi hệ số khuyếch đại là hằng số, cho tín hiệu ra không méo, khi có những thay đổi phân biệt được của các biến thiên gia tăng lối vào.

CHÚ THÍCH 1 : Khoảng động có thể phát biểu như là giá trị bằng số của tỷ số – tuy nhiên thường đo bằng dB.

CHÚ THÍCH 2 : Khi chỉ thị lối ra có thể liên hệ với kích thước hoặc đích đã được chấp nhận như lỗ đáy phẳng, khoảng động thỉnh thoảng tính theo kích thước lỗ cực đại và cực tiểu có thể hiển thị được.

10.41. Tiếng vọng: Chỉ thị của năng lượng phản xạ.

10.42. Động lực học tiếng vọng: Biên độ theo thời gian của mối liên hệ đến của tín hiệu siêu âm đối với vị trí đầu dò.

10.43. Kiểm tra dùng năng lượng siêu âm:

Xem tìm hiểu về âm.

10.44. Trường xa: Vùng của chùm tia khi các mặt phản xạ bằng nhau thì có sự giảm biên độ khi khoảng cách tăng.

10.45. Chùm tia hội tụ: Năng lượng của chum âm tập trung tại một khoảng cách quy định.

10.46. Tần số (cơ bản): Trong thử nhờ cộng hưởng, tần số tại đó bước sóng gấp hai lần bề dày của vật liệu kiểm tra.

10.47. Tần số (kiểm tra): Tần số sóng siêu âm hiệu dụng của một hệ dùng để kiểm tra vật liệu.

10.48. Tần số (lặp lại của xung): Số lần trong một giây mà đầu dò điện âm bị kích thích bởi máy phát xung để tạo ra xung năng lượng siêu âm. Cũng gọi là tốc độ lặp lại xung.

10.49. Quét khe: Kỹ thuật ghép cột lưu chất ngắn.

10.50. Cổng: Một phương tiện điện tử để chọn một khoảng thời gian cho hoạt động hoặc cho xử lý tiếp theo.

10.51. Tới nghiêng: Kiểm tra theo phương pháp nhúng với chùm tia hướng theo phương nghiêng đối với mặt vật liệu kiểm tra.

10.52. Điều hòa: Các dao động là bội nguyên của các tần số cơ bản.

10.53. Sóng đầu: Sóng sinh ra do chuyển đổi kiểu khi một nguồn điểm định vị tại biên một bán không gian đàn hồi.

10.54. Âm nổi: Một hệ kiểm tra dùng mặt phân cách pha giữa sóng siêu âm từ một vật và tín hiệu tham chiếu để thu được ảnh của vật phản xạ trong vật liệu thử.

10.55. Thử nhúng: Một phương pháp kiểm tra siêu âm trong đó đầu dò và chi tiết thử được nhúng (ít nhất một phần) trong chất lỏng, thường là nước.

10.56. Trở kháng âm: Một đại lượng toán học được dùng trong tính toán đặc trưng phản xạ tại biên – Tích số của vận tốc sóng và khối lượng riêng. velocity and material density.

10.57. Chỉ thị: Dấu hiệu hoặc các ký hiệu cho sự có vật phản xạ.

10.58. Xung ban đầu: Đáp ứng của hiển thị hệ siêu âm với xung phát (đôi khi gọi là “cú hích” chính).

10.59. Tìm hiểu về siêu âm: Giới thiệu hoặc ứng dụng năng lượng siêu âm trong một thể tích vật liệu với mục đích kiểm tra siêu âm.

10.60. Mặt phân cách: Biên giới giữa hai vật liệu.

10.61. Sóng Lamb: Một kiểu truyền sóng đặc biệt, truyền giữa hai mặt song song của vật liệu kiểm tra (như trong một tấm, thành của ống). Sóng Lamb có thể phát ra ở những giá trị cụ thể về tần số, góc tới và bề dày. Vận tốc truyền sóng tùy thuộc vào kiểu truyền sóng, tích số của bề dầy vật liệu và tần số kiểm tra.

10.62. Độ tuyến tính của biên độ: Đại lượng tỷ lệ của biên độ tín hiệu vào bộ thu và biên độ tín hiệu xuất hiện trên phần hiển thị của dụng cụ siêu âm hoặc trên phần hiển thị phụ.

10.63. Độ tuyến tính của thời gian hay khoảng cách: Đại lượng tỷ lệ của tín hiệu xuất hiện trên trục thời gian hoặc khoảng cách của phần hiển thị và tín hiệu vào bộ thu từ máy phát thời gian đã được chuẩn, hoặc từ nhiều lần tiếng vọng của một tấm vật liệu đã biết chiều dày.

10.64. Sóng dọc: Sóng, trong đó chuyển động của hạt vật liệu chủ yếu theo cùng một phương với phương truyền sóng.

10.65. Mất phản xạ đáy: Không có hoặc bị suy giảm đáng kể biên độ của phần chỉ thị từ mặt đáy của chi tiết kiểm tra.

10.66. Xung đánh dấu: Xung thời gian phát ra từ linh kiện điện tử hoặc các vật chỉ thị khác được dùng trên phần hiển thị của dụng cụ để đo khoảng cách hoặc thời gian.

10.67. Kiểu truyền sóng: Loại truyền sóng siêu âm trong vật liệu, đặc trưng bởi chuyển động của các hạt (thí dụ dọc, ngang và vân vân)

10.68. Sự chuyển đổi kiểu truyền sóng: Hiện tượng, trong đó sóng siêu âm truyền trong kiểu này, do phản xạ hoặc khúc xạ tại mặt phân cách chuyển thành một kiểu sóng siêu âm kiểu khác.

10.69. Phản xạ từ đáy nhiều lần: Các phản xạ liên tiếp từ mặt đáy của vật liệu kiểm tra.

10.70. Phản xạ nhiều lần: Tiếng vọng liên tiếp của năng lượng siêu âm giữa hai bề mặt.

10.71. Trường gần: Vùng của chùm siêu âm gần biến tử và có profin chùm tia phức tạp. Còn gọi là trường Fresnel.

10.72. Nhiễu: Tín hiệu không mong muốn (điện hay âm) gây can nhiễu cho phần thu, giải thích hoặc xử lý tín hiệu mong muốn.

10.73. Sự tới theo pháp tuyến: Điều kiện, trong đó trục của chùm tia siêu âm thẳng góc với mặt phẳng lối vào của chi tiết kiểm tra.

10.74. Độ sâu đâm xuyên: Độ sâu cực đại trong vật liệu, mà các thông tin có ích về siêu âm có thể thu được và đo đạc được.

10.75. Xung: Mội chuỗi sóng, ngắn các dao động cơ học.

10.76. Phương pháp xung tiếng vọng: Phương pháp kiểm tra trong đó sự có mặt và vị trí của các vật phản xạ được chỉ thị bằng biên độ tiếng vọng và thời gian.

10.77. Độ dài xung: Phép đo độ kéo dài của một tín hiệu tính theo thời gian hoặc theo số chu kỳ.

10.78. Phép hiệu chỉnh xung: Phép điều khiển, dùng trong một số thiết bị siêu âm, để tối ưu hóa đáp ứng xung của đầu dò và dây tới máy phát, bằng cách chỉnh phổ tần số của xung phát.

10.79. Hiển thị tần số vô tuyến: Hiển thị tín hiệu chưa chỉnh lưu trên màn hình hoặc bộ ghi.

10.80. Dải đo: Chiều dài đường đi của song siêu âm cực đại có thể hiển thị được.

10.81. Sóng Rayleigh: Một loạt sóng bề mặt siêu âm, trong đó chuyển động hạt theo hình ellip và độ đâm xuyên hiệu dụng gần đúng là một bước sóng.

10.82. Mẫu đối chứng: Một khối dùng cho cả hai loại:

– Thang đo

– Phương tiện cấp thông tin về sự phản xạ sóng siêu âm của các vật đã biết đặc trưng.

10.83. Mặt phản xạ: Mặt phân cách, tại đó sóng siêu âm gặp một sự thay đổi về trở kháng âm học, và tại đó ít nhất một phần năng lượng bị phản xạ.

10.84. Loại bỏ (khử): Điều khiển để loại trừ hoặc giảm thiểu những tín hiệu có biên độ thấp (ồn do vật liệu hay điện) sao cho thể hiện rõ tín hiệu lớn hơn.

10.85. Khả năng phân giải: Khả năng của một thiết bị siêu âm cho ta đồng thời:

– Chỉ thị tách biệt những chỗ mất liên tục gần nhau trên cùng một dải; và

– Vị trí theo phương ngang đối với chùm tia

10.86. Phương pháp cộng hưởng: Kỹ thuật trong đó sóng siêu âm liên tục có tần số thay đổi nhằm nhận biết các đặc trưng cộng hưởng để tách biệt một số tính chất của chi tiết như chiều dày, độ cứng hoặc tính toàn vẹn của liên kết.

10.87. Sự bão hòa: Điều kiện trong đó sự tăng của tín hiệu vào không làm tăng biên độ trên phần hiển thị.

10.88. Sự quét: Sự di chuyển đầu dò tương đối với vật thử để kiểm tra toàn khối của vật liệu.

10.89. Chỉ số quét: Khoảng cách mà đầu dò di chuyển giữa các đường quét sau mỗi lần đi ngang chi tiết.

10.90. Năng lượng tán xạ: Năng lượng phản xạ một cách ngẫu nhiên từ các vật phản xạ nhỏ trên đường đi của chùm sóng siêu âm.

10.91. Sự tán xạ: Sự phân tán, sự lệch hướng, sự tái định hướng của năng lượng trong chùm tia siêu âm gây ra bởi những vật phản xạ nhỏ trong vật liệu kiểm tra.

10.92. Hệ Schlieren: Một quang hệ được dùng cho sự hiển thị nhìn được bằng mắt, của một chùm siêu âm qua môi trường trong suốt.

10.93. Đầu dò: Thiết bị âm – điện dùng để phát hoặc thu năng lượng sóng siêu âm, hoặc cả hai. Thiết bị gồm tấm ghi tên, dây nối, vỏ , phần đáy, miếng áp điện, phần che bề mặt hoặc thấu kính hay nêm.

10.94. Độ nhạy: Đại lượng tín hiệu siêu âm nhỏ nhất sẽ gây ra một chỉ thị có thể phân biệt được trên vật hiển thị của hệ siêu âm.

10.95. Bóng: Vùng trong một vật thể mà năng lượng siêu âm không thể đạt tới theo một hướng định trước do kích thước hình học của vật thể hoặc sự mất liên tục trong nó.

10.96. Sóng ngang: Chuyển động sóng, trong đó chuyển động của các hạt thẳng góc với phương truyền sóng.

10.97. Đầu dò phát sóng ngang (Đầu dò thạch anh cắt Y): Một đầu dò thẳng dùng để phát hay thu sóng ngang.

10.98. Tỷ số tín hiệu trên nhiễu: Tỷ số biên độ chỉ thị siêu âm và biên độ của nhiễu nền cực đại.

10.99. Bước nhảy: Trong kiểm tra dùng chùm tia xiên, khoảng cách dọc theo bề mặt thử, từ điểm đưa năng lượng âm vào đến điểm tại đó sóng siêu âm quay trở về cùng một bề mặt. Có thể coi đó là khoảng cách bề mặt đỉnh toàn bộ đường đi chữ V của sóng siêu âm trong vật liệu thử

10.100. Chùm tia thẳng: Một dãy sóng xung dao động di chuyển thẳng góc với mặt vật thử.

10.101. Quét điện: Chuyển động đồng nhất, lặp lại của chùm tia điện tử trong ống tia điện tử.

10.102. Mặt thử: Bề mặt của chi tiết qua đó năng lượng sóng siêu âm được đưa vào hay đưa ra.

10.103. Phép thử siêu âm: Phương pháp kiểm tra vật liệu không phá hủy bằng cách đưa sóng siêu âm vào hoặc qua hoặc trên mặt vật liệu kiểm tra và xác định các thuộc tính khác nhau của vật liệu theo hiệu ứng của sóng siêu âm.

10.104. Kỹ thuật truyền qua: Quy trình thử, trong đó các dao động siêu âm phát ra từ một đầu dò và thu bởi một đầu dò khác đặt ở mặt đối diện của vật kiểm tra.

10.105. Thời gian truyền: Số đo thời gian theo âm thanh của năng lượng phát, phản xạ hoặc nhiễu xạ trong mẫu thử.

10.106. Thời gian truyền theo kỹ thuật nhiễu xạ (TOFD): Một quy trình kiểm tra siêu âm dùng một cặp đầu dò theo cấu hình “bước kẹp”, các đầu dò được sắp xếp đối xứng trên cùng một bề mặt, nhưng đối diện với mối hàn. Việc đo thời gian truyền cho năng lượng phản xạ hướng thuận hoặc năng lượng nhiễu xạ từ khuyết tật hay từ bề mặt quy chiếu, được dùng để xác định độ sâu của nó và khoảng rộng theo chiều thẳng đứng.

10.107. Biến tử: Một thiết bị điện âm để biến năng lượng điện thành năng lượng âm và ngược lại.

10.108. Suy giảm thực: Phần tổn hao năng lượng âm quan sát được là do bản chất của môi trường truyền siêu âm âm. Các tổn hao do suy giảm thực có thể do các cơ chế cơ bản của hấp thụ và tán xạ.

10.109. Siêu âm: Là các dao động cơ học có tần số lớn hơn 20 000 Hz.

10.110. Mức ồn siêu âm: Số lớn của các chỉ thị không phân giải được do cấu trúc cũng có thể do nhiều sự mất liên tục nhỏ, hoặc cả hai.

10.111. Phép phân tích phổ siêu âm: Phép phân tích phổ tần số của sóng âm

10.112. Đường đi kiểu chữ V: Đường đi chùm tia siêu âm xiên trong vật liệu, bắt đầu từ mặt kiểm tra đặt đầu dò, qua vật liệu tới mặt phản xạ tiếp tục tới mặt kiểm tra phía trước đầu dò, phản xạ lại theo cùng một đường tới đầu dò. Đường đi thường có dạng kiểu chữ V.

10.113. Giới hạn thẳng đứng: Mức đọc được tối đa của chỉ thị theo phương thẳng đứng được xác định bởi giới hạn điện hay vật lý của cách biểu diễn quét A.

10.114. Trình diễn video: Hiển thị tín hiệu vô tuyến đã chỉnh lưu và thường đã được lọc.

10.115. Đường truyền trong nước: Khoảng cách từ biến tử đến bề mặt vật thử trong phương pháp thử nhúng hay thử dùng cột nước.

10.116. Mặt đầu sóng: Bề mặt liên tục vẽ qua những điểm tới trước nhất, trong một nhiễu loạn sóng có cùng pha.

10.117. Dẫy sóng: Một dẫy liên tiếp của sóng siêu âm, xuất hiện từ một nguồn, có cùng đặc trưng và truyền dọc theo cùng một đường.

10.118. Nêm: Một bộ phận dùng để hướng năng lượng siêu âm vào trong vật liệu theo một góc trong kiểm tra dùng chùm siêu âm xiên, bằng phương pháp tiếp xúc.

10.119. Đầu dò bánh xe: Một thiết bị siêu âm gắn liền với một hay nhiều phần tử áp điện được lắp trong một lốp xe mềm chứa đầy nước. Chùm tia được ghép với mặt vật thử qua diện tích tiếp xúc lăn được của lốp xe.

10.120. Gói vòng: Hiển thị những phản xạ mắt từ xung phát trước đó, gây ra do tần số lặp lại của xung quá cao.

11. Các thuật ngữ thử hồng ngoại

11.1. Năng suất hấp thụ a: Tỷ số giữa thông lượng bức xạ hấp thụ bởi một mặt và thong lượng bức xạ tới.

11.2. Nhiệt độ biểu kiến: Nhiệt của của một vật khi được xác định một cách riêng lẻ từ phép đo độ trưng, khi giả thiết độ phát xạ bằng một.

11.3. Bức xạ nền: Tất cả bức xạ thu được của thiết bị cảm nhận hồng ngoại, không phải là bức xạ phát đi từ diện tích quy định của bề mặt kiểm tra.

11.4. Nền trong mục tiêu: Phần nền được giới hạn bởi trường nhìn.

11.5. Vật đen: Một vật bức xạ nhiệt lý tưởng (độ phát xạ bằng 1,0) nó phát và hấp thụ mọi bức xạ nhiệt khả dĩ tại một nhiệt độ cho trước.

11.6. Nhiệt độ tương đương của vật đen: Nhiệt độ biểu kiến của vật khi được xác định từ phép đo độ trưng với giả thiết nó là vật đen lý tưởng có độ phát xạ bằng 1,0.

11.7. Vật đen vi sai: Một dụng cụ để thiết lập hai vùng phẳng đẳng nhiệt song song có nhiệt độ khác nhau, với độ phát xạ hiệu dụng bằng 1,0.

11.8. Độ phát xạ e: Là tỷ số độ trưng của một vật tại một nhiệt độ cho trước trên độ trưng tương ứng của vật đen ở cùng nhiệt độ.

11.9. Nguồn mở rộng: Nguồn bức xạ hồng ngoại mà ảnh của nó lấp đầy toàn bộ trường nhìn của bộ phát hiện.

CHÚ THÍCH : Độ rọi là độc lập với khoảng cách từ nguồn tới vùng quan sát. Trong thực tế, nguồn m ở rộng được coi như nguồn điểm.

11.10. Trường nhìn (FOV): Kích thước theo góc và hình dạng của hình nón hoặc hình chóp, xác định bởi không gian của vật được tạo ảnh của hệ. Thí dụ: Hình chữ nhật rộng 4⁰ cao 3⁰.

11.11. Bộ quét tuyến tính tạo ảnh: Một thiết bị có thể quét chỉ theo một chiều và di chuyển thẳng góc với phương quét để tạo nên một giản đồ nhiệt hai chiều của cảnh đó.

11.12. Hệ hiện ảnh hồng ngoại: Một thiết bị cho phép biến đổi sự thay đổi trong không gian hai chiều của bức xạ hồng ngoại từ bề mặt vật nào đó thành giản đồ nhiệt hai chiều của cùng một cảnh, trong đó sự thay đổi về độ trưng được biểu thị thành mức tông xám hoặc màu.

11.13. Vật phản xạ hồng ngoại: Vật liệu có độ phản xạ trong vùng hồng ngoại càng gần 1,00 càng tốt.

11.14. Thiết bị cảm nhận hồng ngoại: Một lớp rất rộng các thiết bị dùng hiển thị hoặc ghi, hoặc cả hai những thông tin liên quan tới bức xạ nhiệt thu được từ mặt của vật nào đó, nhìn (thu) được từ dụng cụ. Các dụng cụ này thay đổi theo độ phức tạp từ bức xạ kế vết đến hệ thống hiện ảnh thời gian thực hai chiều.

11.15. Kỹ thuật viên ảnh nhiệt hồng ngoại: Người được huấn luyện hoặc đào tạo để sử dụng bức xạ kế hiện ảnh hồng ngoại.

11.16. Trường nhìn tức thời (IFOV): Với một hệ quét ảnh, các kích thước góc của không gian vật, trong đó vật được hiện ảnh bởi bộ phát hiện riêng lẻ (đơn vị đo: độ hay rad).

CHÚ THÍCH : Trường nhìn tức thời tương đương với trường nhìn theo phương ngang và thẳng đứng của bộ phát hiện riêng lẻ. Với bộ phát hiện nhỏ, cạnh đối diện góc của bộ phát hiện (các hình chiếu) là a, b được định nghĩa: a = a/f; b = b/f, trong đó a, b là kích thước theo phương ngang và thẳng đứng của bộ phát hiện, f: là tiêu cự hiệu dụng của phần quang học (IFOV có thể tính theo đơn vị góc đặc steradian).

11.17. Độ rọi E: Thông lượng bức xạ (công suất) cho một đơn vị diện tích đập tới trên một bề mặt cho trước (đơn vị: W /m²).

11.18. Khả năng phân giải giới hạn: Tần số không gian cao nhất của một mục tiêu mà bộ cảm biến hiện ảnh có thể phân giải được.

11.19. Bộ quét tuyến tính: Một dụng cụ quét theo một đường đơn của một ảnh để cho profin nhiệt một chiều của cảnh đó.

11.20. Độ chênh lệch tối thiểu nhiệt độ phát hiện được (MDTD): Số đo về khả năng tổng hợp của hệ hiện ảnh hồng ngoại và một máy quan trắc để phát hiện mục tiêu có vị trí chưa biết tại một nhiệt độ, trên nền rộng, đồng nhất ở một nhiệt độ khác, khi hiển thị trên hệ theo dõi trong một thời gian hữu hạn.

CHÚ THÍCH : Với kích thước mục tiêu cho trước, MDTD là hiệu nhiệt độ nhỏ nhất giữa mục tiêu và nền, tại số máy quan trắc có thể phát hiện mục tiêu. Mục tiêu chuẩn là một vòng tròn, kích thước của nó tính theo cạnh đối diện góc và cả mục tiêu lẫn nền là các vật đen đẳng nhiệt.

11.21. Hiệu nhiệt độ phân giải được tối thiểu (MRTD): Phép đo khả năng của một hệ hiện ảnh hồng ngoại và bộ phận quan sát của người để nhận ra các mục tiêu là vạch tuần hoàn trên bộ hiển thị. MRTD là hiệu nhiệt độ nhỏ nhất giữa mẫu thử tuần hoàn chuẩn (tỷ lệ kích cỡ 7:1, có 4 vạch) và nền vật đen của nó, tại đó máy quan trắc có thể phân biệt được là 1 mẫu 4 vạch (xem Hình 4).

Hình 4 – Sơ đồ mẫu 4 vạch và nền dùng để đánh giá hiệu nhiệt độ phân giải được tối thiểu

11.22. Hàm truyền điều biến (MTF): Trong hệ hiện ảnh hồng ngoại, modul mà phép biến đổi Fourier mô tả sự phân bố trong không gian của sự suy giảm tổng thể về biên độ của hệ hiện ảnh nhiệt.

CHÚ THÍCH : MTF là một hàm nhạy với không gian tần số

11.23. Hiệu nhiệt độ tương đương nhiễu: (NETD): Hiệu nhiệt độ nền-mục tiêu giữa mục tiêu vật đen và nền vật đen, tại đó tỷ số tín hiệu trên nhiễu của hệ hiện ảnh nhiệt hoặc máy quét là đơn vị.

11.24. Khả năng phân giải phẳng của vật: Kích thước trong mặt phẳng của vật tương ứng với tích số trường nhìn tức thời và khoảng cách quy định từ hệ tới vật.

11.25. Nguồn điểm: Nguồn có kích thước rất nhỏ so với khoảng cách từ nguồn tới vùng quan sát.

CHÚ THÍCH : Độ rọi thay đổi tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách. Một tính chất duy nhất của nguồn điểm.

11.26. Độ trưng, L: Thông lượng ứng với một đơn vị diện tích chiếu, trên một đơn vị góc đặc hoặc phát ra từ nguồn, hay nói chung từ diện tích bất kỳ. Nếu d² f là thông lượng phát ra trong góc đặc dw bởi một phần tử có diện tích chiếu dA cos q, độ trưng được xác định.

                                   (4)

trong đó, như Hình 5, q là góc giữa pháp tuyến mặt ngoài của phần tử mặt dA và phương quan sát (đơn vị W /sr.m²).

Hình 5 – Sơ đồ trình bày về độ trưng

11.27. Độ xuất bức xạ, M: Thông lượng bức xạ trên một đơn vị diện tích rời khỏi bề mặt.

                                   (5)

trong đó:

df là thông lượng rời phần tử dA.

Đơn vị đo M là W /m² .

CHÚ THÍCH : Nói chung, độ xuất bức xạ gồm thông lượng phát xạ, truyền qua, phản xạ.

11.28. Thông lượng bức xạ; công suất bức xạ, f_e: Năng lượng bức xạ trong một đơn vị thời gian (đơn vị đo Watl).

11.29. Bức xạ kế: Dụng cụ dùng để đo cường độ năng lượng bức xạ. Trong nhiệt học hồng ngoại, dụng cụ đo nhiệt độ biểu kiến trung bình trên mặt đối diện với trường nhìn của nó.

11.30. Năng suất phản xạ: Tỷ số của thông lượng bức xạ được phản xạ từ một mặt trên thong lượng bức xạ tới.

11.31. Nhiệt độ phản xạ: Nhiệt độ của năng lượng tới và phản xạ từ bề mặt đo của mẫu vật.

11.32. Tần số không gian: Phép đo chi tiết theo các mẫu, tuần hoàn, cách đều nhau tương đương. Trong một vật hay mặt phẳng ảnh, có thể được biểu thị theo đơn vị số chu kỳ trên một milimét (cy/mm) hoặc cặp đường trên milimét (lp/mm). Trong một hệ hiện ảnh, có thể biểu thị bằng đơn vị số lặp lại trên một miliradian (cy/mrad) hoặc cặp đường trên miliradian (lp/mrad)

11.33. Khả năng phân giải nhiệt: Hiệu nhiệt độ biểu kiến nhỏ nhất giữa hai vật đo có thể đo được bằng thiết bị cảm nhận hồng ngoại.

11.34. Giản đồ nhiệt: Ảnh nhìn được bằng mắt, trong đó ánh xạ mẫu của nhiệt độ biểu kiến của một vật hay cảnh thành mẫu màu hay mẫu tương phản tương ứng.

11.35. Phép ghi nhiệt độ hồng ngoại: Quá trình hiển thị sự thay đổi của nhiệt độ biểu kiến (thay đổi của nhiệt độ hoặc phát xạ hay cả hai) qua một mặt của một vật hay một cảnh bằng cách đo những thay đổi trong độ trưng hồng ngoại.

CHÚ THÍCH : Nói chung phép ghi nhiệt độ thụ động thường để kiểm tra vật thể hoặc hệ thống trong sử dụng thông thường không có nguồn năng lượng bổ sung nào, với mục đích đặc biệt tạo ra gradien nhiệt của vật thể hoặc hệ thống; phép ghi nhiệt độ chủ động thường để kiểm tra vật thể với ứng dụng đã định của nguồn năng lượng bên ngoài. Năng lượng (bên trong và bên ngoài) có thể là nguồn năng lượng nhiệt, cơ (thử dao động hoặc thử m ỏi) dòng điện hoặc các dạng năng lượng khác.

11.36. Năng suất truyền qua, t: Là tỷ số của thông lượng bức xạ truyền qua một vật trên thông lượng bức xạ tới.

11.37. Phép ghi nhiệt theo kích động: Một kỹ thuật ghi nhiệt để kiểm tra một vật trong đó sự khác nhau về nhiệt độ là do kích động. temperature differences are produced by excitation.

12. Các thuật ngữ thử ảnh nổi quang học

12.1. Ảnh nổi biên độ: Phép ghi sự thay đổi cường độ ánh sáng gây ra bởi sự giao thoa giữa chùm tia tham chiếu và chùm tia vật, tạo thành các vùng sáng hoặc tối trên phương tiện ghi. Các đường giao thoa đen và trắng trên phương tiện ghi nhiễu xạ ánh sáng laser tạo nên ảnh tái cấu trúc.

12.2. Tỷ lệ chùm tia: Cường độ đo được của chùm tia tham chiếu chia cho cường độ đo được của chùm tia vật trong mặt phẳng của phương tiện ghi.

12.3. Bộ tách chùm tia: Một dụng cụ quang học dùng để chia một chùm tia thành hai hay nhiều chùm tia riêng rẽ.

12.4. Tính kết hợp: Tính chất của chùm tia bức xạ điện từ, trong đó sự liên hệ về pha giữa hai điểm bất kỳ cắt ngang chùm tia hoặc theo thời gian giữ nguyên không đổi.

12.5. Chiều dài kết hợp: Hiệu số đường đi giữa chùm tia vật và chùm tia tham chiếu tại đó các vân giao thoa giảm độ tương phản một hệ số (0,707) so với điểm có độ tương phản cực đại. Chiều dài kết hợp có liên quan đến bề rộng của vạch phổ phát ra từ nguồn laser.

c , trong đó, c là vận tốc ánh sáng, Dn là độ rộng dải của đường phát xạ phổ.

12.6. Độ phơi nhiễm: Tích số của độ rọi và thời gian cần thiết để tạo nên một mẫu thích hợp trên phương tiện ghi.

12.7. Vân, n: Một dải ánh sáng hay đen tạo nên bởi sự giao thoa của ánh sáng tán xạ bởi vật thực và ảnh ảo của vật.

12.8. Phép tạo ảnh nổi quang học: Kỹ thuật để ghi và tái tạo sự phân bố về pha và biên độ của nhiễu loạn sóng, được dùng phổ biến để tạo ảnh quang học ba chiều. Kỹ thuật này thực hiện bằng cách ghi mẫu của giao thoa giữa ánh sáng kết hợp được phản xạ từ vật quan tâm (chùm tia vật) và ánh sáng đến trực tiếp từ cùng một nguồn (chùm tia tham chiếu).

12.9. Giao thoa: Sự thay đổi của biên độ theo khoảng cách hoặc thời gian của sóng, do sự chồng chất của hai hay nhiều sóng có cùng hoặc hầu như cùng một tần số.

12.10. Đơn sắc: Một tính chất của chùm tia bức xạ điện từ, trong đó mọi sóng trong chùm tia có cùng một bước sóng.

12.11. Chùm tia vật: Một phần của bức xạ laser chiếu sáng bề mặt của vật bị tán xạ và mang thông tin về vật tới phương tiện ghi.

12.12. Góc chùm tia vật: Góc giữa đường thẳng kẻ từ tâm vật tới tâm phương tiện thu và pháp tuyến với tâm môi trường thu.

12.13. Chiều dài đường truyền: Khoảng cách mà bức xạ laser đi từ bộ tách chùm tia tới phương tiện ghi.

12.14. Hiệu chiều dài đường truyền: Hiệu chiều dài đường truyền giữa chùm tia vật và chùm tia tham chiếu.

12.15. Ảnh nổi pha, n: Phép ghi sự thay đổi cường độ sáng gây ra bởi sự giao thoa của chùm tia vật và chùm tia tham chiếu, khi thay đổi chiều dày hoặc chiết suất của phương tiện ghi. Sự thay đổi về bề dày hay chiết suất phản xạ ánh sáng kết hợp tạo nên tái cấu trúc ảnh.

12.16. Ảnh thực: Sự tạo lại vật bằng một hệ quang học, hệ này thu thập ánh sáng từ một điểm của vật và biến đổi thành một chùm tia sẽ hội tụ thành một điểm khác.

12.17. Phương tiện ghi: Vật liệu nhạy sáng để phát hiện sự giao thoa giữa chùm tia vật và chùm tia tham chiếu. Phương tiện ghi điển hình trong phép tạo ảnh nổi là phim muối bạc (halit bạc), phim chất dẻo nhiệt, bộ phát hiện điện tử như màn hình video, mảng ghép điện tích.

12.18. Chùm tia đối chứng: Bức xạ laser đập trực tiếp lên môi trường ghi qua các thành phần quang học, thường không mang thông tin về vật thử. Trong một vài loại thử, chùm tia tham chiếu có thể được phản xạ hay tán xạ từ một phần của bề mặt vật thử. Trong trường hợp này, thông tin về vật nào đó chứa trong chùm tham chiếu sẽ bị khử đi trong chùm tia vật do sự giao thoa giữa chùm tia vật và chùm tia tham chiếu.

12.19. Góc chùm tia đối chứng: Góc tạo bởi đường tâm của chùm tham chiếu và pháp tuyến của phương tiện ghi.

12.20. Đốm: Mẫu giao thoa ngẫu nhiên do sự chiếu sáng một mặt gồ ghề về phương diện quang học với bức xạ kết hợp. Trong các hệ laser điều này tạo nên hiệu ứng hạt, có thể nhìn thấy trong chùm tia tán xạ.

12.21. Ảnh ảo: Sự tạo lại vật bằng một hệ quang học, hệ này thu thập ánh sáng từ một điểm của vật và biến đổi nó thành một chùm tia như phần kỳ từ một điểm khác.

13. Các thuật ngữ thử bằng mắt

13.1. Phù hợp thị giác: Điều chỉnh mắt hoặc bằng tiêu cự, hoặc bằng độ mở của mống mắt để tối ưu hóa hiệu năng của nó trong những điều kiện nhìn cụ thể bình thường.

13.2. Ánh sáng môi trường: Ánh sáng không do hệ thử bằng thị giác tạo nên.

13.3. Thiết bị nhìn qua lỗ nhỏ: Một dụng cụ giống như ống cứng hoặc mềm dùng trợ giúp nhìn bằng thị giác từ xa. Dụng cụ có thể gồm gương, thấu kính, lăng kính, sợi quang hoặc một máy thu hình ghép điện tích để truyền ảnh tới phương tiện nhìn hoặc ghi.

13.4. Nến quốc tế (candela): Một đơn vị đo lường độ sáng (trước kia gọi là nến). Một candela là cường độ sáng theo phương thẳng góc của một bề mặt 1/600.000 m² của nguồn bức xạ vật đen tại nhiệt độ đông đặc của platin dưới áp suất 101325 Pa. Một candela tạo nên quang thông 1 lumen trên một steradian của góc đặc đo từ nguồn.

13.5. Thiết bị ghép điện tích (CCD): Một thiết bị video phát hiện ánh sáng, trong đó các thành phần riêng rẽ được nối với nhau sao cho sự tích điện hoặc tín hiệu tại lối ra của một thành phần tạo thành lối vào cho phần tiếp theo.

13.6. Sự đóng lại: Qua trình để một người hoàn tất nhận biết các mẫu hay hình dạng khi chúng được cảm nhận không đầy đủ.

13.7. Độ tương phản: Sự khác nhau giữa lượng ánh sáng phản xạ hay truyền qua từ một vật và nền bên trong trường nhìn.

13.8. Độ sâu của trường: Dải khoảng cách mà hệ thống hiện ảnh cho độ nét thoả mãn, khi nó được hội tụ tốt nhất theo khoảng cách cụ thể.

13.9. Nhìn trực tiếp: Sự nhìn không cần xác định lại bởi phương tiện điện tử hay quang học.

13.10. Sự đặc trưng kết quả: Sự đặc trưng hóa của các vật trong một bức ảnh thường với mục đích để phân biệt các vật này.

13.11. Sợi quang: Phương pháp nhờ đó ánh sáng được truyền đi qua các sợi trong suốt nhỏ.

13.12. Góc của trường: Góc bao gồm những điểm đối diện của một chùm ánh sáng, mà cường độ ánh sáng của các điểm này là 10 % của giá trị cực đại.

13.13. Bộ lọc: Một thành phần để xử lý hoặc một chức năng để loại trừ, cho qua hoặc khuyếch đại một loại tín hiệu đã được chọn lọc hoặc một phần tín hiệu.

13.14. Các hệ số lọc: Các giá trị xác định một bộ lọc mặt nạ trong xử lý ảnh.

13.15. Độ lóa: Đọ sáng quá mức ảnh hưởng xấu đến sự nhìn rõ sự quan sát có phân tích, sự xét đoán.

13.16. Thiết bị đo độ bóng: Dụng cụ để đo tỷ số của ánh sáng phân bố đều hay lý tưởng trên một bề mặt và tổng ánh sáng phản xạ.

13.17. Độ rọi: Mật độ quang thông của một đơn vị diện tích mặt. Trong hệ SI độ rọi đo bằng lux.

13.18. Ánh sáng: Bức xạ điện từ trong vùng phổ, phát hiện được bởi mắt của người bình thường (bước sóng khoảng từ 380 mm – 780 nm).

13.19. Lumen: Quang thông phát ra bên trong một steradian từ một nguồn điểm có cường độ ánh sáng phân bố đều trong không gian là một candela. Đơn vị trong hệ SI của quang thông.

13.20. Độ chói: Tỷ số cường độ sáng của một mặt theo một phương cho trước và một đơn vị của diện tích chiếu.

13.21. Bộ đơn sắc: Thiết bị để tách bức xạ đơn sắc từ một chùm tia bức xạ trong đó có một dải rộng các bước sóng.

13.22. Sự phản xạ: Quá trình thông lượng tới rời bề mặt hay môi trường từ phía tới, không có thay đổi về tần số, nhưng có thể thay đổi về phân cực. Phản xạ thường là sự tổ hợp của phản xạ lý tưởng và phản xạ khuyếch tán.

13.23. Sự bão hòa: Đặc trưng màu tương đối hay so sánh do sự pha loãng sắc màu với ánh sáng trắng.

13.24. Khả năng nhìn: Phẩm chất hay trạng thái của cảm nhận bởi mắt. Trong nhiều ứng dụng ngoài trời, khả năng nhìn được xác định theo khoảng cách tại đó một vật có thể phân biệt một cách tin tưởng được với môi trường xung quanh. Thường trong ứng dụng ngoài trời nó được xác định theo độ tương phản hay kích thước của vật thử chuẩn, được quan sát trong điều kiện nhìn tiêu chuẩn có cùng một ngưỡng như vật đã cho.

13.25. Trường nhìn: Điểm hoặc những điểm trong không gian có thể cảm nhận được khi đầu và mặt giữ cố định. Trường nhìn có thể là một mắt hay hai mắt.

13.26. Ánh sáng trắng: Ánh sáng chứa tất cả các bước sóng trong nhiều phổ nhìn thấy được (trong khoảng từ 380 nm đến 780 nm).

 

MỤC LỤC

Lời nói đầu

1. Phạm vi áp dụng

2. Các thuật ngữ chung thử không phá hủy

3. Phát xạ âm

4. Thử điện từ

5. Các thuật ngữ dùng cho thử bằng chụp tia X và tia gamma

6. Thử rò rỉ

7. Các thuật ngữ thử thẩm thấu chất lỏng

8. Các thuật ngữ thử hạt từ

9. Các thuật ngữ thử bức xạ nơtron

10. Các thuật ngữ thử siêu âm

11. Các thuật ngữ thử hồng ngoại

12. Các thuật ngữ thử ảnh nổi quang học

13. Các thuật ngữ thử bằng mắt